遼寧大功率可控硅模塊價(jià)格

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-04-11

可控硅模塊主要優(yōu)點(diǎn)如下:

(1)采用進(jìn)口方形可控硅支撐板,降低了可控硅模塊的電壓,功耗低,效率高,節(jié)能效果好。

(2)采用進(jìn)口插入元件,保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。

(3)(DCB)陶瓷銅板采用獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝,保證了晶閘管組件的焊接層無空腔,導(dǎo)熱性好。

(4)導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。

(5)觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離,導(dǎo)熱基板不帶電,介電強(qiáng)度≥2500V,保證安全。

(6)通過輸入0-10V直流控制信號(hào),可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。

(7)可采用手動(dòng)控制、儀表控制或微機(jī)控制。

(8)適用于電阻和電感負(fù)載。 淄博正高電氣有限公司重信譽(yù)、守合同,嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān),熱誠(chéng)歡迎廣大用戶前來咨詢考察,洽談業(yè)務(wù)!遼寧大功率可控硅模塊價(jià)格

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單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。 濰坊小功率可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司團(tuán)隊(duì)從用戶需求出發(fā)。

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可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí),其線圈中的電流通路被切斷,其變化率極大,因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓,這個(gè)電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端,然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上,并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,這種脈沖具有很高的幅度,很寬的頻率,因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。

導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系:山東可控硅模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的器強(qiáng)大電流有直接關(guān)系,模塊的標(biāo)稱電流是強(qiáng)大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的強(qiáng)大電流。在小導(dǎo)通角(輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?,但電流的有效值很小(直流儀表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽螅雽?dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,山東可控硅模塊應(yīng)選擇在強(qiáng)大導(dǎo)通角的65%以上工作,及控制電壓應(yīng)在5V以上。淄博正高電氣有限公司真誠(chéng)希望與您攜手、共創(chuàng)輝煌。

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可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久,它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優(yōu)勢(shì),使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,下面正高來詳細(xì)的說下可控硅模塊。


可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。濰坊小功率可控硅模塊配件

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雙向可控硅晶閘管使用中,應(yīng)特別注意以下事項(xiàng):


1.靈敏度

雙向可控硅是一個(gè)三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,但是觸發(fā)靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多,但是它過載能力差,短時(shí)間的過流,過壓都會(huì)造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:

(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,否則控制極將不起作用;

(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來??;

(3)為保證控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護(hù)措施,一般對(duì)過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時(shí)間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。


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