東營(yíng)高壓可控硅模塊價(jià)格

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-08-19

您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?

可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽(yáng)極承受正電壓,只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí),可控硅才能導(dǎo)通。由門(mén)級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽(yáng)極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽(yáng)極電流,即高于電流IL??煽毓鑼?dǎo)通后的電壓降很小。

接通可控硅模塊的條件是將流過(guò)可控硅模塊的電流減小到較小的值,即保持電流IH。有兩種方法:

1.將正極電壓降低至數(shù)值,或添加反向陽(yáng)極電壓。

2.增加負(fù)載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài),希望能幫助您 淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠(chéng)合作一同開(kāi)拓。東營(yíng)高壓可控硅模塊價(jià)格

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過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞,如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對(duì)過(guò)電壓非常敏感,當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí),可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí),可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此,需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。

過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類(lèi)型,如雷擊和開(kāi)關(guān)開(kāi)啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。


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可控硅模塊的作用和優(yōu)勢(shì)大家都知道,它的應(yīng)用范圍是非常廣的,在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來(lái)講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。


在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。

單向可控硅模塊有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽(yáng)極A1(T1),二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài),用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。 淄博正高電氣有限公司團(tuán)結(jié)、創(chuàng)新、合作、共贏。

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可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開(kāi)或閉合時(shí),其線(xiàn)圈中的電流通路被切斷,其變化率極大,因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓,這個(gè)電壓通過(guò)電源的內(nèi)阻加在開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)的兩端,然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過(guò)程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上,并且把干擾傳給供電線(xiàn)或以輻射形式傳向周?chē)臻g,這種脈沖具有很高的幅度,很寬的頻率,因而具有感性負(fù)載的開(kāi)關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。淄博正高電氣有限公司傾城服務(wù),確保產(chǎn)品質(zhì)量無(wú)后顧之憂(yōu)。東營(yíng)高壓可控硅模塊價(jià)格

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可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性,相當(dāng)于或類(lèi)似于可控制的單向(或雙向)二極管,利用其可控功能,實(shí)現(xiàn)了弱電流對(duì)強(qiáng)電的控制。此外,晶閘管具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點(diǎn)。晶閘管可用于下列過(guò)程:

1、可控整流:將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電;

2、逆變器:將直流電轉(zhuǎn)換成交流電;

3、變頻:將一個(gè)頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個(gè)頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電;

4、交流調(diào)壓:將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓;

5、斬波:將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓;

6、無(wú)觸點(diǎn)通斷:用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替交流接觸器實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)控制。 東營(yíng)高壓可控硅模塊價(jià)格

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與可控硅模塊相關(guān)的擴(kuò)展資料:

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可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。**早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。