浙江哪些半導體器件設備設計

    而當沒有接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s201。接下來，將與率先實施例進行比較來描述本實施例的效果。圖7是示出根據(jù)率先實施例的微控制器100的狀態(tài)的時間變化的圖。圖8是示出根據(jù)第二實施例的微控制器200的狀態(tài)的時間變化的圖。在圖7和8中，上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅(qū)動電流之和的轉(zhuǎn)變的曲線圖，而下部所示的曲線圖是示出結(jié)溫tj的轉(zhuǎn)變的曲線圖。如圖7所示，在根據(jù)率先實施例的微控制器100中，可存在兩種驅(qū)動電流狀態(tài)：接通和斷開。另一方面，如圖8所示，在根據(jù)第二實施例的微控制器200中，驅(qū)動電流可以采用更多狀態(tài)。因此，在根據(jù)第二實施例的微控制器200中，可以實現(xiàn)根據(jù)所測量的結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值的大小的靈活的驅(qū)動電流(即，發(fā)熱值)。因此，例如，當環(huán)境溫度很低時，通過接通很多功耗電路130，結(jié)溫可以在幾個周期內(nèi)達到邏輯塊110的下限溫度。另外，由于可以進行靈活的溫度控制，因此可以防止結(jié)溫過度升高。提高結(jié)溫導致漏電流增加，并且因此結(jié)溫變得高于所需溫度是不可取的。在本實施例中，當結(jié)溫小于邏輯塊110的下限溫度并且差值很小時，發(fā)熱量被抑制并且溫度被強制增加。因此，可以抑制明顯超過下限溫度的結(jié)溫。半導體碳化硅材料的半導體器件用于汽車、充電設備、便攜式電源、通信設備、機械臂、飛行器等多個工業(yè)領域。浙江哪些半導體器件設備設計

    當來自反相器133的輸出被輸入到n溝道m(xù)os晶體管132的柵極并且n溝道m(xù)os晶體管132接通時，電流流過電阻器131以產(chǎn)生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置，并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來，將描述與微控制器100中的結(jié)溫控制相關的操作。圖3是示出與微控制器100中的結(jié)溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動時執(zhí)行，但是可以在其他預定定時執(zhí)行。在步驟s100中，設定測量結(jié)溫的測量周期和下限。如上所述，設定結(jié)溫的下限是邏輯塊110的下限溫度，即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如，這些設置通過讀取存儲在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的預定測量周期和預定下限溫度來執(zhí)行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導體工藝而預先定義的溫度。在步驟s100之后，處理進入步驟s101。在步驟s101中，測量結(jié)溫。也就是說，控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結(jié)溫。然后，控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設置的下限溫度。浙江哪些半導體器件設備設計半導體器件由（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號有第三、四、五部分）組成。

    本發(fā)明涉及用于控制半導體器件的方法和半導體器件，例如，本發(fā)明涉及用于確保半導體器件操作的技術。近年來，對更高可靠性和功能安全性的需求不斷增加，特別是在汽車工業(yè)中。因此，在半導體器件中，還需要擴大半導體器件可以操作的溫度。日本未審專利申請公開，其能夠通過使用包括功率晶體管的線性調(diào)節(jié)器電路來控制對發(fā)光二極管的供電，并且能夠防止功率晶體管的過度發(fā)熱。作為相關技術，日本未審專利申請公開。日本未審專利申請公開，其用于容易地抑制由與時鐘周期同步的電路引起的功耗狀態(tài)的差異引起的電源電壓的變化。技術實現(xiàn)要素：日本未審專利申請公開，但是不能防止過低的結(jié)溫。如果由于環(huán)境溫度低而導致結(jié)溫過低，則可能無法確保半導體器件中的邏輯塊的正常操作。因此，本領域需要一種能夠限定半導體器件可以正常操作的低環(huán)境溫度的技術。根據(jù)本說明書的描述和附圖，其他目的和新穎特征將變得很清楚。根據(jù)一個實施例，半導體器件包括用于控制功耗電路的功率耗散使得在溫度傳感器處測量的結(jié)溫不小于邏輯塊的預定下限操作溫度的控制器。根據(jù)率先實施例，可以將半導體器件可以正常操作的環(huán)境溫度定義為低于不使用根據(jù)率先實施例的技術時的環(huán)境溫度。

