硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng),該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場環(huán)境下的宏/微觀變形測量子系統(tǒng)五個子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻,實現(xiàn)無液氦制冷,并通過傳導(dǎo)冷方式對杜瓦內(nèi)的試樣機(jī)磁體進(jìn)行降溫。產(chǎn)品優(yōu)勢:1、可視化杜瓦,可實現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測試根據(jù)測試。2、背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場。3、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)采用大功率超導(dǎo)電源對測試樣品進(jìn)行電流加載,較大可實現(xiàn)1000A的測試電流。4、該測量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸,不受強(qiáng)磁場、大電流及極低溫的影響和干擾,能夠高精度的測量待測試樣的三維或二維的全場測量。聚合物將其壓在FA上,使得FA進(jìn)入V槽中。每個光纖的位置可以進(jìn)行調(diào)整,光纖完全落入槽中,達(dá)到比較好的耦合效率。遼寧自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)機(jī)構(gòu)
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng),該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場環(huán)境下的宏/微觀變形測量子系統(tǒng)五個子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻,實現(xiàn)無液氦制冷,并通過傳導(dǎo)冷方式對杜瓦內(nèi)的試樣機(jī)磁體進(jìn)行降溫。系統(tǒng)產(chǎn)品優(yōu)勢:1、可視化杜瓦,可實現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測試根據(jù)測試。2、背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場。3、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)采用大功率超導(dǎo)電源對測試樣品進(jìn)行電流加載,較大可實現(xiàn)1000A的測試電流。4、該測量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸,不受強(qiáng)磁場、大電流及極低溫的影響和干擾,能夠高精度的測量待測試樣的三維或二維的全場測量。黑龍江振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點:體積小。
基于設(shè)計版圖對硅光芯片進(jìn)行光耦合測試的方法及系統(tǒng)進(jìn)行介紹,該方法包括:讀取并解析設(shè)計版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇數(shù)據(jù),驅(qū)動左側(cè)光纖對準(zhǔn)第1測試點,獲取與第1測試點相對應(yīng)的測試點圖形的第1選中信息,驅(qū)動右側(cè)光纖對準(zhǔn)第二測試點,獲取與第二測試點相對應(yīng)的測試點圖形的第二選中信息,獲取與目標(biāo)測試點相對應(yīng)的測試點圖形的第三選中信息,通過測試點圖形與測試點的對應(yīng)關(guān)系確定目標(biāo)測試點的坐標(biāo),以驅(qū)動左或右側(cè)光纖到達(dá)目標(biāo)測試點,進(jìn)行光耦合測試;該系統(tǒng)包括上位機(jī),電機(jī)控制器,電機(jī),夾持載臺及相機(jī)等;本發(fā)明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優(yōu)點,能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。
硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)中硅光耦合結(jié)構(gòu)需要具備:硅光半導(dǎo)體元件,在其上表面具有發(fā)硅光受硅光部,且在下表面?zhèn)缺话惭b于基板;硅光傳輸路,其具有以規(guī)定的角度與硅光半導(dǎo)體元件的硅光軸交叉的硅光軸,且與基板的安裝面分離配置;以及硅光耦合部,其變換硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間的硅光路,且將硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間硅光學(xué)地耦合。硅光耦合部由相對于傳輸?shù)墓韫馔该鞯臉渲瑯?gòu)成,樹脂分別緊貼硅光半導(dǎo)體元件的發(fā)硅光受硅光部的至少一部分以及硅光傳輸路的端部的至少一部分,硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路通過構(gòu)成硅光耦合部的樹脂本身被粘接。芯片耦合封裝問題是光子芯片實用化過程中的關(guān)鍵問題。
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)的測試設(shè)備包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計,通過光矩陣的光路切換,每一時刻在程序控制下都可以形成一個單獨的測試環(huán)路。其光路如圖1所示,光源出光包含兩個設(shè)備,調(diào)光過程使用ASE寬光源,以保證光路通過光芯片后總是出光,ASE光源輸出端接入1*N路耦合器;測試過程使用可調(diào)激光器,以掃描特定功率及特定波長,激光器出光后連接偏振控制器輸入端,以得到特定偏振態(tài)下光信號;偏振控制器輸出端接入1個N*1路光開光;切光過程通過輸入端光矩陣,包含N個2*1光開關(guān),以得到特定光源。輸入光進(jìn)入光芯片后由芯片輸出端輸出進(jìn)入輸出端光矩陣,包含N個2*1路光開關(guān),用于切換輸出到多通道光功率計或者PD光電二極管,分別對應(yīng)測試過程與耦合過程。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處:使用大規(guī)模集成性。遼寧自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)機(jī)構(gòu)
端面耦合方案一,在硅光芯片的端面處進(jìn)行刻蝕,形成v型槽陣列。遼寧自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)機(jī)構(gòu)
測試是硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的主要作用,硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要是用整機(jī)模擬一個實際使用的環(huán)境,測試設(shè)備在無線環(huán)境下的射頻性能,重點集中在天線附近一塊,即檢測天線與主板之間的匹配性。因為在天線硅光芯片耦合測試系統(tǒng)之前(SMT段)已經(jīng)做過相應(yīng)的測試,所以可認(rèn)為主板在射頻頭之前的部分已經(jīng)是好的了,剩下的就是RF天線、天線匹配電路部分,所以檢查的重點就是天線效率、性能等項目。通常來說耦合功率低甚至無功率的情況大多與同軸線、KB板和天線之間的裝配接觸是否良好有關(guān)。遼寧自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)機(jī)構(gòu)
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