濱州MTDC100晶閘管智能模塊配件

    是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：?jiǎn)蜗蚓чl管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號(hào)為“VS”，圖形符號(hào)如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有：額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時(shí)應(yīng)注意不能超過其極限參數(shù)指標(biāo)，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個(gè)電極。單向晶閘管的三個(gè)電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個(gè)電極是：兩個(gè)主電極T1、T2以及控制極G。使用中應(yīng)注意識(shí)別。[14]晶閘管具有可控的單向?qū)щ娦?，即不但具有一般二極管單向?qū)щ姷恼髯饔茫铱梢詫?duì)導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。單向晶閘管是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成三個(gè)PN結(jié)，具有三個(gè)外電極A、K和G，可等效為PNP、NPN兩晶體管組成的復(fù)合管，見圖14左邊。在A、K間加上正向電壓后，管子并不導(dǎo)通。此時(shí)在控制極G加上正電壓時(shí)，VT1、VT2相繼迅速導(dǎo)通，此時(shí)即使去掉控制極電壓，管子仍維持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向晶閘管可以等效為兩個(gè)單向晶閘管反向并聯(lián)，見圖14右邊，雙向晶閘管可以控制雙向?qū)?，因此除控制極G外的另兩個(gè)電極不再分陽極陰極。正高電氣技術(shù)力量雄厚，工裝設(shè)備和檢測(cè)儀器齊備，檢驗(yàn)與實(shí)驗(yàn)手段完善。濱州MTDC100晶閘管智能模塊配件

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí)，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。MTAC260晶閘管智能模塊批發(fā)正高電氣尊崇團(tuán)結(jié)、信譽(yù)、勤奮。

    過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡(jiǎn)單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會(huì)引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí)，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會(huì)產(chǎn)生過電壓。

    這兩部分電路，R5、RP和C5構(gòu)成阻容移相電路。合上電源開關(guān)S，交流電源電壓通過R5、RP向電容器C5充電，當(dāng)電容器C5兩端的電壓上升到略高于雙向觸發(fā)二極管ST的轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，ST和雙向晶閘管VS相繼導(dǎo)通，負(fù)載RL得電工作。當(dāng)交流電源電壓過零瞬間，雙向晶閘管自行關(guān)斷，接著C5又被電源反向充電，重復(fù)上述過程。分析電路時(shí)，觸發(fā)電路是工作在交流電路中的，交流電壓的正、負(fù)半周分別會(huì)發(fā)出正、負(fù)觸發(fā)脈沖送到雙向晶閘管的控制極，使管子在正、負(fù)半周內(nèi)對(duì)稱地導(dǎo)通一次。改變RP的阻值，就改變了C5的充電速度，也就改變了雙向晶閘管的導(dǎo)通角，相應(yīng)地改變了負(fù)載RL上的交流電壓，實(shí)現(xiàn)了交流調(diào)壓。同是不是可以直接作交流調(diào)壓器使用呢？一個(gè)簡(jiǎn)易型調(diào)壓器，在要求不高的場(chǎng)合（如燈具調(diào)光）完全可以使用。這種調(diào)壓器的缺點(diǎn)有兩個(gè)：一是負(fù)載RL上的電壓不能從零伏起調(diào)，比較低只能調(diào)到20V。當(dāng)RP調(diào)到比較大值時(shí)，C5充電速度變得很慢，以致在交流電壓的半個(gè)周期時(shí)間內(nèi)，C5上的電壓還來不及上升到雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓，雙向晶閘管就不能導(dǎo)通。為了克服這一缺點(diǎn)，增加了由R4、C4和R6組成的另一條阻容移相電路。當(dāng)RP調(diào)到極限值以上時(shí)。C4上的電壓可經(jīng)R6向C5充電。我公司將以優(yōu)良的產(chǎn)品，周到的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn)！

晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法

考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：

I>K×I負(fù)載×U較大∕U實(shí)際

K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2；

I負(fù)載：負(fù)載流過的較大電流；    U實(shí)際：負(fù)載上的較大電壓；

U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標(biāo)稱的電流一定要大于該值。

例：某系統(tǒng)用三相整流模塊電爐調(diào)溫，380V輸入，輸出電流130A，輸出直流電壓可調(diào)350V～450V，應(yīng)選擇什么型號(hào)的模塊？

選擇方法：三相整流模塊，380V輸入，較大輸出直流電壓為380×1.35=513V,電爐為阻性負(fù)載,按公式輸出電流應(yīng)不小于1.5×130×513/350=285.81A,可選取接近（但一定要大于）值，即320A的模塊，型號(hào)為:3MTDC320。 正高電氣以顧客為本，誠信服務(wù)為經(jīng)營理念。濱州MTDC100晶閘管智能模塊配件

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晶閘管智能調(diào)壓模塊的使用方法

1、各功能端相對(duì)com端必須為正，若com端為負(fù)極，極性相反，則晶閘管智能調(diào)壓模塊主回路輸出端可能失控。

2、晶閘管智能調(diào)壓模塊各功能端的控制特性均為正極性，即控制電壓越高，模塊強(qiáng)電主回路輸出電壓越高。

3、晶閘管智能調(diào)壓模塊在某一時(shí)刻宜使用一種輸入控制方式，若2種以上方式同時(shí)輸入使用，則輸入信號(hào)較強(qiáng)的一種起主要作用。

4、晶閘管智能調(diào)壓模塊電源為上進(jìn)下出，三相交流電路的進(jìn)線R、S、T無相序要求，導(dǎo)線粗細(xì)按實(shí)際使用電流選擇。

5、晶閘管智能調(diào)壓模塊N線*為模塊內(nèi)部開關(guān)電源用，用1平方細(xì)導(dǎo)線即可，N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設(shè)計(jì)。

6、晶閘管智能調(diào)壓模塊在使用過程中若發(fā)生過流現(xiàn)象，應(yīng)首先檢查負(fù)載有無短路等故障?？稍谀K的進(jìn)線R、S、T端之前安裝快速熔斷器進(jìn)行過流保護(hù)，規(guī)格可按實(shí)際負(fù)載電流的1.5倍選配。

7、智能晶閘管智能調(diào)壓模塊應(yīng)與散熱器配合使用，在機(jī)柜中與其他器件之間有足夠的散熱空間。必要時(shí)可安裝風(fēng)扇強(qiáng)制散熱。 濱州MTDC100晶閘管智能模塊配件

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