可控硅又稱晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導體器件,其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等??煽毓璧奶攸c是具有可控的單向?qū)щ娦?,以小電流控制大電流,以低電壓控制高電壓??煽毓杩梢杂萌f用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成3個PN結(jié),具有3個外電極:陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時,萬用表置于“Rx10Ω”檔,黑表筆(表內(nèi)電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內(nèi)電池負極)接單向可控硅的陰極K,這時測量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,應有較小的阻值。如下圖所示。對調(diào)兩表筆后,測其反向電阻,應比正向電阻明顯大一些。萬用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,紅表筆改接單向可控硅的陽極A,阻值應為無窮大,如下圖所示。對調(diào)兩表筆后,再測,阻值仍應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結(jié)反向串聯(lián),正常情況下其正、反向阻值均為無窮大。二、檢測單向晶閘管導通特性萬用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接單向可控硅陽極A,紅表筆接單向可控硅陰極K,表針應指示為無窮大。這是用金屬導體將控制極G與陽極A短接一下(短接后馬上斷開)。淄博正高電氣企業(yè)價值觀:以人為本,顧客滿意,溝通合作,互惠互利。山東單相晶閘管移相調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家
壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別?可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,對于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類型非常的多,比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,很多人不是很清楚兩者之間的差異,下面詳細的進行區(qū)分一下。①從電流方面來講,焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A,這就是講低于160A的模塊,不只是有焊接式的,同時也有壓接式的??煽毓枘K②從外形方面來講,焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術(shù)十分的標準,焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知,壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的,有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊,這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀,除此之外從價格方面來講,焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低。。山東單相晶閘管移相調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家淄博正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高,逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進行技術(shù)改造。
用萬用表DC10V檔測C2兩端電壓應為5V-6V之間,若不正常,應重點檢查整流穩(wěn)壓電路,然后再分別按動SB1-SB4開關(guān),觀察各路指示管VD1-VD8應按對應的選擇功能發(fā)光或熄滅,風扇也應同步工作于不同狀態(tài)。采用TVVH9238-LC901及MAC97A6的多功能無線電遙控電風扇電路介紹的電風扇無線遙控調(diào)速器是采用4位遙控模塊和一塊風扇調(diào)速集成電路,它可將普通電風扇改造成無線電遙控多功能調(diào)速風扇。工作原理電風扇無線遙控調(diào)速器的風扇接收部分電路原理圖如圖1所示。發(fā)射部分是一個4位TWH9236匙扣式發(fā)射器,其A鍵用作風速(SPEED)調(diào)節(jié)、B鍵為風類(MODE)調(diào)節(jié),C鍵為定時(TIME)設(shè)定,D鍵為關(guān)(OFF)。IC1是與TWH9236遙控發(fā)射器相對應的TWH9238接收模塊,其A,B、C,D4個引腳與發(fā)射器上A、B、C、D4個按鍵是一一對應的。IC3是一塊LC901電風扇調(diào)速所用集成電路,其1、巧、14和5腳分別為風速(SPEED)、風類(MODE)、定時(TIME)、關(guān)(OFF)控制設(shè)定端,低電平觸發(fā)有效。當1腳反復受到低電平觸發(fā),風速依次為強風(S)~中風(M)~弱風(L)一強風(S)~……,11腳為強風輸出端S,12腳為中風輸出端M,13腳為弱風輸出端L,有效輸出為高電平,分別觸發(fā)驅(qū)動雙向晶閘管VTH1一VTH3。
可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了?當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,損壞的面積小,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,損壞的面積大,其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。5、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓()12V)而損壞,其芯片G-K間有燒焦的通路(短路痕跡)。我公司將以優(yōu)良的產(chǎn)品,周到的服務與尊敬的用戶攜手并進!
輸出電壓與輸入電壓比值很小,下輸出的電流峰值很大,但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。?,但是輸出電流的有效值很大,半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。因此,模塊應選擇在大導通角的65%以上工作,及控制電壓應在5V以上。模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流,存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩(wěn)定因素,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,在選取模塊電流規(guī)格時必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算:I>KI負載U大,MU實際K:安全系數(shù),阻性負載K=,感性負載K=2;I負載:負載流過的大電流;U實際:負載上的小電壓;U大:模塊能輸出的大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的,單相整流模塊為輸入電壓的,其余規(guī)格均為);I:需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時過載能力,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在使用中必須配備散熱器和風機,建議采用帶有過熱保護功能的產(chǎn)品,有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。淄博正高電氣具備雄厚的實力和豐富的實踐經(jīng)驗。山東單相晶閘管移相調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家
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當電容C被充足電后,使三極管V由截止轉(zhuǎn)為導通狀態(tài),將可控硅SCR關(guān)斷,電燈也就熄滅了。本電路關(guān)燈延時期間,延時時間由R1、C的取值來確定,讀者也可根據(jù)各自需要自行確定。本電路中的可控硅,筆者選用的為單向可控硅,在關(guān)燈延時期間電燈的亮度約為開燈時亮度的一半,以適合人們的視覺上的需要,同時又可節(jié)能。電路制作:圖中單向可控硅SCR選用MCR100-8,耐壓須為600V以上。燈泡的功率不大于100W為宜。二極管VD為1N4007,V為C1815。電阻均為1/8W碳膜電阻。制作時,用一小塊電路板將圖中虛線框內(nèi)各元器件焊裝上。好將本電路裝在拉線開關(guān)底部凹槽內(nèi),用膠水粘牢并將引線接至開關(guān)兩接線端即可。8:單鍵自鎖開關(guān)單鍵自鎖開關(guān)說明1、上電不動作。2、按鈕按下后再釋放,繼電器吸合。3、按鈕長按時,繼電器釋放,松開后繼電器吸合。4、按鈕點按時:繼電器釋放←→吸合循環(huán)動作。5、因為47Ω電阻有壓降,繼電器可以用DC9V的。9:簡單的停電自鎖開關(guān)電網(wǎng)供電正常時,它象普通開關(guān)一樣使用。按一下K1,220V交流電經(jīng)R1和R2分壓給雙向可控硅提供一觸發(fā)電壓,使雙向可控硅導通。可控硅導通后,在電源電壓正半周期間,少量電流經(jīng)R4、D向C充電,同時經(jīng)R3、R2分壓觸發(fā)可控硅。山東單相晶閘管移相調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家
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