江西真空鍍膜技術

真空鍍膜技術在國民經濟各個領域有著廣泛應用，特別是近幾年來，我國國民經濟的迅速發(fā)展、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產品的不斷涌現(xiàn)。尤其是在電子材料與元器件工業(yè)領域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法、氧化法、離子注人法、擴散法、電鍍法、涂布法、液相生長法等。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學沉積法和放電聚合法等。本次實驗是使用物理沉積法，由于這種方法基本上都是處于真空環(huán)境下進行的，因此稱它們?yōu)檎婵斟兡ぜ夹g。真空蒸發(fā)、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法，是基本的薄膜制備技術。真空蒸發(fā)鍍膜法是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，入射到基片表面，凝結形成固態(tài)薄膜的方法。真空鍍膜機的優(yōu)點:具有優(yōu)良的耐折性和良好的韌性，比較少出現(xiàn)小孔和裂口。江西真空鍍膜技術

真空鍍膜：近些年來出現(xiàn)的新方法：除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點，取長補短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術結合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優(yōu)點。高效率等離子體濺射(HighTargetUtilizationPlasmaSputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側面。該等離子體束在電磁場的作用下被引導到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設計是實現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應用能確定工藝參數(shù)較優(yōu)化。與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同，HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對靶的材料實現(xiàn)各個方面積均勻。駐馬店UV光固化真空鍍膜真空鍍膜鍍的薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固。

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術和化學氣相沉積技術。物理的氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現(xiàn)象，實現(xiàn)物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復性好等優(yōu)點。同時，物理的氣相沉積技術由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下?；瘜W氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。

真空鍍膜：等離子體鍍膜：每個弧斑存在極短時間，爆發(fā)性地蒸發(fā)離化陰極改正點處的鍍料，蒸發(fā)離化后的金屬離子，在陰極表面也會產生新的弧斑，許多弧斑不斷產生和消失，所以又稱多弧蒸發(fā)。較早設計的等離子體加速器型多弧蒸發(fā)離化源，是在陰極背后配置磁場，使蒸發(fā)后的離子獲得霍爾(Hall)加速對應效應，有利于離子增大能量轟擊量體，采用這種電弧蒸發(fā)離化源鍍膜，離化率較高，所以又稱為電弧等離子體鍍膜。由于等離子體鍍膜常產生多弧斑，所以也稱多弧蒸發(fā)離化過程。真空鍍膜的操作規(guī)程：易燃有毒物品要妥善保管，以防失火中毒。

等離子體化學氣相沉積法，利用了等離子體的活性來促進反應，使化學反應能在較低的溫度下進行。優(yōu)點是：反應溫度降低，沉積速率較快，成膜質量好，不容易破裂。缺點是：設備投資大、對氣管有特殊要求。PECVD，等離子體化學氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，使局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應，在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因此，這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積。真空濺鍍通常指的是磁控濺鍍，屬于高速低溫濺鍍法。天津真空鍍膜涂料

真空鍍膜在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾、金剛石等材料的耐腐蝕性能。江西真空鍍膜技術

原子層沉積(atomiclayer deposition，ALD)技術，亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy，ALE）技術，是一種基于有序、表面自飽和反應的化學氣相薄膜沉積技術。原子層沉積技術起源于上世紀六七十年代，由前蘇聯(lián)科學家Aleskovskii和Koltsov報道，隨后，基于電致發(fā)光薄膜平板顯示器對高質量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬蘭Suntalo博士發(fā)展并完善。然而，受限于其復雜的表面化學過程等因素，原子層沉積技術在開始并沒有取得較大發(fā)展，直到上世紀九十年代，隨著半導體工業(yè)的興起，對各種元器件尺寸，集成度等方面的要求越來越高，原子層沉積技術才迎來發(fā)展的黃金階段。進入21世紀，隨著適應各種制備需求的商品化ALD儀器的研制成功，無論在基礎研究還是實際應用方面，原子層沉積技術都受到人們越來越多的關注。江西真空鍍膜技術