吉林反并聯(lián)可控硅模塊哪家好

來源: 發(fā)布時間:2023-05-01

接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,如出現正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。 淄博正高電氣有限公司傾城服務,確保產品質量無后顧之憂。吉林反并聯(lián)可控硅模塊哪家好

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雙向可控硅的檢測

用萬用表電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻,結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時,該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽極A1和控制極G,另一空腳即為第二陽極A2。確定A、G極后,再仔細測量A1、G極間正反向電阻,讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽極A1,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽極A2,紅表筆接陽極A1,此時萬用表指針應不發(fā)生偏轉,阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發(fā)電壓,A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G極短接線,萬用表讀數應保持10歐姆左右?;Q紅黑表筆接線,紅表筆接第二陽極A2,黑表筆接陽極A1。同樣萬用表指針應不發(fā)生偏轉,阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接,給G極加上負向的觸發(fā)電壓,A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線,萬用表讀數應不變,保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律,說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳極性判斷正確。

檢測較大功率可控硅管是地,需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池,以提高觸發(fā)電壓。 吉林反并聯(lián)可控硅模塊哪家好淄博正高電氣有限公司擁有業(yè)內**人士和高技術人才。

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斷一個可控硅元件是否完好,工程師需要從四個方面進行檢查,首先是判斷該元件的三個PN結應完好,其次是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導通,第三是當控制極開路時,陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通,第四是給控制極加上正向電流,給陰極與陽極加正向電壓時,可控硅應當導通,把控制極電流去掉后仍處于導通狀態(tài)。滿足以上四個條件的可控硅元件,才是符合設計使用要求的。

  想要看一個可控硅元件是否符合以上要求,其實非常簡單,只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,就可對**個方面的好壞進行判斷。具體的操作方法是:用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個阻值均應很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經擊穿短路或已經開路,此可控硅不能使用了。

可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件,有三個電極,陽極a,陰極K和控制機G所構成的。

可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹:

可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、**等各類電氣控制、電源等,根據還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,實現穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能,并可實現過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。 淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評及厚愛。

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任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法:

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行,也可單獨進行,被測減速機在符合規(guī)定時,讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度

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雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通,即使失去觸發(fā)電壓,也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當***陽極A1、第二陽極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時,雙向可控硅才截斷,此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。

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