江蘇本地槽式清洗機(jī)報(bào)價(jià)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-02-27

晶圓槽式清洗設(shè)備是一種用于半導(dǎo)體行業(yè)的設(shè)備,用于對(duì)晶圓進(jìn)行清洗和表面處理。以下是晶圓槽式清洗設(shè)備的一些特點(diǎn):攪拌和超聲波:為了加強(qiáng)清洗效果,晶圓槽式清洗設(shè)備通常配備了攪拌和超聲波功能。攪拌可以使清洗液在槽內(nèi)均勻分布,提高清洗效率。超聲波則可以通過(guò)波動(dòng)產(chǎn)生的微小氣泡來(lái)去除晶圓表面的污染物。氣體供應(yīng)系統(tǒng):在清洗過(guò)程中,可能需要供應(yīng)氣體以調(diào)節(jié)清洗液的成分和pH值,或者用于干燥晶圓。晶圓槽式清洗設(shè)備通常配備了氣體供應(yīng)系統(tǒng),包括氣體輸送管道、壓力控制裝置和噴嘴等。高純水供應(yīng):清洗過(guò)程中,需要使用高純度的去離子水(DI水)對(duì)晶圓進(jìn)行漂洗,以去除清洗液殘留和離子污染。晶圓槽式清洗設(shè)備通常配備了高純水供應(yīng)系統(tǒng),以確保提供足夠的高純水進(jìn)行漂洗??啥ㄖ菩裕壕A槽式清洗設(shè)備通常具有一定的可定制性,可以根據(jù)客戶(hù)的需求進(jìn)行特定的設(shè)計(jì)和配置。例如,可以根據(jù)晶圓尺寸、清洗液類(lèi)型和工藝要求等進(jìn)行定制。我司槽式清洗設(shè)備采用先進(jìn)的傳感技術(shù),確保生產(chǎn)過(guò)程無(wú)誤!江蘇本地槽式清洗機(jī)報(bào)價(jià)

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濕法清洗——物理方法

物理清洗方法:物理方法通常作為輔助方法,結(jié)合化學(xué)液實(shí)現(xiàn)更好的清洗效果。物理清洗方法包括機(jī)械刷洗法、超聲波/兆聲波清洗法、二流體清洗法、旋轉(zhuǎn)噴淋法等。當(dāng)今半導(dǎo)體清洗工藝,化學(xué)藥液基本相同,輔助的物理方法往往成為不同工藝的主要差別,也成為半導(dǎo)體清洗工藝的難點(diǎn)。

超聲波/兆聲波清洗:超聲波常被用作一種輔助的能量來(lái)源,它可以配合SC1等藥液,加強(qiáng)清洗效果。其原理是超聲波通過(guò)清洗液體傳播,液體中的氣泡在聲波的驅(qū)動(dòng)下,會(huì)快速的變大變小,產(chǎn)生沖擊力,從而驅(qū)動(dòng)顆粒脫離硅片表面。但當(dāng)振幅很大時(shí),有些氣泡會(huì)破裂,在局部產(chǎn)生非常大的沖擊力。

超聲波的頻率是重要的參數(shù),頻率越低,氣泡破裂的可能性越大,沖擊力越大;頻率越高,氣泡振幅越小,來(lái)不及破裂就進(jìn)入縮小周期,同時(shí)也減少了氣泡數(shù)量,降低了沖擊力。通常將頻率20-40kHz稱(chēng)為超聲波清洗,1-4MHz工藝頻率稱(chēng)為兆聲波清洗。隨著特征尺寸的減小,沖擊力大容易導(dǎo)致圖形倒塌,因此常用的頻率為1-4MHZ,以保持適當(dāng)?shù)臎_擊力。 湖北國(guó)產(chǎn)槽式清洗設(shè)備一臺(tái)多少錢(qián)江蘇芯夢(mèng)的槽式清洗設(shè)備操作簡(jiǎn)便,適用于各種生產(chǎn)場(chǎng)景,提高效率!

