威海單相晶閘管移相調(diào)壓模塊功能

雙向可控硅MAC97A6的電路應用MAC97A6為小功率雙向可控硅（雙向晶閘管），多應用于電風扇速度控制或電燈的亮度控制，市場上流行的“電腦風扇”或“電子程控風扇”，不外乎是用集成電路控制器與老式風扇相結(jié)合的新一代產(chǎn)品。這里介紹的電路就是利用一塊市售的所用集成電路RY901及MAC97A6，將普通電扇改裝為具有多功能的電扇，很適宜無線電愛好者制作與改裝。這種新型IC的主要特點是：（1）集開關、定時、調(diào)速、模擬自然風為一體，外部元件少、電路簡單、易于制作；（2）省掉了體積較大的機械定時器和調(diào)速器，采用輕觸式開關和電腦控制脈沖觸發(fā)，因而無機械磨損，使用壽命長。（3）各種動作電腦程序具備相應的發(fā)光管指示，耗電量少，體積小，重量輕，顯示直觀，便于操作；（4）適合開發(fā)或改造成多路家電的定時控制等。RY901采用雙列直插式16腳塑封結(jié)構(gòu)，為低功耗CMOS集成電路。其外形、引出腳排列及各腳功能如圖1所示。工作原理典型應用電路如圖2所示（[url=/ad/ykkz/]點擊下載原理圖[/url]）。市電220V由C1、R1降壓VD9穩(wěn)壓，經(jīng)VD10、C2整流濾波后,提供5V－6V左右的直流電源作為RY901IC組成的控制器電壓。在剛接通電源時，電腦控制器暫處于復位（靜止）狀態(tài)。淄博正高電氣公司地理位置優(yōu)越，擁有完善的服務體系。威海單相晶閘管移相調(diào)壓模塊功能

可控硅是可控硅整流器的簡稱?？煽毓栌袉蜗?、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點，被用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關斷變?yōu)閷ǎ坏?，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結(jié)的二極管相比，單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制；與具有兩個PN結(jié)的三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用?？煽毓鑼l件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通?？煽毓桕P斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下。簡易單向可控硅12V觸摸開關電路觸摸一下金屬片開，SCR1導通，負載得電工作。觸摸一下金屬片關，SCR2導通，繼電器J得電工作，K斷開，負載失電，SCR2關斷后，電容對繼電器J放電。北京雙向晶閘管移相調(diào)壓模塊哪家好淄博正高電氣銳意進取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務。

好在其回路中分別串入一個300Ω的限流電阻。調(diào)整時，改變R1、R2或C1、C2的大小，則可直接控制彩燈相互變化的快慢節(jié)奏。如雙向晶閘管VS1、VS2用3A/400V，好負載功率在300W以下，切忌不可超過高限額500W。如想增大功率，可選用電流大于3A的晶閘管，但C1的容量還需增加。如原用μ/400V可換成～1μ/400V即可。本裝置采用塑料作外殼，以避免市電源對人的觸電，這樣更為安全?？煽毓杞涣髡{(diào)壓器交流調(diào)壓器采用可控硅調(diào)壓器。電路簡單、裝置容易、控制方便的可控硅交流調(diào)壓器，這可用作家用電器的調(diào)壓裝置，進行照明燈調(diào)光，電風扇調(diào)速、電熨斗調(diào)溫等控制。本活動調(diào)壓器的輸出功率達100W，一般家用電器都能使用。電路原理：電路圖如下可控硅交流調(diào)壓器由可控整流電路和觸發(fā)電路兩部分組成，從圖中可知，二極管D1—D4組成橋式整流電路，雙基極二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器作為可控硅的同步觸發(fā)電路。當調(diào)壓器接上220V交流電通過負載電阻RL經(jīng)二極管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K兩端形成一個脈動直流電壓，該電壓由電阻R1降壓后作為觸發(fā)電路的直流電源。在交流電的正半周時，整流電壓通過R4、W1對電容C充電。當充電電壓Uc達到T1管的峰值電壓Up時。

壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的?？煽毓枘K②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講，焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低。。淄博正高電氣運用高科技，不斷創(chuàng)新為企業(yè)經(jīng)營發(fā)展的宗旨。

可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。5、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞，其芯片G-K間有燒焦的通路（短路痕跡）。淄博正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價格及完善的售后服務。福建小功率晶閘管移相調(diào)壓模塊供應商

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輸出電壓與輸入電壓比值很小，下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?，半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應選擇在大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上。模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算：I>KI負載U大，MU實際K：安全系數(shù)，阻性負載K=，感性負載K=2；I負載：負載流過的大電流；U實際：負載上的小電壓；U大：模塊能輸出的大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的，單相整流模塊為輸入電壓的，其余規(guī)格均為）；I：需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。模塊散熱條件的好壞直接關系到產(chǎn)品的使用壽命和短時過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中必須配備散熱器和風機，建議采用帶有過熱保護功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。威海單相晶閘管移相調(diào)壓模塊功能

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