晶圓尺寸：φ200mm?φ300mm
晶圓材質(zhì)：硅（碳化硅等化合物半導(dǎo)體需要另外討論規(guī)格參數(shù)。）
處理槽及組成：根據(jù)生產(chǎn)線配置另外討論規(guī)格參數(shù)
HEPA或ULPA：數(shù)量由配置決定
機(jī)器人：菲科半導(dǎo)體提供：垂直軸（AC伺服驅(qū)動(dòng)）+行走軸（AC伺服驅(qū)動(dòng)）+卡盤機(jī)構(gòu)（氣動(dòng)）
藥液：O??HF?NCW?KOH?NH?OH?H?O??HCL?EDTA?HCL?Citric Acid?DIW
藥液溫度：可對(duì)應(yīng)100℃
藥液槽：擺錘擺動(dòng)?旋轉(zhuǎn)?超聲波
沖洗槽：鼓泡、QDR、電阻率計(jì)安裝LD＆ULD：離子發(fā)生器（可選）
干燥：熱水提取?紅外?旋轉(zhuǎn)干燥?Marangoni
程序單元：純水、氮?dú)猓ㄓ糜诳諝鈧鞲衅鳎?、潔凈空氣、電源、真空（用于傳輸?
選配設(shè)備：臭氧發(fā)生設(shè)備 江蘇芯夢(mèng)，值得你的信賴！湖南集成電路槽式清洗設(shè)備按需定制
槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備
設(shè)備類型:Cassetteless-type
晶圓尺寸:300mm
設(shè)備配置:8~12個(gè)槽體2~6個(gè)Robot(可定制)可搭載先進(jìn)超聲波兆聲波槽體過(guò)溫保護(hù),各Module配置漏液傳感器多級(jí)Wafer保護(hù)措施支持化學(xué)液CCSS/LCSS自動(dòng)換酸,自動(dòng)補(bǔ)液、配液( 可兼容多種濃度配比)先進(jìn)Marangoni干燥加熱控制，濃度控制，流量控制，壓力控制化學(xué)液/水,直排&回收
可靠性能；Uptime>95% Breakage<1/100000 MTBF>650 hours MTTR<3 hours
軟件控制:PC+PLC+GUI 控制,支持Schedule、EAP、FDC等功能 整套槽式清洗機(jī)芯夢(mèng)產(chǎn)品采用智能化設(shè)計(jì)，滿足你對(duì)生產(chǎn)的多重需求！
晶圓制造工藝復(fù)雜，擁有很多工序，不同工序中使用了不同的化學(xué)材料，通常會(huì)在晶圓表面殘留化學(xué)劑、顆粒、金屬等雜質(zhì)，如果不及時(shí)清洗干凈，會(huì)隨著生產(chǎn)制造逐漸累積，影響質(zhì)量。在晶圓制造工藝中，一般存在五個(gè)清洗步驟，分別是顆粒去除清洗、刻蝕后清洗、預(yù)擴(kuò)散清洗、金屬離子去除清洗和薄膜去除清洗。因此，作為清洗工藝的基礎(chǔ)，清洗設(shè)備成為了制程發(fā)展的關(guān)鍵。
按照清洗方式的不同，清洗設(shè)備可分為兩種，分別是單片式和槽式。
單片式清洗機(jī)是由幾個(gè)清洗腔體組成，再通過(guò)機(jī)械手將每一片晶圓送至各個(gè)腔體中進(jìn)行單獨(dú)的噴淋式清洗，清洗效果較好，避免了交叉污染和前批次污染后批次，但缺點(diǎn)是清洗效率較低，成本偏高。
關(guān)鍵應(yīng)用；
前清洗；用于爐管前清洗工藝 清洗液 DHF +SPM + SC1 + SC2 + IPA dry
RCA清洗；用于RCA清洗工藝 清洗液 DHF +SPM +SC1 +SC2 +IPA dry
濕法去膠；用于干法刻蝕工藝后光刻膠去除工藝 清洗液 DHF +SPM + SC1 +IPA dry