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下面是一般晶圓槽式清洗設(shè)備的工藝流程示例:準(zhǔn)備工作:將晶圓放置在晶圓載具上,確保晶圓的安全固定。檢查清洗設(shè)備的狀態(tài)和工作條件,確保設(shè)備正常運(yùn)行。準(zhǔn)備所需的清洗液和處理液,并確保它們符合規(guī)格要求。預(yù)洗:將晶圓載具放入預(yù)洗槽中,確保晶圓完全浸沒(méi)在預(yù)洗液中。打開(kāi)預(yù)洗槽的攪拌或超聲波功能,以增強(qiáng)清洗效果。設(shè)置適當(dāng)?shù)念A(yù)洗時(shí)間和溫度,根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整。預(yù)洗的目的是去除晶圓表面的雜質(zhì)和粗污染物。主洗:將晶圓載具從預(yù)洗槽中轉(zhuǎn)移到主洗槽中。確保晶圓完全浸沒(méi)在主洗液中,并調(diào)整液位以覆蓋晶圓表面。打開(kāi)主洗槽的攪拌或超聲波功能,以增強(qiáng)清洗效果。設(shè)置適當(dāng)?shù)闹飨磿r(shí)間和溫度,根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整。主洗的目的是徹底去除晶圓表面的細(xì)微污染物和有機(jī)殘留物。漂洗:將晶圓載具從主洗槽中轉(zhuǎn)移到漂洗槽中。確保晶圓完全浸沒(méi)在漂洗液中,并調(diào)整液位以覆蓋晶圓表面。打開(kāi)漂洗槽的攪拌功能,以幫助去除主洗液殘留。設(shè)置適當(dāng)?shù)钠磿r(shí)間和溫度,根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整。漂洗的目的是去除主洗液殘留和準(zhǔn)備下一步的處理。


高價(jià)值、高毛利,芯片良率的重要保障。半導(dǎo)體清洗設(shè)備是芯片制造良率的重要保障,主要分為單片設(shè)備和槽式設(shè)備兩類(lèi)。在40nm及以下的先進(jìn)工藝中,單片清洗設(shè)備憑借無(wú)交叉污染和良率優(yōu)勢(shì),已替代槽式設(shè)備成為主流。不同的清洗方法往往構(gòu)成不同設(shè)備廠家的核心競(jìng)爭(zhēng)力,江蘇芯夢(mèng)通過(guò)發(fā)明對(duì)各自的技術(shù)路線進(jìn)行保護(hù)。對(duì)于同一類(lèi)型、相同清洗方法的設(shè)備而言,不同的硬件組合和工藝方案,也會(huì)產(chǎn)生明顯的設(shè)備性能差別。清洗設(shè)備單臺(tái)價(jià)值量和利潤(rùn)率均非常高??靵?lái)體驗(yàn)這款產(chǎn)品帶來(lái)的驚喜吧!

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晶圓槽式清洗設(shè)備是在半導(dǎo)體和電子制造領(lǐng)域中使用的設(shè)備,用于對(duì)晶圓(也稱(chēng)為硅片)進(jìn)行清洗和表面處理,以確保其質(zhì)量和可靠性。該設(shè)備采用多槽設(shè)計(jì),每個(gè)槽都有不同的功能和處理步驟,以滿(mǎn)足不同的清洗要求。

晶圓槽式清洗設(shè)備具有高度自動(dòng)化、多槽設(shè)計(jì)和靈活性,可根據(jù)不同的清洗要求進(jìn)行定制。它們廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、集成電路生產(chǎn)、光伏產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域,以確保晶圓的質(zhì)量和表面純凈度,滿(mǎn)足品質(zhì)和高性能產(chǎn)品的要求。

總的來(lái)說(shuō),晶圓槽式清洗設(shè)備具有多槽設(shè)計(jì)、自動(dòng)化操作、溫度控制、攪拌和超聲波功能、氣體供應(yīng)系統(tǒng)、高純水供應(yīng)和可定制性等特點(diǎn),以滿(mǎn)足半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)晶圓清洗的高要求。


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工藝性能規(guī)格:粘附顆粒數(shù):10顆/晶圓(大于0.15um)以下,但受用戶(hù)整體設(shè)備影響。

金屬污染:非保修項(xiàng)目

蝕刻均勻度:非保修項(xiàng)目

設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力:清洗設(shè)備的每個(gè)單元都是模塊化定制,可實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn),降低客戶(hù)的整體成本。工藝流程包括線鋸后清洗、研磨后清洗、堿蝕清洗、DSP清洗。其中線鋸后清洗、DSP清洗有長(zhǎng)達(dá)30年以上制造經(jīng)驗(yàn)。一般來(lái)說(shuō),晶圓清洗,如果φ300mm晶圓表面的顆粒多于10個(gè),則被認(rèn)為是NG(不良),粒徑為0.1μm或更大。

特色:

高周轉(zhuǎn)性:槽與槽之間搬運(yùn)可實(shí)現(xiàn)在短時(shí)間搬運(yùn)和短距離的控制系統(tǒng)兼容。

可維護(hù)性:考慮可維護(hù)性的零件布局。

設(shè)備設(shè)計(jì):基于豐富實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的工藝優(yōu)化設(shè)計(jì)。豐富業(yè)績(jī)經(jīng)驗(yàn):根據(jù)客戶(hù)的需求提供合適的定制設(shè)備。

對(duì)應(yīng)工藝:線鋸后清洗、研磨后清洗、堿性蝕刻清洗、熱處理前清洗、熱處理后清洗、拋光后清洗。 江蘇本地槽式清洗機(jī)報(bào)價(jià)