    控制器140輸出指示功耗電路130停止消耗功率的信號。也就是說，當所獲取的結(jié)溫等于或大于預定閾值時，控制器140關閉功耗電路130。當結(jié)溫等于或大于邏輯塊110的下限溫度并且小于預定閾值時，控制器140可以接通功耗電路130。預定閾值可以是等于或大于邏輯塊110的下限溫度的溫度。因此，預定閾值可以是邏輯塊110的下限溫度，或者預定閾值可以是通過向下限溫度添加裕度而獲取的溫度?？刂破?40包括用于對測量周期進行計數(shù)的計數(shù)器電路，并且當計數(shù)器電路指示的計數(shù)器值超過測量周期時，再次執(zhí)行功耗電路130的開/關控制。當控制器140使用功耗電路130接收指示終止溫度控制的信號時，該信號使用功耗電路130終止溫度控制。這些信號可以從例如已經(jīng)開始操作的邏輯塊110輸出。圖2是示出功耗電路130的示例性配置的電路圖。如圖2所示，功耗電路130包括電阻器131、n溝道m(xù)os晶體管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)132和反相器133。電源電壓vdd被施加到功耗電路130，并且電流流過電阻器131的率先狀態(tài)和沒有電流流過電阻器131的第二狀態(tài)響應于來自控制器140的控制信號c而被切換。控制信號c對應于用于指示上述功耗的信號。功率半導體器件通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上。

    不需要功耗電路130升高結(jié)溫的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s2。在溫度區(qū)域s1中，耗電路130接通，并且驅(qū)動電流iload流過功耗電路130(參見圖4頂部的曲線圖)。也就是說，驅(qū)動電流iload流過電阻器131。在溫度區(qū)域s1中，控制器140控制功耗電路130的接通/斷開，使得結(jié)溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結(jié)果，在溫度區(qū)域s1中，結(jié)溫tj如圖4的下圖所示。因此，可以擴展邏輯塊110的正常操作的環(huán)境溫度的覆蓋范圍。另一方面，在溫度區(qū)域s2中，由于環(huán)境溫度ta足夠高，所以結(jié)溫tj變?yōu)榈扔诨蚋哂谙孪逌囟萾lb，這是由于環(huán)境溫度和由于邏輯塊110的自發(fā)熱引起的溫度升高，并且因此功耗電路130繼續(xù)關閉。結(jié)溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻，idd是微控制器100的操作電流，即邏輯塊110的操作電流，并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經(jīng)描述了率先實施例。在微控制器100中，當結(jié)溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時，功耗電路130接通，從而微控制器100根據(jù)消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產(chǎn)生熱量。因此，結(jié)溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結(jié)果，與不提供上述配置時相比。半導體器件設備為了與集成電路相區(qū)另，有時也稱為分立器件。新疆低碳半導體器件設備24小時服務

半導體行業(yè)技術高、進步快,一代產(chǎn)品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設備。浙江哪些半導體器件設備設計

    DC/AC)的制作218交流和直流波形的類別218電路原理圖和元件明細表218制作工藝219運行中存在的問題221太陽能發(fā)電、風力發(fā)電與市電電網(wǎng)聯(lián)合供電的試驗裝置222太陽能電池和風力發(fā)電的混合式發(fā)電222實現(xiàn)三方聯(lián)合供電的夢想223和孩子們一起獲取大自然賜予的綠色能源225在郊外別墅房自建微型太陽能電站227建電站的設想227系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖227從獨有型太陽能發(fā)電系統(tǒng)到系統(tǒng)(市電)聯(lián)系型228從“云霄一號”到“云霄三號”228云霄三號的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和元件明細表229節(jié)電、發(fā)電、賣電統(tǒng)計清單230不用逆變器的全直流供電太陽能發(fā)電系統(tǒng)試作——從50W發(fā)展到1000W232和太陽能電池的初接觸232增大太陽能電池容量的二期工程232全直流供電的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖和元件明細表232運行情況和節(jié)電效果233國外某家庭自裝太陽能發(fā)電系統(tǒng)(獨有型)節(jié)電效果統(tǒng)計233系統(tǒng)概況233運行情況和節(jié)電效果234國外某家庭自裝太陽能發(fā)電(系統(tǒng)聯(lián)系型)、買電和賣電的統(tǒng)計(國外實例)235實例之一235實例之二237第8章利用微波傳輸太空超級太陽能發(fā)電站的電功率239微波輸電計劃239SSPS計劃概述239送電(發(fā)射)系統(tǒng)概述241傳輸損耗243接收系統(tǒng)243結(jié)論246近期進展246美國私營太陽能公司介入太空太陽能電站。浙江哪些半導體器件設備設計

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