鋰金屬電池生產(chǎn)線解析
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?專為固態(tài)電池研發(fā)|米開羅那正式推出鋰金屬全固態(tài)電池實(shí)驗(yàn)線
鋰銅復(fù)合帶負(fù)極制片機(jī):鋰銅負(fù)極制片的好幫手
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米開羅那(東莞)工業(yè)智能科技有限公司在香港城市大學(xué)-復(fù)旦大學(xué)
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鋰電池自動組裝設(shè)備:實(shí)現(xiàn)高精度與高穩(wěn)定性生產(chǎn)的必備條件
在當(dāng)前時代,Sip系統(tǒng)級封裝(System-in-Package)技術(shù)嶄露頭角,通過將多個裸片(Die)和無源器件融合在單個封裝體內(nèi),實(shí)現(xiàn)了集成電路封裝的創(chuàng)新突破。這項(xiàng)技術(shù)為芯片成品增加了明顯的集成度,有效減小產(chǎn)品體積,并在降低功耗方面取得了一定的成果。具體而言,SiP系統(tǒng)級封裝技術(shù)將處理芯片、存儲芯片、被動元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上,通過精密的鍵合和封裝過程,創(chuàng)造了一個外觀類似單一芯片的模塊。盡管仍呈現(xiàn)芯片狀,但這一模塊實(shí)現(xiàn)了多顆芯片協(xié)同工作的強(qiáng)大功能。由于SiP電子產(chǎn)品向高密度集成、功能多樣化、小尺寸等方向發(fā)展,傳統(tǒng)的失效分析方法已不能完全適應(yīng)。山東系統(tǒng)級封裝服務(wù)商
SiP 與其他封裝形式又有何區(qū)別?SiP 與 3D、Chiplet 的區(qū)別Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技術(shù)制造,也不需要采用同樣的工藝,同時較小的硅片本身也不太容易產(chǎn)生制造缺陷。不同工藝制造的 Chiplet 可以通過先進(jìn)封裝技術(shù)集成在一起。Chiplet 可以看成是一種硬核形式的 IP,但它是以芯片的形式提供的。3D 封裝就是將一顆原來需要一次性流片的大芯片,改為若干顆小面積的芯片,然后通過先進(jìn)的封裝工藝,即硅片層面的封裝,將這些小面積的芯片組裝成一顆大芯片,從而實(shí)現(xiàn)大芯片的功能和性能,其中采用的小面積芯片就是 Chiplet。?因此,Chiplet 可以說是封裝中的單元,先進(jìn)封裝是由 Chiplet /Chip 組成的,3D 是先進(jìn)封裝的工藝手段,SiP 則指代的是完成的封裝整體。通過 3D 技術(shù),SiP 可以實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)集成度,在更小的面積內(nèi)封裝更多的芯片。不過,是否采用了先進(jìn)封裝工藝,并不是 SiP 的關(guān)注重點(diǎn),SiP 關(guān)注系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實(shí)現(xiàn)。山東系統(tǒng)級封裝服務(wù)商SOC與SIP都是將一個包含邏輯組件、內(nèi)存組件、甚至包含無源組件的系統(tǒng),整合在一個單位中。
隨著物聯(lián)網(wǎng)時代來臨,全球終端電子產(chǎn)品漸漸走向多功能整合及低功耗設(shè)計,因而使得可將多顆裸晶整合在單一封裝中的SIP技術(shù)日益受到關(guān)注。除了既有的封測大廠積極擴(kuò)大SIP制造產(chǎn)能外,晶圓代工業(yè)者與IC基板廠也競相投入此一技術(shù),以滿足市場需求。早前,蘋果發(fā)布了較新的apple watch手表,里面用到SIP封裝芯片,從尺寸和性能上為新手表增色不少。而芯片發(fā)展從一味追求功耗下降及性能提升,轉(zhuǎn)向更加務(wù)實(shí)的滿足市場的需求。根據(jù)國際半導(dǎo)體路線組織(ITRS)的定義: SiP技術(shù)為將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件,以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起,實(shí)現(xiàn)一定功能的單個標(biāo)準(zhǔn)封裝件,形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。SiP技術(shù)特點(diǎn):1、組件集成,SiP可以包含各種類型的組件,如:數(shù)字和模擬集成電路、無源元件(電阻、電容、電感)、射頻(RF)組件、功率管理模塊、內(nèi)存芯片(如DRAM、Flash)、傳感器和微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)。
PiP封裝的優(yōu)點(diǎn):1)外形高度較低;2)可以采用標(biāo)準(zhǔn)的SMT電路板裝配工藝;3)單個器件的裝配成本較低。PiP封裝的局限性:(1)由于在封裝之前單個芯片不可以單獨(dú)測試,所以總成本會高(封裝良率問題);(2)事先需要確定存儲器結(jié)構(gòu),器件只能有設(shè)計服務(wù)公司決定,沒有終端使用者選擇的自由。TSV,W2W的堆疊是將完成擴(kuò)散的晶圓研磨成薄片,逐層堆疊而成。層與層之間通過直徑在10μm以下的細(xì)微通孔而實(shí)現(xiàn)連接。此種技術(shù)稱為TSV(Through silicon via)。與常見IC封裝的引線鍵合或凸點(diǎn)鍵合技術(shù)不同,TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度更大、外形尺寸更小,并且較大程度上改善芯片速度和降低功耗,成為3D芯片新的發(fā)展方向。SiP (System in Package, 系統(tǒng)級封裝)主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、無線通信、汽車電子等領(lǐng)域。
3D封裝結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是使數(shù)據(jù)傳輸率更高。對于具有 GHz 級信號傳輸?shù)母咝阅軕?yīng)用,導(dǎo)體損耗和介電損耗會引起信號衰減,并導(dǎo)致低壓差分信號中的眼圖不清晰。信號走線設(shè)計的足夠?qū)捯缘窒鸊Hz傳輸?shù)募w效應(yīng),但走線的物理尺寸,包括橫截面尺寸和介電層厚度都要精確制作,以更好的與spice模型模擬相互匹配。另一方面,晶圓工藝的進(jìn)步伴隨著主要電壓較低的器件,這導(dǎo)致噪聲容限更小,較終導(dǎo)致對噪聲的敏感性增加。散布在芯片上的倒裝凸塊可作為具有穩(wěn)定參考電壓電平的先進(jìn)芯片的穩(wěn)定電源傳輸系統(tǒng)。SIP是從封裝的立場出發(fā),對不同芯片進(jìn)行并排或疊加的封裝方式,實(shí)現(xiàn)一定功能的單個標(biāo)準(zhǔn)封裝件。江西MEMS封裝測試
預(yù)計到2028年,SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入將達(dá)到338億美元,年復(fù)合增長率為8.1%。山東系統(tǒng)級封裝服務(wù)商
隨著科技的不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷著一場由微型化和集成化驅(qū)動的變革。系統(tǒng)級封裝(System in Package,簡稱SiP)技術(shù),作為這一變革的主要,正在引導(dǎo)著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過將多個功能組件集成到一個封裝中,不只節(jié)省了空間,還提高了性能,這對于追求高性能和緊湊設(shè)計的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。Sip技術(shù)是什么?SiP(System in Package)技術(shù)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù),SiP技術(shù)允許將多個集成電路(IC)或者電子組件集成到一個單一的封裝中。這種SiP封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)不同功能組件的物理集成,而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP技術(shù)的關(guān)鍵在于它提供了一種方式來構(gòu)建復(fù)雜的系統(tǒng),同時保持小尺寸和高性能。山東系統(tǒng)級封裝服務(wù)商