氧化物濕法刻蝕；用于氧化物濕法刻蝕或去除工藝 清洗液 HF or BOE +SC1+IPA dry
氮化硅膜層去除；用于氧化硅膜層濕法去除工藝，并控制SIN/oxide選擇比 清洗液 DHF+H3PO4+SC1+IPAdry
前段poly/oxide去除；用于控片回收處理，剝離去除不同的金屬或非金屬膜層 清洗液 HF/HNO3 +HF + SC1 + SC2 +IPA dry
后段金屬膜層去除； 用于控片回收處理，剝離去除不同的金屬或非金屬膜層 清洗液SPM +HF +SC1 +IPA dry 江蘇芯夢(mèng)半導(dǎo)體的槽式清洗設(shè)備采用先進(jìn)技術(shù)，幫助你輕松提升產(chǎn)能！
晶圓槽式清洗設(shè)備是一種用于半導(dǎo)體行業(yè)的設(shè)備，用于對(duì)晶圓進(jìn)行清洗和表面處理。以下是晶圓槽式清洗設(shè)備的一些特點(diǎn)：攪拌和超聲波：為了加強(qiáng)清洗效果，晶圓槽式清洗設(shè)備通常配備了攪拌和超聲波功能。攪拌可以使清洗液在槽內(nèi)均勻分布，提高清洗效率。超聲波則可以通過(guò)波動(dòng)產(chǎn)生的微小氣泡來(lái)去除晶圓表面的污染物。氣體供應(yīng)系統(tǒng)：在清洗過(guò)程中，可能需要供應(yīng)氣體以調(diào)節(jié)清洗液的成分和pH值，或者用于干燥晶圓。晶圓槽式清洗設(shè)備通常配備了氣體供應(yīng)系統(tǒng)，包括氣體輸送管道、壓力控制裝置和噴嘴等。高純水供應(yīng)：清洗過(guò)程中，需要使用高純度的去離子水（DI水）對(duì)晶圓進(jìn)行漂洗，以去除清洗液殘留和離子污染。晶圓槽式清洗設(shè)備通常配備了高純水供應(yīng)系統(tǒng)，以確保提供足夠的高純水進(jìn)行漂洗。可定制性：晶圓槽式清洗設(shè)備通常具有一定的可定制性，可以根據(jù)客戶的需求進(jìn)行特定的設(shè)計(jì)和配置。例如，可以根據(jù)晶圓尺寸、清洗液類型和工藝要求等進(jìn)行定制。我司槽式清洗設(shè)備結(jié)構(gòu)穩(wěn)固，性能可靠，是你的生產(chǎn)好幫手！山西整套槽式清洗設(shè)備廠家電話
芯夢(mèng)制造的槽式清洗設(shè)備采用品質(zhì)材料，使用壽命長(zhǎng)，是你的長(zhǎng)久伙伴！湖南集成電路槽式清洗設(shè)備按需定制
槽式清洗設(shè)備的工藝參數(shù)可以根據(jù)不同的設(shè)備和應(yīng)用而有所差異，以下是一些常見(jiàn)的槽式清洗設(shè)備工藝參數(shù)：
溫度：清洗槽中的清洗液溫度是一個(gè)重要的參數(shù)，它可以影響清洗效果和清洗速度。溫度通?？梢栽谠O(shè)備的控制系統(tǒng)中進(jìn)行設(shè)置和控制，具體的溫度范圍根據(jù)不同的清洗要求而變化。
清洗時(shí)間：清洗時(shí)間是指晶圓在清洗槽中進(jìn)行清洗的持續(xù)時(shí)間。清洗時(shí)間的長(zhǎng)短取決于晶圓的污染程度、清洗液的性質(zhì)和清洗要求等因素。通常，清洗時(shí)間可以在設(shè)備的控制系統(tǒng)中進(jìn)行設(shè)置和調(diào)整。
清洗液流量：清洗液流量是指清洗液在清洗槽中的流動(dòng)速度。適當(dāng)?shù)那逑匆毫髁靠梢源_保清洗液充分覆蓋晶圓表面，并有效地去除污染物。清洗液流量通?？梢酝ㄟ^(guò)設(shè)備的流量控制裝置進(jìn)行調(diào)節(jié)。 湖南集成電路槽式清洗設(shè)備按需定制