天津快恢復(fù)可控硅模塊

您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？

可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽(yáng)極承受正電壓，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí)，可控硅才能導(dǎo)通。由門(mén)級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽(yáng)極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽(yáng)極電流，即高于電流IL。可控硅導(dǎo)通后的電壓降很小。

接通可控硅模塊的條件是將流過(guò)可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽(yáng)極電壓。

2.增加負(fù)載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài)，希望能幫助您 淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹(shù)百年品牌為使命，傾力為客戶(hù)創(chuàng)造更大利益！天津快恢復(fù)可控硅模塊

可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用，但可控硅使用中必須要注意運(yùn)行環(huán)境和相關(guān)指標(biāo)，防止可控硅損壞而影響到設(shè)備的正常使用。對(duì)此，在選用可控硅的額定電壓時(shí)，應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。

1、選用可控硅的額定電流時(shí)，除了考慮通過(guò)元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。

2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬(wàn)用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換。

3、嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

5、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)裝置。

6、要防止可控硅控制極的正向過(guò)載和反向擊穿。

相信大家對(duì)于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊的使用范圍越來(lái)越廣，但是你對(duì)可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎？下面為大家講解。

可控硅模塊的主要參數(shù)有：

(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。

(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。

(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國(guó)標(biāo)的進(jìn)10倍，焊接工藝獨(dú)特，絕緣強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好。可控硅模塊的工作場(chǎng)所應(yīng)干燥、無(wú)腐蝕性氣體、通風(fēng)、無(wú)塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟：  1、散熱器和風(fēng)機(jī)按通風(fēng)要求裝配于機(jī)箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導(dǎo)熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個(gè)螺釘用力要均等。

  2、用接線(xiàn)端頭環(huán)帶將銅線(xiàn)扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)或熱水加熱收縮，導(dǎo)線(xiàn)截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線(xiàn)直接壓接在可控硅模塊電極上。

  3、 將接線(xiàn)端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固，保持良好的平面壓力接觸。

  4、可控硅模塊的電極易掀起折斷，接線(xiàn)時(shí)應(yīng)防止重力將電極拉起折斷。 淄博正高電氣有限公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備，雄厚的技術(shù)力量。

單向可控硅的檢測(cè)

  萬(wàn)用表選用電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑筆接的引腳為控制極G，紅筆接的引腳為陰極K，另一空腳為陽(yáng)極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短接線(xiàn)瞬間短接陽(yáng)極A和控制極G，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。 淄博正高電氣有限公司團(tuán)隊(duì)從用戶(hù)需求出發(fā)。天津快恢復(fù)可控硅模塊

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滿(mǎn)足可控硅模塊工作的必要條件：

（1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱(chēng)電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標(biāo)稱(chēng)電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。

（2）可控硅模塊控制信號(hào)：0～10V或4～20mA控制信號(hào)，用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)，正極接CON10V或CON20mA，負(fù)極接GND1。

（3）可控硅模塊供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子；負(fù)載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子。 天津快恢復(fù)可控硅模塊

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