寧夏雙向可控硅調(diào)壓模塊分類

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復峰值電壓VDRM斷態(tài)重復峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標準散熱條件下，晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結溫下，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。淄博正高電氣公司自成立以來，一直專注于對產(chǎn)品的精耕細作。寧夏雙向可控硅調(diào)壓模塊分類

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流，還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷；實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應用?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應用較多。可控硅工作原理解析可控硅結構原件可控硅有三個極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結，與只有一個PN結的硅整流二極管在結構上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y構和控制極的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎?？煽毓钁脮r，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。江西單向可控硅調(diào)壓模塊淄博正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y構和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面簡單分析可控硅的工作原理。可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。

會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因?？煽毓枘K對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。開關的開啟和關閉引起的脈沖電壓分為以下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓如交流開關分合、交流側熔斷器熔斷等引起的過電壓，由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振回路、電容分壓等原因，這些過電壓值是正常值的2～10倍以上。一般來說，開閉速度越快，過電壓越高，則在無負載下斷開晶閘管模塊時過電壓就越高。直流側產(chǎn)生的過電壓例如，如果切斷電路的電感較大。淄博正高電氣具備雄厚的實力和豐富的實踐經(jīng)驗。

晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標準散熱條件下，當通過晶閘管的電流為額定電流時，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)所需要的小門極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT門極觸發(fā)電流IGT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)所需要的小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓，一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導通的小電流。當正向電流小于IH時，導通的晶閘管會自動關斷。(十一)晶閘管斷態(tài)重復峰值電流IDR斷態(tài)重復峰值電流IDR。淄博正高電氣重信譽、守合同，嚴把產(chǎn)品質(zhì)量關，熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察，洽談業(yè)務！上海整流可控硅調(diào)壓模塊價格

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可控硅模塊裝置中產(chǎn)生過電流保護的原因有很多，是多種多樣的，那么它采用的保護措施有哪些？下面可控硅模塊廠家?guī)黄饋砜聪??？煽毓枘K產(chǎn)生出的過電流的原因有很多種，當變流裝置內(nèi)部的結構元件損壞、控制或者觸發(fā)系統(tǒng)之間發(fā)生的一些故障、可逆?zhèn)鲃迎h(huán)流過大或逆變失敗、交流電壓過高或過低或缺相、負載過載等原因，都會引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過正常的工作電流。由于可控硅模塊的過流比一般的電氣設備的能力要低得多，因此，我們必須采取防過電流保護可控硅模塊的措施。接下來可控硅生產(chǎn)廠家正高為大家詳細講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過電流保護管理措施：1、交流進線串接漏電阻大的整流變壓器，利用短路電流受電抗限制，但交流電流大時會存在交流壓降。2、電檢測和過電流檢測繼電器電流與設定值進行比較，當取樣電流超過設定值時，比較器輸出信號使所述相移角增加以減小電流或拉逆變器相比較。有時一定要停止。3、直流快速開關對于變流裝置功率大且短路可能性較多的場合，可采用動作時間只有2ms的直流快速開關，它可以先于快速熔斷器斷開。從而保護了可控硅模塊，但價格昂貴所以使用不多。4、將快速熔斷器與普通熔斷器進行對比。寧夏雙向可控硅調(diào)壓模塊分類