聊城MTDC55晶閘管智能模塊組件

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-11-29

    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值,考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,因此,額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量:三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護(hù)晶閘管在電流通過時(shí),會(huì)產(chǎn)生一定的壓降,而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗,電流越大則功耗越大,產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí),一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞,是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀,而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時(shí)候盡量選擇帶過熱保護(hù)功能的模塊。當(dāng)然,即便模塊帶過熱保護(hù)功能,而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的。在使用中,當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí),如室溫超過40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等,則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用,否則模塊會(huì)由于芯片結(jié)溫超過允許值而損壞。譬如。正高電氣產(chǎn)品**國內(nèi)。聊城MTDC55晶閘管智能模塊組件

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晶閘管智能模塊過流保護(hù):

加熱爐在實(shí)際工作中因加熱絲溫度上升,會(huì)導(dǎo)致加熱絲變形,如果加熱絲沒有采取良好的固定措施,會(huì)慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊,形成短路,短路后會(huì)使電流增大,電流過大后會(huì)超過模塊的額定電流,燒毀模塊,為了限制電流過大,必須采取過流保護(hù)措施,一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來限制比較大電流,熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流,必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流,快速熔斷器額定電流過大將起不到保護(hù)作用。 聊城MTDC55晶閘管智能模塊組件正高電氣重信譽(yù)、守合同,嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān),熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察,洽談業(yè)務(wù)!

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    由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過程中,正向電壓下降到零時(shí),內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時(shí)反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L(di/dt)值仍很大,這個(gè)電勢(shì)與電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,稱為關(guān)斷過電壓,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無感電阻,以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。

    過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù),建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡(jiǎn)單常用的方法,介紹如下:(1)快速熔斷器的選擇:①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓;②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的,按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。(2)接線方法:快速熔斷器接在模塊的輸入端,負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差,當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時(shí),即使時(shí)間很短,也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓,會(huì)引起晶閘管硬開通,它不僅使電路工作失常,且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低,甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù),推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。(1)阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí),和開關(guān)電路一樣,因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會(huì)產(chǎn)生過電壓。正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù),全過程滿足客戶的***需求。

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晶閘管智能模塊的基本組成

晶閘管芯片以不同的形式連接,并與觸發(fā)控制系統(tǒng)集成??尚纬蓡蜗嗪腿嘟涣髡餍问?。該模塊的直流控制電源信號(hào)可由手動(dòng)、儀表或微機(jī)控制。

主要結(jié)果如下:(1)選用進(jìn)口(DCB)陶瓷銅層壓板、金屬M(fèi)o片、純銅導(dǎo)熱基板等材料實(shí)現(xiàn)無間隙焊接,絕緣性能好,導(dǎo)熱系數(shù)高,熱循環(huán)次數(shù)比國家標(biāo)準(zhǔn)高10倍。

(2)采用進(jìn)口方形芯片,電連接部分采用高分子復(fù)合材料作為支撐板和連接橋,使模塊工作壓降低、功耗低、熱阻小、工作效率高。

(3)均采用品牌貼片元件,自行設(shè)計(jì)的10位A/D**數(shù)字觸發(fā)電路,高集成觸發(fā)控制系統(tǒng),在電感和電容負(fù)載條件下具有一定優(yōu)勢(shì),輸出電壓對(duì)稱性好,無相序接入要求。

(4)觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離,絕緣電壓大于2500V,可以保證人身和設(shè)備使用安全。

(5)該模塊以輸入直流0-5V、0-10V和4-20mA控制三種不同的控制信號(hào),以滿足用戶的不同控制模式。

(6)輸出電壓不對(duì)稱度小于2%,輸出電壓不穩(wěn)定度小于0.5%。 正高電氣用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和規(guī)范的質(zhì)量管理,打造優(yōu)良的產(chǎn)品!聊城MTDC55晶閘管智能模塊組件

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    以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。目前,GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對(duì)陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測(cè)量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值。聊城MTDC55晶閘管智能模塊組件

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