淄博MTDC750晶閘管智能模塊

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-16

晶閘管智能模塊的選擇

晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關(guān)鍵的功率器件,整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系,選型的原則是考慮工作可靠性,即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V,選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊,其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對(duì)晶閘管智能模塊電流的選擇,必須考慮加熱爐爐絲(或加熱件)的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值,如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化,開機(jī)時(shí)溫度很低,額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí),額定電流會(huì)很大或加熱到比較高溫度時(shí),額定電流會(huì)很大),必須考慮加熱絲整個(gè)工作狀態(tài)的比較大電流值,作為加熱絲的額定電流值來(lái)確定晶閘管智能模塊的規(guī)格大小。 正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù),全過程滿足客戶的***需求。淄博MTDC750晶閘管智能模塊

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    并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3,當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時(shí),式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導(dǎo)通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于a1和a1迅速下降,當(dāng)1-(a1+a2)≈0時(shí),晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)??申P(guān)斷晶閘管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)為,當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及,普通晶閘管(SCR)靠門極正信號(hào)觸發(fā)之后,撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,必須切斷電源,使正向電流低于維持電流IH,或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路,不僅使設(shè)備的體積重量增大,而且會(huì)降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn),它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)。聊城MTDC500晶閘管智能模塊哪家好正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié),保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問題。

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    而稱之為主電極T1、T2。[15]檢測(cè)單向晶閘管:萬(wàn)用表置于“R×10Ω”擋,黑表筆接控制極G,紅表筆接陰極K,測(cè)量其正向電阻,應(yīng)有較小的阻值。對(duì)調(diào)兩表筆測(cè)其反向電阻,應(yīng)比正向電阻明顯大一些。測(cè)量控制極G與陽(yáng)極A之間的正、反向電阻,均應(yīng)為無(wú)窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián),不論正、反向均不應(yīng)導(dǎo)通,否則晶閘管已壞。[16]檢測(cè)雙向晶閘管:萬(wàn)用表置于“R×1Ω”擋,兩表筆測(cè)量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻,均應(yīng)為較小阻值。測(cè)量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻,均應(yīng)為無(wú)窮大。[17]檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性:萬(wàn)用表置于“R×1Ω”擋,黑表筆接陽(yáng)極A,紅表筆接陰極K,表針指示應(yīng)為無(wú)窮大。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽(yáng)極A短接一下(短接后即斷開),表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。檢測(cè)雙向晶閘管導(dǎo)通特性:黑表筆接主電極T1,紅表筆接主電極T2,表針指示應(yīng)為無(wú)窮大。將控制極G與主電極T2短接一下,表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說明晶閘管已損壞。[18]晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)的作用,并具有體積小、重量輕、功耗低、效率高、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

    檢測(cè)兩基極間電阻:兩表筆(不分正、負(fù))接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)管腳,讀數(shù)應(yīng)為3~10kΩ。[7]檢測(cè)PN結(jié)正向電阻(N基極管為例,下同):黑表筆接發(fā)射極E,紅表筆分別接兩個(gè)基極,讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對(duì)調(diào)兩表筆后檢測(cè)PN結(jié)反向電阻,讀數(shù)均應(yīng)為無(wú)窮大。如果測(cè)量結(jié)果與上述不符,說明被測(cè)單結(jié)管已損壞。[8]測(cè)量單結(jié)晶體管的分壓比η:按圖示搭接一個(gè)測(cè)量電路,用萬(wàn)用表“直流10V”擋測(cè)出C2上的電壓UC2,再按公式η=UC2/UB計(jì)算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路,包括振蕩器、波形發(fā)生器等,并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡(jiǎn)化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波,基極輸出窄脈沖,第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路,改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/(1-η)],式中,ln為自然對(duì)數(shù),即以e()為底的對(duì)數(shù)。[10]單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺(tái)燈電路。在交流電的每半周內(nèi),晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導(dǎo)通,調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時(shí)間,即改變了VS的導(dǎo)通角,從而改變了流過燈泡EL的電流,實(shí)現(xiàn)了調(diào)光的目的。[11]晶體閘流管簡(jiǎn)稱為晶閘管,也叫做可控硅。公司實(shí)力雄厚,產(chǎn)品質(zhì)量可靠。

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晶閘管模塊使用注意事項(xiàng)

科學(xué)合理的選型和適當(dāng)?shù)木S護(hù)可有效延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命,用戶可參考以下標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品的維護(hù)和保養(yǎng):

(1)初次使用該產(chǎn)品的用戶一定要熟讀說明書,了解產(chǎn)品的基本情況和使用方法;

(2)在產(chǎn)品選型時(shí)根據(jù)使用條件按標(biāo)準(zhǔn)要留出足夠的電流余量,并保證足夠的散熱條件。

(3)工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃;

(4)模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無(wú)塵、無(wú)腐蝕性液體和氣體;

(5)模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用,為保證安全,模塊前面需加空氣開關(guān);

(6)模塊各緊固螺釘一定要擰緊,避免因接觸不良導(dǎo)致次生熱量產(chǎn)生,且會(huì)降低通過的電流量。初次使用應(yīng)在工作一段時(shí)間后(建議8小時(shí)之內(nèi))再把同模塊連接的所有螺釘緊固一遍;

(7)模塊基板底部的導(dǎo)熱硅脂建議三至四個(gè)月更換一次,或采用導(dǎo)熱墊,可有效延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命。

(8)電網(wǎng)電壓不穩(wěn)定或電流變化大的場(chǎng)所一定要在產(chǎn)品輸入端安裝快速熔斷器或加裝穩(wěn)流穩(wěn)壓板。 正高電氣擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備,雄厚的技術(shù)力量。山東MTAC260晶閘管智能模塊哪家好

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晶閘管智能模塊的輸出特性

模塊的控制電壓與控制角α的關(guān)系因負(fù)載性質(zhì)和電路形式的不同而有所區(qū)別:

單相交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~ 180°,控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V~9.5V。

單相整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~180°,控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V~9.5V;感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°~90°,控制電壓對(duì)應(yīng)于5V~9.5V。

三相全控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~120°,控制電壓對(duì)應(yīng)2V~8V;感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°~90°,控制電壓對(duì)應(yīng)于3.5V~8V。

三相半控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~180°,控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V~9.5V。

三相全控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~150°,控制電壓對(duì)應(yīng)1.5V~9V。

三相半控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~210°,控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V~9.5V。

三相整流充放電模塊逆變放電時(shí),α有效范圍為90°~180°,控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V~5V;整流充電時(shí),α有效范圍為0°~90°,控制電壓對(duì)應(yīng)5V~9.5V。

注:交流調(diào)壓模塊用于感性負(fù)載時(shí)α應(yīng)大于負(fù)載阻抗角Ψ,即α≥Ψ;當(dāng)α≤Ψ時(shí),模塊已輸出較大電壓,且不再隨α的改變而變化。 淄博MTDC750晶閘管智能模塊

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