北京單向晶閘管調(diào)壓模塊分類

走進(jìn)晶閘管模塊的世界晶閘管模塊在設(shè)計(jì)電子工程以及一般電路時(shí)用的較多，另外，還使用如電子元器件等電氣用具。這些電器元件基本上由電阻器、晶體管、電感器以及晶閘管等組成。也可以叫做整流器。整流器可以分為兩類：一是不可控整流器；二是可控硅整流器（也就是我們經(jīng)常說(shuō)的晶閘管）。在這里，正高就和大家聊一下晶閘管的基礎(chǔ)知識(shí)。1、晶閘管模塊介紹晶閘管模塊是一種多層半導(dǎo)體，它與晶體管的構(gòu)造相似。晶閘管是由三個(gè)部件（陽(yáng)極、陰極、柵極）組成，它不像兩端二極管（陽(yáng)極、陰極）一樣，無(wú)論二極管的陽(yáng)極電壓如何大于陰極電壓，也不會(huì)受控制，晶閘管可以控制，所以晶閘管也叫作可控硅整流器或者是可控硅。2、晶閘管模塊基本晶閘管模塊是一種單向器件，就是說(shuō)它只能在一個(gè)方向上傳導(dǎo)，除此之外，晶閘管還可以用作很多材料的加工制作，如：碳化硅、砷化鎵等。但是，硅相比于晶閘管，它具有良好的導(dǎo)熱性及高電壓性，因此，硅之類的也被稱之為可控硅整流器。3、晶閘管模塊原理晶閘管模塊的工作原理可以分為三部分，具體的三部分可以分為：一、轉(zhuǎn)發(fā)阻止模式二、正向?qū)Ｊ饺⒎聪蜃枞Ｊ健?、晶閘管模塊應(yīng)用晶閘管模塊大部分應(yīng)用于大電流的食用。淄博正高電氣擁有業(yè)內(nèi)人士和高技術(shù)人才。北京單向晶閘管調(diào)壓模塊分類

晶閘管模塊的應(yīng)用非常廣，大到電氣行業(yè)設(shè)備中的應(yīng)用，小到日常生活中的應(yīng)用，但是如果有使用不當(dāng)?shù)臅r(shí)候就會(huì)造成晶閘管模塊燒壞的情況，下面正高來(lái)介紹下晶閘管模塊被燒壞的原因有哪些？晶閘管模塊燒壞都是由溫度過(guò)高造成的，而溫度是由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的，因此保證晶閘管模塊在研制、生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手：電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產(chǎn)晶閘管模塊時(shí)應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力、結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞晶閘管模塊的原因很多，總的說(shuō)來(lái)還是三者共同作用下才致使晶閘管模塊燒壞的，某一單獨(dú)的特性下降很難造成品閘管燒壞，因此我們?cè)谏a(chǎn)過(guò)程中可以充分利用這個(gè)特點(diǎn)，就是說(shuō)如果其中的某個(gè)應(yīng)力達(dá)不到要求時(shí)可以采取提高其他兩個(gè)應(yīng)力的辦法來(lái)彌補(bǔ)。從晶閘管模塊的各相參數(shù)看，經(jīng)常發(fā)生的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等，甚至有時(shí)控制極也可燒壞。由于晶閘管模塊各參數(shù)性能的下降或線路問(wèn)題會(huì)造成晶閘管模塊燒損，從表面看來(lái)每個(gè)參數(shù)所造成晶閘管模塊燒損的現(xiàn)象是不同的，因此通過(guò)解剖燒損的晶閘管模塊就可以判斷出是由哪個(gè)參數(shù)造成晶閘管模塊燒壞的。青海晶閘管調(diào)壓模塊淄博正高電氣為客戶服務(wù)，要做到更好。

在電子元器件中，可控硅可以運(yùn)用單向可控硅或者雙向可控硅作為家電的開(kāi)關(guān)、調(diào)壓的執(zhí)行器件都是非常方便的，不只是這樣，而且還可以控制直流、交流電路的負(fù)載功率。在這里，正高小編就和大家聊一下可控硅在現(xiàn)實(shí)生活中的應(yīng)用范圍：1、觸發(fā)電路的問(wèn)題如果要讓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通，除了要有足夠的觸發(fā)脈沖幅度和正確的極性以外，觸發(fā)電路和可控硅陰極之間必須有共同的參考點(diǎn)。有些電路從表面看，觸發(fā)脈沖被加到可控硅的觸發(fā)極G，但可控硅的陰極和觸發(fā)信號(hào)卻無(wú)共同參考點(diǎn)，觸發(fā)信號(hào)并未加到可控硅的G—K之間，可控硅不可能被觸發(fā)。2、電感負(fù)載的應(yīng)用可控硅用于控制電感負(fù)載，譬如電風(fēng)扇、交流接觸器、有變壓器的供電設(shè)備等，則不同。因?yàn)檫@種移相式觸發(fā)電路，可控硅在交流電半周持續(xù)期間導(dǎo)通，半周過(guò)零期間截止。當(dāng)可控硅導(dǎo)通瞬間，加到電感負(fù)載兩端電壓為交流電的瞬時(shí)值，有時(shí)可能是交流電的大值。根據(jù)電感的特性，其兩端電壓不可能突變，高電壓加到電感的瞬間產(chǎn)生反向自感電勢(shì)，反對(duì)外加電壓。外加電壓的上升曲線越陡，自感電勢(shì)越高，有時(shí)甚至超過(guò)電源電壓而擊穿可控硅。因此，可控硅控制電感負(fù)載，首先其耐壓要高于電源電壓峰值。此外，可控硅兩電極間還要并聯(lián)接入RC尖峰吸收電路。

