湖北WLCSP封裝行價

通信SiP 在無線通信領(lǐng)域的應(yīng)用較早，也是應(yīng)用較為普遍的領(lǐng)域。在無線通訊領(lǐng)域，對于功能傳輸效率、噪聲、體積、重量以及成本等多方面要求越來越高，迫使無線通訊向低成本、便攜式、多功能和高性能等方向發(fā)展。SiP 是理想的解決方案，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢，降低成本，縮短上市時間，同時克服了 SOC 中諸如工藝兼容、信號混合、噪聲干擾、電磁干擾等難度。手機(jī)中的射頻功放，集成了頻功放、功率控制及收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)等功能，完整地在 SiP 中得到了解決。SiP模組是一個功能齊全的子系統(tǒng)，它將一個或多個IC芯片及被動元件整合在一個封裝中。湖北WLCSP封裝行價

什么情況下采用SIP ?當(dāng)產(chǎn)品功能越來越多，同時電路板空間布局受限，無法再設(shè)計更多元件和電路時，設(shè)計者會將此PCB板功能連帶各種有源或無源元件集成在一種IC芯片上，以完成對整個產(chǎn)品的設(shè)計，即SIP應(yīng)用。SIP優(yōu)點：1、尺寸小，在相同的功能上，SIP模組將多種芯片集成在一起，相對單獨(dú)封裝的IC更能節(jié)省PCB的空間。2、時間快，SIP模組板身是一個系統(tǒng)或子系統(tǒng)，用在更大的系統(tǒng)中，調(diào)試階段能更快的完成預(yù)測及預(yù)審。7、簡化物流管理，SIP模組能夠減少倉庫備料的項目及數(shù)量，簡化生產(chǎn)的步驟。湖北WLCSP封裝行價SiP 封裝優(yōu)勢：縮短產(chǎn)品研制和投放市場的周期。

系統(tǒng)級封裝（SiP）是將多個集成電路（IC）和無源元件捆綁到單個封裝中，在單個封裝下它們協(xié)同工作的方法。這與片上系統(tǒng)（SoC）形成鮮明對比，功能則集成到同一個芯片中。將基于各種工藝節(jié)點（CMOS，SiGe，BiCMOS）的不同電路的硅芯片可以垂直或并排堆疊在襯底上。該封裝由內(nèi)部接線進(jìn)行連接，將所有芯片連接在一起形成一個功能系統(tǒng)。系統(tǒng)級封裝類似于片上系統(tǒng)(SOC)，但它的集成度較低，并且使用的不是單一半導(dǎo)體制造工藝。常見的SiP解決方案可以利用多種封裝技術(shù)，例如倒裝芯片、引線鍵合、晶圓級封裝等。封裝在系統(tǒng)中的集成電路和其他組件的數(shù)量可變，理論上是無限的，因此，工程師基本上可以將整個系統(tǒng)集成到單個封裝中。

SiP具有以下優(yōu)勢：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當(dāng)對大批量組件應(yīng)用規(guī)模經(jīng)濟(jì)時，成本節(jié)約開始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設(shè)計成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識，從模塑料選擇，基板選擇和熱機(jī)械建模，可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。通信SiP在無線通信領(lǐng)域的應(yīng)用較早，也是應(yīng)用較為普遍的領(lǐng)域。

幾種類型的先進(jìn)封裝技術(shù)：首先就是 SiP，隨著 5G 的部署加快，這類封裝技術(shù)的應(yīng)用范圍將越來越普遍。其次是應(yīng)用于 Chiplet SiP 的 2.5D/3D 封裝，以及晶圓級封裝，并且利用晶圓級技術(shù)在射頻特性上的優(yōu)勢推進(jìn)扇出型（Fan-Out）封裝。很多半導(dǎo)體廠商都有自己的 SiP 技術(shù)，命名方式各有不同。比如，英特爾叫 EMIB、臺積電叫 SoIC。這些都是 SiP 技術(shù)，差別就在于制程工藝。在智能手機(jī)領(lǐng)域，除射頻模塊外，通用單元電路小型化需求正推升 SiP 技術(shù)的采用率；可穿戴領(lǐng)域，已經(jīng)有在耳機(jī)和智能手表上應(yīng)用 SiP 技術(shù)。SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的優(yōu)勢。湖北WLCSP封裝行價

系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)是通過將多個裸片（Die）及無源器件整合在單個封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。湖北WLCSP封裝行價

SIP工藝解析，引線鍵合封裝工藝工序介紹：圓片減薄，為保持一定的可操持性，F(xiàn)oundry出來的圓厚度一般在700um左右。封測廠必須將其研磨減薄，才適用于切割、組裝，一般需要研磨到200um左右，一些疊die結(jié)構(gòu)的memory封裝則需研磨到50um以下。圓片切割，圓片減薄后，可以進(jìn)行劃片，劃片前需要將晶元粘貼在藍(lán)膜上，通過sawwing工序，將wafer切成一個 一個 單獨(dú)的Dice。目前主要有兩種方式：刀片切割和激光切割。芯片粘結(jié)，貼裝的方式可以是用軟焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封裝中較常用的方法是使用聚合物粘結(jié)劑粘貼到金屬框架上。湖北WLCSP封裝行價