紹興結(jié)型場效應(yīng)管

來源: 發(fā)布時間:2024-08-10

導(dǎo)電溝道的形成:當(dāng)vGS數(shù)值較小,吸引電子的能力不強(qiáng)時,漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn),如圖1(b)所示。vGS增加時,吸引到P襯底表面層的電子就增多,當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時,這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層,且與兩個N+區(qū)相連通,在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道,其導(dǎo)電類型與P襯底相反,故又稱為反型層,如圖1(c)所示。vGS越大,作用于半導(dǎo)體表面的電場就越強(qiáng),吸引到P襯底表面的電子就越多,導(dǎo)電溝道越厚,溝道電阻越小。場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,用于放大或開關(guān)電路中的信號。紹興結(jié)型場效應(yīng)管

紹興結(jié)型場效應(yīng)管,場效應(yīng)管

C-MOS場效應(yīng)管(增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管),電路將一個增強(qiáng)型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個增強(qiáng)型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時,P溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時,N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,輸出端與電源地接通。在該電路中,P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作,其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響,使得柵壓在還沒有到0V,通常在柵極電壓小于1到2V時,MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因?yàn)槿绱?,使得該電路不會因?yàn)閮晒芡瑫r導(dǎo)通而造成電源短路。紹興結(jié)型場效應(yīng)管場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用,如變頻器、逆變器等,提高電能轉(zhuǎn)換效率。

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馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個),但這兩個MOSFET的關(guān)斷時間(死區(qū)時間)相等。對于這類應(yīng)用,反向恢復(fù)時間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時,控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),此時橋式電路中的另一個開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導(dǎo)電流。于是,電流重新循環(huán),繼續(xù)為馬達(dá)供電。當(dāng)頭一個MOSFET再次導(dǎo)通時,另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除,通過頭一個MOSFET放電,而這是一種能量的損耗,故trr 越短,這種損耗越小。

雪崩失效分析(電壓失效),底什么是雪崩失效呢,簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖,做為電源工程師可以簡單了解下。可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析,大多數(shù)廠家都光給一個EAS.EOS之類的結(jié)論,那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢,下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖,我們可以進(jìn)行對比從而確定是否是雪崩失效。場效應(yīng)管具有體積小、重量輕的優(yōu)點(diǎn),便于在緊湊的電子設(shè)備中使用。

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對比:場效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn):1.場效應(yīng)管的源極s、柵極g、漏極d分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件,由vGS控制iD,其放大系數(shù)gm一般較小,因此場效應(yīng)管的放大能力較差;三極管是電流控制電流器件,由iB(或iE)控制iC。3.場效應(yīng)管柵極幾乎不取電流(ig»0);而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電;三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)。在環(huán)境條件(溫度等)變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管。場效應(yīng)管利用電場控制載流子的流動,通過改變柵極電壓,控制源極和漏極之間的電流。南京場效應(yīng)管尺寸

場效應(yīng)管的體積小,適合集成在微型電子設(shè)備中。紹興結(jié)型場效應(yīng)管

開關(guān)時間:場效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通(或相反)所需的時間。柵極驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)對開關(guān)時間有明顯影響,同時寄生電容的大小也會影響開關(guān)時間,此外,器件的物理結(jié)構(gòu),也會影響開關(guān)速度。典型應(yīng)用電路:開關(guān)電路:開關(guān)電路是指用于控制場效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路。放大電路:場效應(yīng)管因其高輸入阻抗和低噪聲特性,常用于音頻放大器、射頻放大器等模擬電路中。電源管理:在開關(guān)電源中,場效應(yīng)管用于控制能量的存儲和釋放,實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。紹興結(jié)型場效應(yīng)管