安徽SIP封裝方案

來源: 發(fā)布時間:2024-09-15

3D封裝結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點是使數(shù)據(jù)傳輸率更高。對于具有 GHz 級信號傳輸?shù)母咝阅軕?yīng)用,導(dǎo)體損耗和介電損耗會引起信號衰減,并導(dǎo)致低壓差分信號中的眼圖不清晰。信號走線設(shè)計的足夠?qū)捯缘窒鸊Hz傳輸?shù)募w效應(yīng),但走線的物理尺寸,包括橫截面尺寸和介電層厚度都要精確制作,以更好的與spice模型模擬相互匹配。另一方面,晶圓工藝的進步伴隨著主要電壓較低的器件,這導(dǎo)致噪聲容限更小,較終導(dǎo)致對噪聲的敏感性增加。散布在芯片上的倒裝凸塊可作為具有穩(wěn)定參考電壓電平的先進芯片的穩(wěn)定電源傳輸系統(tǒng)。SiP技術(shù)路線表明,越來越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊,以實現(xiàn)更深層次的3D封裝。安徽SIP封裝方案

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封裝(Package),是把晶圓上切下來的裸片裝配為芯片較終產(chǎn)品的過程,簡單地說,就是把制造廠生產(chǎn)出來的集成電路裸片放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來,然后固定包裝成為一個整體。作為動詞,“封裝”強調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過程和動作;作為名詞,“封裝”主要關(guān)注封裝的形式、類別、基底、外殼、引線材料,強調(diào)其保護芯片、增強電熱性能、方便整機裝配的重要作用。SiP封裝是將不同功能的裸芯片,包括CPU、GPU、存儲器等集成在一個封裝體內(nèi),從而實現(xiàn)一整個芯片系統(tǒng)。安徽SIP封裝方案SiP 封裝所有元件在一個封裝殼體內(nèi),縮短了電路連接,見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。

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SIP工藝解析:引線鍵合,在塑料封裝中使用的引線主要是金線,其直徑一般0.025mm~0.032mm。引線的長度常在1.5mm~3mm之間,而弧圈的高度可比芯片所在平面高0.75mm。鍵合技術(shù)有熱壓焊、熱超聲焊等。等離子清洗,清洗的重要作用之一是提高膜的附著力。等離子體處理后的基體表面,會留下一層含氯化物的灰色物質(zhì),可用溶液去掉。同時清洗也有利于改善表面黏著性。液態(tài)密封劑灌封,將已貼裝好芯片并完成引線鍵合的框架帶置于模具中,將塑封料的預(yù)成型塊在預(yù)熱爐中加熱,并進行注塑。

SiP封裝工藝介紹,SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝,若就排列方式進行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。相對于2D封裝,采用堆疊的3D封裝技術(shù)又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量,從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù),進一步增強SiP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合(Wire Bonding),也可使用覆晶接合(Flip Chip),也可二者混用。目前世界上先進的3D SiP 采用 Interposer(硅基中介層)將裸晶通過TSV(硅穿孔工藝)與基板結(jié)合。消費電子目前SiP在電子產(chǎn)品里應(yīng)用越來越多,尤其是 TWS 耳機、智能手表、UWB 等消費電子領(lǐng)域。

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SiP 封裝種類,SiP涉及許多類型的封裝技術(shù),如超精密表面貼裝技術(shù)(SMT)、封裝堆疊技術(shù),封裝嵌入式技術(shù)、超薄晶圓鍵合技術(shù)、硅通孔(TSV)技術(shù)以及芯片倒裝(Flip Chip)技術(shù)等。 封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜形式多樣。SiP幾種分類形式,從上面也可以看到SiP是先進的封裝技術(shù)和表面組裝技術(shù)的融合。SiP并沒有一定的結(jié)構(gòu)形態(tài),芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。由于2D封裝無法滿足系統(tǒng)的復(fù)雜性,必須充分利用垂直方向來進一步擴展系統(tǒng)集成度,故3D成為實現(xiàn)小尺寸高集成度封裝的主流技術(shù)。SiP 實現(xiàn)是系統(tǒng)的集成。浙江系統(tǒng)級封裝精選廠家

SIP發(fā)展趨勢,多樣化,復(fù)雜化,密集化。安徽SIP封裝方案

系統(tǒng)級封裝的優(yōu)勢,SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于,SoC 將所需的每個組件集成到同一芯片上,而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個或多個芯片載波封裝中。例如,SoC將CPU,GPU,內(nèi)存接口,HDD和USB連接,RAM / ROM和/或其控制器集成到單個芯片上,然后將其封裝到單個芯片中。相比之下,等效的SiP將采用來自不同工藝節(jié)點(CMOS,SiGe,功率器件)的單獨芯片,將它們連接并組合成單個封裝到單個基板(PCB)上??紤]到這一點,很容易看出,與類似的SoC相比,SiP的集成度較低,因此SiP的采用速度很慢。然而,較近,2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個主要因素推動了當前用SiP取代SoC的趨勢:安徽SIP封裝方案