5光控晶閘管是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力,因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。6逆變晶閘管因具有較短的關(guān)斷時間(10~15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中,它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前,其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。7非對稱晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例,是將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比,它具有關(guān)斷時間短、正向壓降小、額定結(jié)溫高、高溫特性好等優(yōu)點,主要用于逆變器和整流器中。目前,國內(nèi)有廠家生產(chǎn)3000V/900A的非對稱晶閘管。正高電氣企業(yè)文化:服務(wù)至上,追求超越,群策群力,共赴超越。河南工業(yè)窯爐三相整流調(diào)壓模塊
它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極。河南工業(yè)窯爐三相整流調(diào)壓模塊正高電氣秉承團(tuán)結(jié)、奮進(jìn)、創(chuàng)新、務(wù)實的精神,誠實守信,厚德載物。
750V通態(tài)平均電流IT(AV):5A比較大通態(tài)電壓VT:3V(IT=30A)比較大反向?qū)妷篤TR:<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測試內(nèi)容主要分三項:1.檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔,黑表筆接K極,紅表筆接A極(參見圖3(a)),電阻值應(yīng)為5~10Ω。若阻值為零,證明內(nèi)部二極管短路;電阻為無窮大,說明二極管開路。2.測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V(BO)按照(b)圖接好電路,再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,使RCT正向擊穿,由直流電壓表上讀出V(BO)值。3.檢查觸發(fā)能力實例:使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導(dǎo)晶閘管。依次選擇R×1k、R×100、R×10和R×1檔測量A-K極間反向電阻,同時用讀取電壓法求出出內(nèi)部二極管的反向?qū)妷篤TR(實際是二極管正向電壓VF)。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V(BO)值。全部數(shù)據(jù)整理成表1。由此證明被測RCT質(zhì)量良好。注意事項:(1)S3900MF的VTR<,宜選R×1檔測量。(2)若再用讀取電流法求出ITR值,還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片,但應(yīng)遠(yuǎn)離發(fā)熱元件。
變壓器磁路平衡,不存在磁化的問題。要求主變壓器和平衡電抗器對稱性好。2整流輸出電壓:Ud=。當(dāng)負(fù)載電流小于額定值(Id)2~5%時,流過平衡電抗器的電流太小,達(dá)不到激磁所需的臨界電流,平衡電抗器失去作用,其上的三角波形電壓也就沒有了,此時該線路輸出電壓與三相半波電路一樣,該電壓即為電焊機(jī)空載電壓。輸出電壓:Ud=。2電阻R的作用是為電焊機(jī)在空載電壓輸出時,提供可控硅導(dǎo)通的擎制電流。因此擎制電流參數(shù)的大小或離散性對R的阻值有相當(dāng)重要性。實例:1.晶閘管耐壓的選擇(VRRM;VDRM):已知條件:空載電壓:100V,額定輸出電流:630A;暫載率:60%根據(jù)公式:Ud=(大電流時:Ud=)對于雙反星型并聯(lián)電路,其對晶閘管耐壓要求均為:U2。U2為變壓器副邊相電壓。根據(jù)Ud=。考慮兩倍余量:VRRM;VDRM=2x.因此選擇耐壓400V的晶閘管及模塊即可。2.晶閘管額定電流的選擇(IT(AV)):2.先計算變壓器副邊流過的相電流(Ie):由公式:Ie=1/2x(適用雙反星型并聯(lián)電路,因兩極性組并聯(lián),所以公式中需乘以1/2)。對于630A輸出電流,Id=630A所以:Ie=1/2x(此值為交流有效值。需折算為平均值)計算流過的晶閘管額定電流(IT(AV)):IT=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=116Ax。正高電氣智造產(chǎn)品,制造品質(zhì)是我們服務(wù)環(huán)境的決心。
晶閘管模塊
晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡單、互換性好、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點,自誕生以來就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞,并得到了極大的發(fā)展。
晶閘管模塊一般對錯正弦電流有疑問,存在導(dǎo)通角,負(fù)載電流具有一定的波動和不穩(wěn)定因素,晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差,因此在選擇模塊的電流標(biāo)準(zhǔn)時一定要留出一定的余量。
模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低,模塊輸出電流越大。因此,在運(yùn)行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過熱維護(hù)功能的商品,有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 正高電氣通過專業(yè)的知識和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。河南工業(yè)窯爐三相整流調(diào)壓模塊
正高電氣為企業(yè)打造高水準(zhǔn)、高質(zhì)量的產(chǎn)品。河南工業(yè)窯爐三相整流調(diào)壓模塊
3)換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓之后,出現(xiàn)換相振蕩過電壓,它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高,換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,可以采取不同的方法,如減少過電壓源,并使過電壓幅值衰減;過電壓能量上升的速率,延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,增加其消散的途徑;采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常稱之為吸收回路或緩沖電路。(4)阻容吸收回路通常過電壓均具有較高的頻率,因此常用電容作為吸收元件,為防止振蕩,常加阻尼電阻,構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)、直流側(cè),或并接在晶閘管的陽極和陰極之間。吸收電路比較好選用無感電容,接線應(yīng)盡量短。。5)由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的,有時對時間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電,過電壓的效果較差。因此,一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。河南工業(yè)窯爐三相整流調(diào)壓模塊
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