北京射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家

針對不同的硅光芯片結(jié)構(gòu),我們提出并且實驗驗證了兩款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均勻光柵的垂直耦合器,在實驗中,我們得到了超過60%的光纖-波導(dǎo)耦合效率。此外,我們還開發(fā)了一款用以實現(xiàn)硅條形波導(dǎo)和狹縫波導(dǎo)之間高效耦合的新型耦合器應(yīng)用的系統(tǒng)主要是硅光芯片耦合測試系統(tǒng),理論設(shè)計和實驗結(jié)果都證明該耦合器可以實現(xiàn)兩種波導(dǎo)之間的無損光耦合。為了消除硅基無源器件明顯的偏振相關(guān)性,我們首先利用一種特殊的三明治結(jié)構(gòu)波導(dǎo),通過優(yōu)化多層結(jié)構(gòu),成功消除了一個超小型微環(huán)諧振器中心波長的偏振相關(guān)性。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：高速性能。北京射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家

既然提到硅光芯片耦合測試系統(tǒng)，我們就認(rèn)識一下硅光子集。所謂硅光子集成技術(shù)，是以硅和硅基襯底材料（如SiGe/Si、SOI等）作為光學(xué)介質(zhì)，通過互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）兼容的集成電路工藝制造相應(yīng)的光子器件和光電器件（包括硅基發(fā)光器件、調(diào)制器、探測器、光波導(dǎo)器件等），并利用這些器件對光子進行發(fā)射、傳輸、檢測和處理，以實現(xiàn)其在光通信、光互連、光計算等領(lǐng)域中的實際應(yīng)用。硅光技術(shù)的中心理念是“以光代電”，即采用激光束代替電子信號傳輸數(shù)據(jù)，將光學(xué)器件與電子元件整合至一個單獨的微芯片中。在硅片上用光取代傳統(tǒng)銅線作為信息傳導(dǎo)介質(zhì)，較大提升芯片之間的連接速度。湖南射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商在通信器件的高級市場上，硅光芯片的作用更加明顯。

經(jīng)過多年發(fā)展,硅光芯片耦合測試系統(tǒng)如今已經(jīng)成為受到普遍關(guān)注的熱點研究領(lǐng)域。利用硅的高折射率差和成熟的制造工藝,硅光子學(xué)被認(rèn)為是實現(xiàn)高集成度光子芯片的較佳選擇。但是,硅光子學(xué)也有其固有的缺點,比如缺乏高效的硅基有源器件,極低的光纖-波導(dǎo)耦合效率以及硅基波導(dǎo)明顯的偏振相關(guān)性等都制約著硅光子學(xué)的進一步發(fā)展。針對這些問題,試圖通過新的嘗試給出一些全新的解決方案。首先我們回顧了一些光波導(dǎo)的數(shù)值算法,并在此基礎(chǔ)上開發(fā)了一個基于柱坐標(biāo)系的有限差分模式分析器,它非常適合于分析彎曲波導(dǎo)的本征模場。對于復(fù)雜光子器件結(jié)構(gòu)的分析,我們主要利用時域有限差分以及波束傳播法等數(shù)值工具。接著我們回顧了硅基光子器件各項主要的制造工藝和測試技術(shù)。重點介紹了幾種基于超凈室設(shè)備的關(guān)鍵工藝,如等離子增強化學(xué)氣相沉積,電子束光刻以及等離子體干法刻蝕。為了同時獲得較高的耦合效率以及較大的對準(zhǔn)容差,本論文主要利用垂直耦合系統(tǒng)作為光子器件的主要測試方法。

測試站包含自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)客戶端程序，其程序流程如下：首先向自動耦合臺發(fā)送耦合請求信息，并且信息包括待耦合芯片的通道號，然后根據(jù)自動耦合臺返回的相應(yīng)反饋信息進入自動耦合等待掛起，直到收到自動耦合臺的耦合結(jié)束信息后向服務(wù)器發(fā)送測試請求信息，以進行光芯片自動指標(biāo)測試。自動耦合臺包含輸入端、輸出端與中間軸三部分，其中輸入端與輸出端都是X、Y、Z三維電傳式自動反饋微調(diào)架，精度可達50nm，滿足光芯片耦合精度要求。特別的，為監(jiān)控調(diào)光耦合功率，完成自動化耦合過程，測試站應(yīng)連接一個PD光電二極管，以實時獲取當(dāng)前光功率。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)一站式服務(wù)，為客戶節(jié)省時間和精力。

硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)中硅光耦合結(jié)構(gòu)需要具備:硅光半導(dǎo)體元件,在其上表面具有發(fā)硅光受硅光部,且在下表面?zhèn)缺话惭b于基板;硅光傳輸路,其具有以規(guī)定的角度與硅光半導(dǎo)體元件的硅光軸交叉的硅光軸,且與基板的安裝面分離配置;以及硅光耦合部,其變換硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間的硅光路,且將硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間硅光學(xué)地耦合。硅光耦合部由相對于傳輸?shù)墓韫馔该鞯臉渲瑯?gòu)成,樹脂分別緊貼硅光半導(dǎo)體元件的發(fā)硅光受硅光部的至少一部分以及硅光傳輸路的端部的至少一部分,硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路通過構(gòu)成硅光耦合部的樹脂本身被粘接。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點：體積小。上海老化硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價格

因為硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所有能集成更多的光器件。北京射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)的測試設(shè)備包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計，通過光矩陣的光路切換，每一時刻在程序控制下都可以形成一個單獨的測試環(huán)路。其光路如圖1所示，光源出光包含兩個設(shè)備，調(diào)光過程使用ASE寬光源，以保證光路通過光芯片后總是出光，ASE光源輸出端接入1*N路耦合器；測試過程使用可調(diào)激光器，以掃描特定功率及特定波長，激光器出光后連接偏振控制器輸入端，以得到特定偏振態(tài)下光信號；偏振控制器輸出端接入1個N*1路光開光；切光過程通過輸入端光矩陣，包含N個2*1光開關(guān)，以得到特定光源。輸入光進入光芯片后由芯片輸出端輸出進入輸出端光矩陣，包含N個2*1路光開關(guān)，用于切換輸出到多通道光功率計或者PD光電二極管，分別對應(yīng)測試過程與耦合過程。北京射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家