威海反并聯(lián)晶閘管模塊批發(fā)

晶閘管模塊的類型

晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

根據(jù)封裝工藝的不同，晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。

晶閘管模塊可分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）；普通整流模塊（MDC）；普通晶閘管、整流混合模塊（MFC）；快速晶閘管、整流混合模塊（MKC\MZC）；非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（通常稱為電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）；三相整流橋輸出晶閘管模塊（MDS）；單相（三相）整流橋模塊（MDQ）；單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）。 正高電氣與廣大客戶攜手并進(jìn)，共創(chuàng)輝煌！威海反并聯(lián)晶閘管模塊批發(fā)

晶閘管模塊也被稱為晶體閘流管，也被稱為可控硅模塊：它是一種功率半導(dǎo)體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、使用壽命長(zhǎng)、體積小等優(yōu)點(diǎn)。它是弱電控制與受控強(qiáng)電之間的橋梁。從節(jié)能的角度看，電力電子技術(shù)被稱為新的電氣技術(shù)。我國(guó)能源利用率相對(duì)較低。按國(guó)民生產(chǎn)單位產(chǎn)值能耗計(jì)算。因此，所以晶閘管為**的電控裝置是我國(guó)有效節(jié)能的重要措施。

晶閘管模塊是過(guò)去市場(chǎng)上常用的一種集成模塊。根據(jù)不同的電流規(guī)格，它可以形成各種形式和電流規(guī)格的電路。MTC模塊是一種單臂橋式模塊。根據(jù)芯片電流規(guī)格，它可以形成三個(gè)不同功率的（單）交（整）流電路。 威海反并聯(lián)晶閘管模塊批發(fā)正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項(xiàng)對(duì)制造、檢測(cè)、試驗(yàn)裝置進(jìn)行技術(shù)改造。

    在快速無(wú)功補(bǔ)償和諧波濾波裝置中，要用晶閘管投切電容器TSC，。執(zhí)行元件晶閘管根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的不同，有餅式的、模塊的和雙向可控硅的不同結(jié)構(gòu)型式。針對(duì)不同的主回路和不同的晶閘管型式，觸發(fā)電路也不同。TSC要求在晶閘管電壓過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，確定晶閘管電壓過(guò)零點(diǎn)的方法有兩種，一種是從電網(wǎng)電壓取得同步信號(hào)，另一種是從晶閘管的陽(yáng)極和陰極取得過(guò)零信號(hào)。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關(guān)鍵技術(shù)是必須做到投切時(shí)無(wú)電流沖擊。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開，無(wú)沖擊電流；2.光電隔離，抗干擾能力強(qiáng)，響應(yīng)時(shí)間＜15ms；3.德國(guó)經(jīng)典觸發(fā)及保護(hù)電路，全正弦波切換，運(yùn)行安全無(wú)諧波；4.特有**散熱片，無(wú)軸流風(fēng)機(jī)，主動(dòng)散熱，運(yùn)行無(wú)噪聲，組件免維護(hù)，使用壽命長(zhǎng)；5.內(nèi)置過(guò)溫（85℃）保護(hù)；6.三色LED信號(hào)燈分別顯示開關(guān)通電狀態(tài)、運(yùn)行狀態(tài)、故障狀態(tài)；7.兼容性強(qiáng)，可與全球各種規(guī)格無(wú)功補(bǔ)償控制器配套；8.導(dǎo)通壓降低，開關(guān)損耗小，降低用戶能耗。

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接，并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述晶閘管單元包括：壓塊7、門極壓接式組件8、導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中，所述壓塊7設(shè)置于所述門極壓接式組件8上，并通過(guò)所述門極壓接式組件8對(duì)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力，所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接。正高電氣以誠(chéng)信為根本，以質(zhì)量服務(wù)求生存。

    晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽(yáng)極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時(shí)，允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，晶閘管正常工作時(shí)A、K(或T1、T2)極間所允許通過(guò)電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下，晶閘管陽(yáng)極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時(shí)，允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。正高電氣永遠(yuǎn)是您身邊的行業(yè)**！威海反并聯(lián)晶閘管模塊批發(fā)

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    六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，當(dāng)通過(guò)晶閘管的電流為額定電流時(shí)，其陽(yáng)極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽(yáng)極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的**小門極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT門極觸發(fā)電流IGT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽(yáng)極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的**小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓，一般不超過(guò)10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的**小電流。當(dāng)正向電流小于IH時(shí)，導(dǎo)通的晶閘管會(huì)自動(dòng)關(guān)斷。(十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR，是指晶閘管在斷態(tài)下的正向比較大平均漏電電流值，一般小于100μA(十二)晶閘管反向重復(fù)峰值電流IRRM反向重復(fù)峰值電流IRRM，是指晶閘管在關(guān)斷狀態(tài)下的反向比較大漏電電流值，一般小于100μA。威海反并聯(lián)晶閘管模塊批發(fā)

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