特點:1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構,優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷,400A以上模塊既可選用風冷,也可選用水冷5、安裝簡單,使用維修方便典型應用:1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、如果產品裝機配型不適用,可退換貨給您滿意貼心的服務,是我們一貫的宗旨!有10多年功率半導體元器件制造經驗,是專業(yè)從事功率半導體器件的研發(fā)、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的****,多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產化工作。我公司的電力半導體器件有:全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK),軟恢復快速整流管(FRD),旋轉整流管(ZX)。大功率組合整流元件,普通晶閘管(KP),快速晶閘管(KK),雙向晶閘管(KS),逆導晶閘管(KN),可關斷晶閘管(GTO),電力晶體管(GTR)發(fā)電機旋轉勵磁整流組件,各種功率單元。這些元件廣泛應用于電化學電源。正高電氣愿與各界朋友攜手共進,共創(chuàng)未來!鞍山單相整流調壓模塊品牌
晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產品特點:1、芯片與底板電氣絕緣,2500V交流電壓;2、國際標準封裝;3、真空+充氫保護焊接技術;4、壓接結構,優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力;5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;6、200A以下模塊皆為強迫風冷,300A以上模塊,既可選用風冷,也可選用水冷;7、安裝簡單,使用維修方便,體積小,重量輕。二、型號說明:三、技術參數:型號通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結形式:五、產品應用:1、交直流電機控制;2、各種整流電源;3、工業(yè)加熱控制;4、調光;5、無觸點開關;6、電機軟起動;7、靜止無功補嘗;8、電焊機;9、變頻器;10、UPS電源;11、電池充放電。說明:,Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調試值,表中其它參數皆jm下的測試值;,在50HZ頻率下,I2t(10ms)=(A2S);d.當使用在電流為60HZ情況下,Itsm()=(10ms),I2t()=。鞍山單相整流調壓模塊品牌正高電氣企業(yè)文化:服務至上,追求超越,群策群力,共赴超越。
它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來方便地改變負載的交流工作電壓,從而應用于精確地調溫、調光等阻性負載及部分感性負載場合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強型的區(qū)別在感性負載的場合,當LSR由通態(tài)關斷時,由于電流、電壓的相位不一致,將產生一個很大的電壓上升率dv/dt(換向dv/dt)加在雙向可控硅兩端,如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(典型值為10V/μs)則將導致延時關斷,甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài),只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,由兩只單向可控硅反并聯(lián)構成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構成的普通型LSR的換向dv/dt有了很大提高,因此在感性或容性負載場合宜選取增強型LSR。㈣繼電器負載輸出端電流等級及型號如下表:電流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增強型15A增強型35A型號LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1電流增強型50A增強型70A增強型90A。
硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關,溫度越低耐壓越高;另外是硒堆具有自恢復特性,能多次使用,當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,其結構為兩個電極,電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結晶,結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),只有很小的漏電流,其值小于100μA。當加上電壓時,引起了電子雪崩,粒界層迅速變成低阻抗,電流迅速增加,泄漏了能量,了過電壓,從而使晶閘管得到保護。浪涌過后,粒界層又恢復為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數來表示。標稱電壓:指壓敏電阻流過1mA直流電流時,其兩端的電壓值。通流容量:是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流,每隔5分鐘沖擊1次,共沖擊10次,標稱電壓變化在-10[[[%]]]以內的比較大沖擊電流值來表示。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數,標稱電壓值不僅會隨著放電次數增多而下降,而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,當大到某一電流時,標稱電壓下降到0,壓敏電阻出現穿孔,甚至炸裂;因此必須限定通流容量。正高電氣設備的引進更加豐富了公司的設備品種,為用戶提供了更多的選擇空間。
750V通態(tài)平均電流IT(AV):5A比較大通態(tài)電壓VT:3V(IT=30A)比較大反向導通電壓VTR:<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞。測試內容主要分三項:1.檢查逆導性選擇萬用表R×1檔,黑表筆接K極,紅表筆接A極(參見圖3(a)),電阻值應為5~10Ω。若阻值為零,證明內部二極管短路;電阻為無窮大,說明二極管開路。2.測量正向直流轉折電壓V(BO)按照(b)圖接好電路,再按額定轉速搖兆歐表,使RCT正向擊穿,由直流電壓表上讀出V(BO)值。3.檢查觸發(fā)能力實例:使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導晶閘管。依次選擇R×1k、R×100、R×10和R×1檔測量A-K極間反向電阻,同時用讀取電壓法求出出內部二極管的反向導通電壓VTR(實際是二極管正向電壓VF)。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V(BO)值。全部數據整理成表1。由此證明被測RCT質量良好。注意事項:(1)S3900MF的VTR<,宜選R×1檔測量。(2)若再用讀取電流法求出ITR值,還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片,但應遠離發(fā)熱元件。正高電氣優(yōu)良的研發(fā)與生產團隊,專業(yè)的技術支撐。濱州反并聯(lián)晶閘管模塊價格
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并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力,所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片依次設置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,任一所述接頭包括:螺栓和螺母,所述螺栓與螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導電片、第二導電片、瓷板進行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導電片、鉬片、銀片、鋁片進行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述壓塊和第二壓塊上還設置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述外殼上還設置有門極銅排安裝座。與現有技術相比,本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠實現電力系統(tǒng)的多路控制,有效保證了電力系統(tǒng)的正常運行。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地。鞍山單相整流調壓模塊品牌
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