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可控硅模塊的用途
可控硅模塊具有硅整流器件的特性,相當(dāng)于或類似于可控制的單向(或雙向)二極管,利用其可控功能,實(shí)現(xiàn)了弱電流對(duì)強(qiáng)電的控制。此外,晶閘管具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點(diǎn)。晶閘管可用于下列過(guò)程:
1、可控整流:將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電;
2、逆變器:將直流電轉(zhuǎn)換成交流電;
3、變頻:將一個(gè)頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個(gè)頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電;
4、交流調(diào)壓:將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓;
5、斬波:將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓;
6、無(wú)觸點(diǎn)通斷:用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替交流接觸器實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)控制。 創(chuàng)造價(jià)值是我們永遠(yuǎn)的追求!天津可控硅模塊廠家
正高可控硅擁有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),受到了眾多客戶的喜愛(ài)和歡迎。目前,正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點(diǎn),應(yīng)用于各行業(yè),**省內(nèi)外地區(qū)。
可控硅模塊的分類
可控硅模板從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 萊蕪反并聯(lián)可控硅模塊品牌淄博正高電氣有限公司不斷從事技術(shù)革新,改進(jìn)生產(chǎn)工藝,提高技術(shù)水平。
接下來(lái)需要檢測(cè)的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻,正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大,表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,工程師可以使用萬(wàn)用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽(yáng)極,紅表筆仍接陰極,此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng),黑表筆在不脫開(kāi)陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆,陰極接紅表筆時(shí),萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱晶閘管T。又由于晶閘管開(kāi)始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此頻率,因元件開(kāi)關(guān)損耗明顯增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司真誠(chéng)希望與您攜手、共創(chuàng)輝煌。
可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久,它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優(yōu)勢(shì),使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,下面正高來(lái)詳細(xì)的說(shuō)下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。剛開(kāi)始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。
可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司不斷完善自我,滿足客戶需求。萊蕪反并聯(lián)可控硅模塊品牌
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雙向可控硅的檢測(cè)
用萬(wàn)用表電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳正反向電阻,結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無(wú)窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí),該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽(yáng)極A1和控制極G,另一空腳即為第二陽(yáng)極A2。確定A、G極后,再仔細(xì)測(cè)量A1、G極間正反向電阻,讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為陽(yáng)極A1,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽(yáng)極A2,紅表筆接陽(yáng)極A1,此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無(wú)窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發(fā)電壓,A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G極短接線,萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?;Q紅黑表筆接線,紅表筆接第二陽(yáng)極A2,黑表筆接陽(yáng)極A1。同樣萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無(wú)窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接,給G極加上負(fù)向的觸發(fā)電壓,A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G極間短接線,萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)不變,保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律,說(shuō)明被測(cè)雙向可控硅管未損壞且三個(gè)引腳極性判斷正確。
檢測(cè)較大功率可控硅管是地,需要在萬(wàn)用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池,以提高觸發(fā)電壓。 天津可控硅模塊廠家
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