北京自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)機構(gòu)

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的，我們的客戶非常關(guān)注此工位測試的嚴(yán)謹(jǐn)性，硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要控制“信號弱”，“易掉話”，“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”，“不能接聽”等不良機流向市場。一般模擬用戶環(huán)境對設(shè)備EMC干擾的方法與實際使用環(huán)境存在較大差異，所以“信號類”返修量一直占有較大的比例?？梢?，硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是一個需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)年P(guān)鍵崗位，在利用金機調(diào)好衰減（即線損）之后，功率無法通過的，必須進(jìn)行維修，而不能隨意的更改線損使其通過測試，因為比較可能此類機型在開機界面顯示滿格信號而在使用過程中出現(xiàn)“掉話”的現(xiàn)象，給設(shè)備質(zhì)量和信譽帶來負(fù)面影響。以上是整機耦合的原理和測試存在的意義，也就是設(shè)備主板在FT測試之后，還要進(jìn)行組裝硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的原因。下面再說一說硅光芯片耦合測試系統(tǒng)過程中常見的異常問題和處理思路。硅光芯片主要由光源、調(diào)制器、有源芯片等組成，通常將光器件集成在同一硅基襯底上。北京自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)機構(gòu)

硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)及硅光耦合方法,其用以將從硅光源發(fā)出的硅光束耦合進(jìn)入硅光纖,并可減少硅光束背向反射進(jìn)入硅光源,也提供控制的發(fā)射條件以改善前向硅光耦合。硅光耦合系統(tǒng)包括至少一個平坦的表面,平坦的表面與硅光路相交叉的部分的至少一部分上設(shè)有若干擾動部。擾動部具有預(yù)選的橫向的寬度及高度以增加前向硅光耦合效率及減少硅光束從硅光纖的端面進(jìn)入硅光源的背向反射。擾動部通過產(chǎn)生復(fù)合的硅光束形狀來改善前向硅光耦合,復(fù)合的硅光束形狀被預(yù)選成更好地匹配硅光纖多個硅光模式的空間和角度分布。北京自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)機構(gòu)硅光芯片耦合測試能夠高精度的測量待測試樣的三維或二維的全場測量。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)組件裝夾完成后，主要是通過校正X,Y和Z方向的偏差來進(jìn)行的初始光功率進(jìn)行耦合測試的，圖像處理軟件能自動測量出各項偏差，然后軟件驅(qū)動運動控制系統(tǒng)和運動平臺來補償偏差，以及給出提示，繼續(xù)手動調(diào)整角度滑臺。當(dāng)三個器件完成初始定位，同時確認(rèn)其在Z軸方向的相對位置關(guān)系后，這時需要確認(rèn)輸入光纖陣列和波導(dǎo)器件之間光的耦合對準(zhǔn)。點擊找初始光軟件會將物鏡聚焦到波導(dǎo)器件的輸出端面。通過物鏡及初始光CCD照相機，可以將波導(dǎo)輸出端各通道的近場圖像投射出來，進(jìn)行適當(dāng)耦合后，圖像會被投射到顯示器上。

經(jīng)過多年發(fā)展,硅光芯片耦合測試系統(tǒng)如今已經(jīng)成為受到普遍關(guān)注的熱點研究領(lǐng)域。利用硅的高折射率差和成熟的制造工藝,硅光子學(xué)被認(rèn)為是實現(xiàn)高集成度光子芯片的較佳選擇。但是,硅光子學(xué)也有其固有的缺點,比如缺乏高效的硅基有源器件,極低的光纖-波導(dǎo)耦合效率以及硅基波導(dǎo)明顯的偏振相關(guān)性等都制約著硅光子學(xué)的進(jìn)一步發(fā)展。針對這些問題,試圖通過新的嘗試給出一些全新的解決方案。首先我們回顧了一些光波導(dǎo)的數(shù)值算法,并在此基礎(chǔ)上開發(fā)了一個基于柱坐標(biāo)系的有限差分模式分析器,它非常適合于分析彎曲波導(dǎo)的本征模場。對于復(fù)雜光子器件結(jié)構(gòu)的分析,我們主要利用時域有限差分以及波束傳播法等數(shù)值工具。接著我們回顧了硅基光子器件各項主要的制造工藝和測試技術(shù)。重點介紹了幾種基于超凈室設(shè)備的關(guān)鍵工藝,如等離子增強化學(xué)氣相沉積,電子束光刻以及等離子體干法刻蝕。為了同時獲得較高的耦合效率以及較大的對準(zhǔn)容差,本論文主要利用垂直耦合系統(tǒng)作為光子器件的主要測試方法。在通信器件的高級市場上，硅光芯片的作用更加明顯。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)，該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強磁場子系統(tǒng)、強電流加載控制子系統(tǒng)、機械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場環(huán)境下的宏/微觀變形測量子系統(tǒng)五個子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機進(jìn)行低溫冷卻，實現(xiàn)無液氦制冷，并通過傳導(dǎo)冷方式對杜瓦內(nèi)的試樣機磁體進(jìn)行降溫。產(chǎn)品優(yōu)勢：1、可視化杜瓦，可實現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測試根據(jù)測試。2、背景強磁場子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強磁場。3、強電流加載控制子系統(tǒng)采用大功率超導(dǎo)電源對測試樣品進(jìn)行電流加載，較大可實現(xiàn)1000A的測試電流。4、該測量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸，不受強磁場、大電流及極低溫的影響和干擾，能夠高精度的測量待測試樣的三維或二維的全場測量。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：可以更好的保護設(shè)備。浙江射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)報價

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點：方便管理。北京自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)機構(gòu)

硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)中硅光耦合結(jié)構(gòu)需要具備:硅光半導(dǎo)體元件,在其上表面具有發(fā)硅光受硅光部,且在下表面?zhèn)缺话惭b于基板;硅光傳輸路,其具有以規(guī)定的角度與硅光半導(dǎo)體元件的硅光軸交叉的硅光軸,且與基板的安裝面分離配置;以及硅光耦合部,其變換硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間的硅光路,且將硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間硅光學(xué)地耦合。硅光耦合部由相對于傳輸?shù)墓韫馔该鞯臉渲瑯?gòu)成,樹脂分別緊貼硅光半導(dǎo)體元件的發(fā)硅光受硅光部的至少一部分以及硅光傳輸路的端部的至少一部分,硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路通過構(gòu)成硅光耦合部的樹脂本身被粘接。北京自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)機構(gòu)