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晶閘管模塊的工作原理

在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。

從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程：

晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。

當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時(shí)，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí)，兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的正反饋，從而導(dǎo)致兩個(gè)晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。 正高電氣從國內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。內(nèi)蒙古集成智能調(diào)壓模塊廠家

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但應(yīng)當(dāng)說明的是，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接，并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述晶閘管單元包括：壓塊7、門極壓接式組件8、導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中，所述壓塊7設(shè)置于所述門極壓接式組件8上，并通過所述門極壓接式組件8對(duì)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力，所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接。內(nèi)蒙古穩(wěn)流模塊品牌正高電氣銳意進(jìn)取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。

    硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時(shí)，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示。因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù)，標(biāo)稱電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。

    AA）替代國外模塊型號(hào)ZX5WSMNBK雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG（AA）60A/400V三社（SanRex）PWB60A；三菱（MITSUBI）TM60SZ-M；TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG（AA）80A/400VSanRexPWB90A；MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達(dá)PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG（AA）130A/400VSanRexPWB130A；MITSUBITM130SZ-M；英達(dá)PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG（AA）160A/400VMITSUBITM150SZ-M；英達(dá)PFT1503NMTG300A/800VMTG（AA）200A/400VSanRexPWB200AA；MITSUBITM200SZ-M英達(dá)PFT2003N；注：上表中MTG型為普通壓降模塊；MTG（AA）為低電壓低導(dǎo)通壓降型模塊。l焊機(jī)用模塊電流和電壓計(jì)算：我公司MTG、MTG（AA）焊機(jī)**模塊可以使用在很多不同型號(hào)規(guī)格的焊機(jī)中，如ZX5普通焊機(jī)；WSM直流氬弧焊機(jī)；NBKCO2氣體保護(hù)焊機(jī)。這些焊機(jī)目前都采用流行的雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路形式，如下圖：（雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路）2該線路相當(dāng)于正極性和反極性兩組三相半波整流電路并聯(lián)。每只晶閘管的比較大導(dǎo)通角為120o，負(fù)載電流Id同時(shí)由兩個(gè)晶閘管和兩個(gè)變壓器繞組供給，每只管子承擔(dān)1/6的Id，任何瞬時(shí)，正，負(fù)極性組均有一支電路導(dǎo)通工作。2該線路提高了變壓器利用率。正高電氣企業(yè)價(jià)值觀：以人為本，顧客滿意，溝通合作，互惠互利。

晶閘管模塊電流規(guī)格的選取

1、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取

（1）電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍。

（2）感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍。

（3）負(fù)載電流變化較大時(shí)，電流倍數(shù)適當(dāng)增大。

（4）在運(yùn)行過程中，負(fù)載的實(shí)際工作電流不應(yīng)超過模塊的較大電流。

2、散熱器風(fēng)機(jī)的選用

模塊正常工作時(shí)必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)。如果用戶是自己提供的，則使用以下原則來選擇：

（1）模塊正常工作時(shí)，必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃；

（2）當(dāng)模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻；

（3） 有水冷條件的，應(yīng)優(yōu)先水冷散熱 。

3、使用要求

（1）工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃；

（2）模塊周圍需要干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。

（3）模塊電極上的銅線嚴(yán)禁不用端子直接壓接，以免接觸不良引起附加發(fā)熱。

（4）應(yīng)經(jīng)常測(cè)量固體繼電器導(dǎo)熱襯底側(cè)或固態(tài)繼電器附近散熱器的表面溫度，測(cè)點(diǎn)溫度應(yīng)小于80℃。 正高電氣是多層次的模式與管理模式。內(nèi)蒙古工業(yè)電爐單相整流調(diào)壓模塊

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    產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí)，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號(hào)觸發(fā)之后，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路。不僅使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn)。內(nèi)蒙古集成智能調(diào)壓模塊廠家

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