軟啟動(dòng)器可控硅降溫的重要性軟啟動(dòng)器中可控硅模塊是比較重要的一環(huán)，所以保護(hù)好可控硅模塊能夠的延長(zhǎng)軟啟動(dòng)器的使用壽命?？煽毓枘K與其它功率器件一樣，工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去，就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗、門(mén)極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中主要的是導(dǎo)通損耗。散熱器的常用散熱方式有：自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。正常工作情況的軟啟動(dòng)器設(shè)備有，主要以熱量的形式散失在環(huán)境當(dāng)中，所以我們要先解決軟啟動(dòng)器工作環(huán)境的溫度問(wèn)題，若工作環(huán)境的溫度過(guò)高則將危害到軟啟動(dòng)器的工作，導(dǎo)致軟啟動(dòng)器過(guò)熱保護(hù)跳閘。保證軟起動(dòng)器具有良好的運(yùn)行環(huán)境，須對(duì)變頻器及運(yùn)行環(huán)境的溫度控制采取相應(yīng)的措施。給軟啟動(dòng)器預(yù)留一定的空間，定期給軟啟動(dòng)器進(jìn)行清灰處理，都是能夠有效降低可控硅溫度的方式。淄博正高電氣永遠(yuǎn)是您身邊的行業(yè)**！

可控硅智能模塊是一種非常重要的電子配件，它的應(yīng)用也非常廣，它的出現(xiàn)解決了電路上的很多問(wèn)題，下面正高電氣就來(lái)介紹一下可控硅智能模塊在電氣控制領(lǐng)域中的應(yīng)用。在電氣控制領(lǐng)域的可控硅智能模塊，其實(shí)就是將可控硅晶閘管主電路與移相觸發(fā)電路、控制電路進(jìn)行集成封裝的新型模塊，目前國(guó)際上通用的晶閘管智能模塊的移相觸發(fā)電路為全數(shù)字電路，功能電路由單片機(jī)完成，并且內(nèi)置有多路電流、電壓、溫度傳感器，通過(guò)模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤(pán)，進(jìn)行各種功能和電氣參數(shù)設(shè)定，并可進(jìn)行LED或LCD顯示。這種全新的智能可控硅晶閘管模塊在體積、容量以及智能化程度方面，都與傳統(tǒng)的裝置有了明顯的不同。在了解了這種可控硅模塊的發(fā)展情況之后，接下來(lái)我們?cè)賮?lái)看一下這種智能可控硅模塊的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)是怎樣的。通常情況下，一個(gè)較為完整的可控硅模塊一般由電力晶閘管，移相觸發(fā)器，軟件控制的單片機(jī)，電流、電壓、溫度傳感器以及操作鍵盤(pán)，LED或LCD顯示等部分組成。智能可控硅模塊具有相當(dāng)不錯(cuò)的智能水平和適應(yīng)性，因此這種晶閘管模塊也能夠充分適應(yīng)電氣控制系統(tǒng)的應(yīng)用需要。我公司將以優(yōu)良的產(chǎn)品，周到的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn)！青海晶閘管調(diào)壓模塊

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可控硅模塊屬于電氣元器件，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件，它是從普通可控硅模塊的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，使用更加方便、安全可靠。下面正高來(lái)帶您了解下雙向可控硅模塊的特點(diǎn)與性能。雙向可控硅模塊是由一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個(gè)主電極T1和T2和一個(gè)門(mén)極G，門(mén)極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對(duì)稱的伏安特性。雙向可控硅模塊門(mén)極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅模塊，需定量掌握其主要參數(shù)，對(duì)雙向可控硅模塊進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。特點(diǎn)：1對(duì)耐壓級(jí)別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。2對(duì)電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。北京單向晶閘管調(diào)壓模塊分類

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