隨著科技的不斷進步,半導體行業(yè)正經歷著一場由微型化和集成化驅動的變革。系統(tǒng)級封裝(System in Package,簡稱SiP)技術,作為這一變革的主要,正在引導著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術通過將多個功能組件集成到一個封裝中,不只節(jié)省了空間,還提高了性能,這對于追求高性能和緊湊設計的現(xiàn)代電子產品至關重要。Sip技術是什么?SiP(System in Package)技術是一種先進的封裝技術,SiP技術允許將多個集成電路(IC)或者電子組件集成到一個單一的封裝中。這種SiP封裝技術可以實現(xiàn)不同功能組件的物理集成,而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP技術的關鍵在于它提供了一種方式來構建復雜的系統(tǒng),同時保持小尺寸和高性能。SIP模組能夠減少倉庫備料的項目及數(shù)量,簡化生產的步驟。北京IPM封裝流程
sip封裝的優(yōu)缺點,SIP封裝的優(yōu)缺點如下:優(yōu)點:結構簡單:SIP封裝的結構相對簡單,制造和組裝過程相對容易。成本低:SIP封裝的制造成本較低,適合大規(guī)模生產。可靠性高:SIP封裝具有較好的密封性能,可以免受環(huán)境影響,提高產品的可靠性。適應性強:SIP封裝適用于對性能要求不高且需要大批量生產的低成本電子產品。缺點:引腳間距限制:SIP封裝的引腳中心距通常為2.54mm,引腳數(shù)從2至23不等,這限制了其在一些高密度、高性能應用中的使用。不適用于高速傳輸:由于SIP封裝的引腳間距較大,不適合用于高速數(shù)據傳輸。散熱性能差:SIP封裝的散熱性能較差,可能不適用于高功耗的芯片。深圳IPM封裝市價SiP 封裝所有元件在一個封裝殼體內,縮短了電路連接,見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。
隨著物聯(lián)網時代越來越深入人心,不斷的開發(fā)和研究有助于使SiP更接近SoC,降低成本,減少批量要求和初始投資,并在系統(tǒng)簡化方面呈現(xiàn)積極趨勢。此外,制造越來越大的單片SoC的推動力開始在設計驗證和可制造性方面遇到障礙,因為擁有更大的芯片會導致更大的故障概率,從而造成更大的硅晶圓損失。從IP方面來看,SiP是SoC的未來替代品,因為它們可以集成較新的標準和協(xié)議,而無需重新設計。此外,SiP方法允許更快、更節(jié)能的通信和電力輸送,這是在考慮Si應用的長期前景時另一個令人鼓舞的因素。
SiP封裝工藝介紹,SiP封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝,若就排列方式進行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結構。相對于2D封裝,采用堆疊的3D封裝技術又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量,從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù),進一步增強SiP技術的功能整合能力。而內部接合技術可以是單純的線鍵合(Wire Bonding),也可使用覆晶接合(Flip Chip),也可二者混用。目前世界上先進的3D SiP 采用 Interposer(硅基中介層)將裸晶通過TSV(硅穿孔工藝)與基板結合。不同的芯片,排列方式,與不同內部結合技術搭配,使SiP 的封裝形態(tài)產生多樣化的組合。
SiP芯片成品的制造過程,系統(tǒng)級封裝(SiP)技術種類繁多,本文以雙面塑封SiP產品為例,簡要介紹SiP芯片成品的制造過程。SiP封裝通常在一塊大的基板上進行,每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。無源器件貼片,倒裝芯片封裝(Flip Chip)貼片——裸片(Die)通過凸點(Bump)與基板互連,回流焊接(正面)——通過控制加溫熔化封裝錫膏達到器件與基板間的鍵合焊線,鍵合(Wire Bond)——通過細金屬線將裸片與基板焊盤連接塑封(Molding)——注入塑封材料包裹和保護裸片及元器件。SiP封裝通常在一塊大的基板上進行,每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。上海系統(tǒng)級封裝廠家
SiP 在應用終端產品領域(智能手表、TWS、手機、穿戴式產品、智能汽車)的爆發(fā)點也將愈來愈近。北京IPM封裝流程
SiP系統(tǒng)級封裝需求主要包括以下幾個方面:1、穩(wěn)定的力控制:在固晶過程中,需要對芯片施加一定的壓力以確保其與基板之間的良好連接。然而,過大的壓力可能導致芯片損壞,而過小的壓力則可能導致連接不良。因此,固晶設備需要具備穩(wěn)定的力控制能力,以確保施加在芯片上的壓力恰到好處。2、溫度場及變形的控制:在固晶過程中,溫度的變化和基板的變形都可能影響芯片的位置和連接質量。因此,固晶設備需要具備對溫度場和基板變形的控制能力,以確保在整個固晶過程中溫度和變形的穩(wěn)定。北京IPM封裝流程