陜西射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有

來源: 發(fā)布時間:2023-06-09

我們分析了一種可以有效消除偏振相關性的偏振分級方案,并提出了兩種新型結構以實現(xiàn)該方案中的兩種關鍵元件。通過理論分析以及實驗驗證,一個基于一維光柵的偏振分束器被證明能夠實現(xiàn)兩種偏振光的有效分離。該分束器同時還能作為光纖與硅光芯片之間的高效耦合器。實驗中我們獲得了超過50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串擾。我們還對一個基于硅條形波導的超小型偏振旋轉器進行了理論分析,該器件能夠實現(xiàn)100%的偏轉轉化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術實現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學物理拋光等關鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實驗結果和理論分析證明該集成平臺對于實現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。通過高精度移動平臺、隔振系統(tǒng)、亞 微米級人工智能算法識別旋轉中心,從而提高測試精確度和效率 。陜西射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有

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此在確認硅光芯片耦合測試系統(tǒng)耦合不過的前提下,可依次排除B殼天線、KB板和同軸線等內(nèi)部結構的故障進行維修。若以上一一排除,則是主板參數(shù)校準的問題,或者說是主板硬件存在故障。耦合天線的種類比較多,有塔式、平板式、套筒式,常用的是自動硅光芯片硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)。為防止外部環(huán)境的電磁干擾搭載屏蔽箱,來提高耦合直通率。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是比較關鍵的,我們的客戶非常關注此工位測試的嚴謹性,硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要控制“信號弱”,“易掉話”,“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”,“不能接聽”等不良機流向市場。一般模擬用戶環(huán)境對設備EMC干擾的方法與實際使用環(huán)境存在較大差異,所以“信號類”返修量一直占有較大的比例。甘肅振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)機構硅基光電集成取得了一系列令人振奮的成果,如硅基光波導、光開關、調制器以及探測器均已實現(xiàn)。

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硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的激光器與硅光芯片耦合結構及其封裝結構和封裝方法,發(fā)散的高斯光束從激光器芯片出射,經(jīng)過耦合透鏡進行聚焦;聚焦過程中光路經(jīng)過隔離器進入反射棱鏡,經(jīng)過反射棱鏡的發(fā)射,光路發(fā)生彎折并以一定的角度入射到硅光芯片的光柵耦合器上面,耦合進硅光芯片。本發(fā)明所提供的激光器與硅光芯片耦合結構,其無需使用超高精度的耦合對準設備,耦合過程易于實現(xiàn),耦合效率更高,且研發(fā)成本較低;激光器與硅光芯片耦合封裝結構及其封裝方法,采用傳統(tǒng)TO工藝封裝光源,氣密性封裝,與現(xiàn)有技術相比,具有比較強的可生產(chǎn)性,比較高的可靠性,更低的成本,更高的耦合效率,適用于400G硅光大功率光源應用。

經(jīng)過多年發(fā)展,硅光芯片耦合測試系統(tǒng)如今已經(jīng)成為受到普遍關注的熱點研究領域。利用硅的高折射率差和成熟的制造工藝,硅光子學被認為是實現(xiàn)高集成度光子芯片的較佳選擇。但是,硅光子學也有其固有的缺點,比如缺乏高效的硅基有源器件,極低的光纖-波導耦合效率以及硅基波導明顯的偏振相關性等都制約著硅光子學的進一步發(fā)展。針對這些問題,試圖通過新的嘗試給出一些全新的解決方案。首先我們回顧了一些光波導的數(shù)值算法,并在此基礎上開發(fā)了一個基于柱坐標系的有限差分模式分析器,它非常適合于分析彎曲波導的本征模場。對于復雜光子器件結構的分析,我們主要利用時域有限差分以及波束傳播法等數(shù)值工具。接著我們回顧了硅基光子器件各項主要的制造工藝和測試技術。重點介紹了幾種基于超凈室設備的關鍵工藝,如等離子增強化學氣相沉積,電子束光刻以及等離子體干法刻蝕。為了同時獲得較高的耦合效率以及較大的對準容差,本論文主要利用垂直耦合系統(tǒng)作為光子器件的主要測試方法。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)為工業(yè)客戶和院??蛻籼峁┙?jīng)濟有效的系統(tǒng)解決方案。

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實驗中我們經(jīng)常使用硅光芯片耦合測試系統(tǒng)獲得了超過50%的耦合效率測試以及低于-20dB的偏振串擾。我們還對一個基于硅條形波導的超小型偏振旋轉器進行了理論分析,該器件能夠實現(xiàn)100%的偏轉轉化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術實現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學物理拋光等關鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實驗結果和理論分析證明該集成平臺對于實現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點:可靠性高。陜西射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有

硅光芯片的耦合封裝一般分為兩周種,1,端面耦合,2.光柵耦合。陜西射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是由激光器與硅光芯片集成結構,結構包括:激光器芯片,激光器芯片包括第1波導;硅光芯片,硅光芯片包括第二波導,第二波導及第1波導將激光器芯片發(fā)出的光耦合至硅光芯片內(nèi);第1波導包括依次一體連接的第1倒錐形波導部,矩形波導部及第二倒錐形波導部;第二波導包括第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片;其中,第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片均包括依次一體連接的第1倒錐形波導部,矩形波導部及第二倒錐形波導部。相比于現(xiàn)有技術中的端面耦合,本實用新型的耦合方式對倒裝焊過程中的對準精度要求更低,即使在對準有誤差的實際工藝條件下,仍然具有較高的耦合效率。陜西射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有

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