湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

設計在 4.5V 到 17V 范圍內(nèi)工作，BUCK 降壓變換器要求輸入電壓高于輸出電壓才能正常工作，建議比較大工作占空比為75%，則建議的**小輸入電壓為VOUT/0.75。芯片不允許輸出電壓高于輸入電壓，這種情況下輸出電壓通過高側(cè)功率體二極管向輸入電源放電，由此產(chǎn)生的反向電流可能導致不可預測的行為。如果有這種應用條件出現(xiàn)，可以添加串聯(lián)二極管等方式以阻斷此反向電流。電感的選型關系到芯片方案的體積、成本、效率和暫態(tài)響應性能。主要考慮電感的3 個關鍵參數(shù)：電感量(L)，電感飽和電流(ISAT) 和電感直流電阻(DCR)。為了避免開通瞬間的 干擾， 芯片內(nèi)設計有前沿消隱電路（ 典型值 300ns）。湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

如果輸出電容在芯片啟動時已經(jīng)處于預偏置電壓狀態(tài)，芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動開關，VOUT 開始上升。該預偏置軟啟動方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(UVP) 功能，通過不斷監(jiān)測反饋電壓VFB 防止芯片輸出過載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%)，欠壓比較器的輸出將會置高，以關閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開關管，阻止芯片繼續(xù)開關工作。江蘇交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電藍牙非隔離BUCK電源芯片樣品芯片內(nèi)置OTP當芯片溫度低于 140℃，芯片進入自恢復重啟過程。

220V降壓3.3V瞬間450mA電流，專門針對WIFI模塊供電設計的芯片，滿足各種應用要求，低待機功耗：芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP35026集成有完備的帶自恢復功能的保護功能：VDD欠壓保護、輸出過壓保護、逐周期電流限制、異常過流保護、過熱保護和過載保護等。主要特點?固定輸出3.3V?快速動態(tài)響應，滿足WIFI供電要求?空載待機功耗低于20mW?集成續(xù)流二極管?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?比較高45kHz開關頻率?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓撲?良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護功能：?過載保護(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?異常過流保護(AOCP)?輸出過壓保護(OVP)?過溫保護(OTP)?封裝類型SOP-4

芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為32us，同時為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實際工作中，系統(tǒng)開關頻率取決于負載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準的高低，所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過流比較器的輸入。當過流比較器翻轉(zhuǎn)時高壓MOSFET關斷直至下一個周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾，芯片內(nèi)設計有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關斷。內(nèi)部功率MOSFET 漏極，當輸入電壓下降至充電窗口區(qū)間 時向后級提供能量。

集成了輸出過壓保護(OVP) 功能，以減小輸出電壓過沖，并保護下游用電設備免受在輸出故障條件或者突減負載時可能出現(xiàn)的高壓尖峰的損壞。OVP 電路通過監(jiān)測反饋電壓(VFB) 檢測過壓條件。當VFB 超過 OVP 閾值 (VOVP) 時，OVP 比較器輸出置高，內(nèi)置高側(cè)和低側(cè)MOSFET 都將關閉，以避免VOUT 進一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP，芯片開始再次工作。輸出過壓保護功能為非鎖存功能。IC內(nèi)部集成了紋波注入電路來模擬輸出電壓紋波從而實現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內(nèi)部還集成了一個斜坡信號產(chǎn)生電路，以減少開關抖動?？烧{(diào)輸出電壓，比較高輸出電流限制的特 點，適用于非隔離型AC-DC。湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

芯片工作在準諧振工作模式下，可有 效降低開關損耗，提高系統(tǒng)效率。湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

高性能、低成本離線式PWM控制開關KP3501A是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關，適用于降壓型電路。KP3501A采用高壓單晶圓工藝，在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開關式峰值電流模式控制的控制器。在全電壓輸入的范圍內(nèi)可以保證高精度的5V默認輸出。在芯片內(nèi)部，芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為20μs且?guī)в卸额l功能，在保證輸出功率的條件下優(yōu)化了EMI效果。同時，芯片設計有輕重載模式，可輕松獲得低于50mW的待機功耗。KP3501A集成有完備的保護功能：VDD欠壓保護、逐周期電流限制、異常過流保護、過熱保護、過載保護和短路保護等。主要特點?高精度5V默認輸出?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?集成續(xù)流二極管?集成采樣電阻，**系統(tǒng)成本?支持**壓輸入(15V以上)應用?支持降壓電路?開關式峰值電流模式控制?**待機功耗小于50Mw?比較高45kHz開關頻率?**工作電流，支持小VDD電容?集成軟啟動電路?集成式保護功能:?過載保護(OLP)?過熱保護(OTP)?逐周期電流限制(OCP)?異常過流保護(AOCP)?前沿消隱(LEB)?VDD欠壓保護?封裝類型SOP-4湖南大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