云南大功率晶閘管模塊價(jià)格

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-12-09

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示,本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接,并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述晶閘管單元包括:壓塊7、門(mén)極壓接式組件8、導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中,所述壓塊7設(shè)置于所述門(mén)極壓接式組件8上,并通過(guò)所述門(mén)極壓接式組件8對(duì)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力,所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接。正高電氣公司在多年積累的客戶好口碑下,不但在產(chǎn)品規(guī)格配套方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)。云南大功率晶閘管模塊價(jià)格

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    由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過(guò)程中,正向電壓下降到零時(shí),內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時(shí)反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L(di/dt)值仍很大,這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓,稱為關(guān)斷過(guò)電壓,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開(kāi)通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無(wú)感電阻,以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過(guò)電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。北京小功率晶閘管模塊哪家好正高電氣提供周到的解決方案,滿足客戶不同的服務(wù)需要。

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    漏電流:指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測(cè)得的流過(guò)壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,殘壓低,過(guò)電壓能力強(qiáng);平時(shí)漏電流小,放電后不會(huì)有續(xù)流,元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多,便于用戶選擇;伏安特性是對(duì)稱的,可用于交、直流或正負(fù)浪涌;因此用途較廣。2、過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí),熱量來(lái)不及散發(fā),使得結(jié)溫迅速升高,**終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,觸發(fā)電路發(fā)生故障,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相,負(fù)載過(guò)載或短路,相鄰設(shè)備故障影響等。晶閘管過(guò)電流保護(hù)方法**常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢,在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞;所以不能用來(lái)保護(hù)晶閘管。

晶閘管模塊的工作條件:

1.當(dāng)晶閘管模塊承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),只有在門(mén)級(jí)承受正向電壓時(shí),晶閘管才打開(kāi)。此時(shí),晶閘管處于正導(dǎo)通狀態(tài),這就是晶閘管的晶閘管特性,即可控特性。

2.晶閘管模塊開(kāi)著時(shí),只要有一定的正極電壓,不管門(mén)級(jí)電壓是多少,晶閘管都繼續(xù)工作,即晶閘管接通后,門(mén)級(jí)就失去了功能。門(mén)級(jí)只會(huì)起到觸發(fā)的作用。

3.當(dāng)主電路電壓(或電流)降至接近零時(shí),當(dāng)主電路電壓(或電流)降為零時(shí),晶閘管模塊被關(guān)閉。

4.當(dāng)晶閘管模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),無(wú)論門(mén)級(jí)承受何種電壓,晶閘管都處于反向閉鎖狀態(tài)。在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采用KP-60微秒以內(nèi),逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間采用KK-30微秒以內(nèi)。 正高電氣以顧客為本,誠(chéng)信服務(wù)為經(jīng)營(yíng)理念。

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晶閘管模塊的工作原理

在晶閘管模塊T的工作過(guò)程中,晶閘管模塊的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,形成晶閘管模塊的控制電路。

從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過(guò)程:

晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。

當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽(yáng)極電壓時(shí),為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅,承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此,當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí),兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的正反饋,從而導(dǎo)致兩個(gè)晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。 正高電氣優(yōu)良的研發(fā)與生產(chǎn)團(tuán)隊(duì),專業(yè)的技術(shù)支撐。西藏快恢復(fù)晶閘管模塊

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    所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外,所述晶閘管單元中,所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管。其中,所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地,所述第二晶閘管單元中,所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中,所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門(mén)極銅排的安裝,所述外殼1上還設(shè)置有門(mén)極銅排安裝座。綜上所述,本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過(guò)設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制,有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此,無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看,均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外,應(yīng)當(dāng)理解,雖然本說(shuō)明書(shū)按照實(shí)施方式加以描述,但并非每個(gè)實(shí)施方式*包含一個(gè)**的技術(shù)方案。云南大功率晶閘管模塊價(jià)格

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