福建AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片資料

持續(xù)的研發(fā)是保持產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵，而模擬芯片的研發(fā)與設(shè)計(jì)需要電子、材料、半導(dǎo)體等跨學(xué)科知識(shí)的積累和跨行業(yè)技術(shù)的整合，且對(duì)研發(fā)人員的專(zhuān)業(yè)水平和工作經(jīng)驗(yàn)要求較高。必易微的**研發(fā)團(tuán)隊(duì)均具備國(guó)內(nèi)外名校的學(xué)歷背景，并曾在國(guó)內(nèi)外**科技企業(yè)擔(dān)任高層研發(fā)和管理職務(wù)，擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，對(duì)模擬集成電路設(shè)計(jì)有著深刻的理解。必易微在市場(chǎng)開(kāi)拓的進(jìn)程中專(zhuān)注客戶(hù)服務(wù)，對(duì)客戶(hù)的需求能夠快速響應(yīng)，以解決客戶(hù)痛點(diǎn)、**市場(chǎng)潮流為市場(chǎng)價(jià)值導(dǎo)向，取得了行業(yè)頭部客戶(hù)的認(rèn)可和采用，推動(dòng)了公司產(chǎn)品打破國(guó)外廠商對(duì)市場(chǎng)的壟斷地位，為公司新產(chǎn)品、新業(yè)務(wù)的發(fā)展提供了***遼闊的市場(chǎng)空間。內(nèi)部集成門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路、頻率限制電路、 差分放大電路。福建AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片資料

芯片內(nèi)部**小Toff時(shí)間固定為32us，同時(shí)為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實(shí)際工作中，系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率取決于負(fù)載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準(zhǔn)的高低，所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過(guò)流比較器的輸入。當(dāng)過(guò)流比較器翻轉(zhuǎn)時(shí)高壓MOSFET關(guān)斷直至下一個(gè)周期重新開(kāi)通。為了避免開(kāi)通瞬間的干擾，芯片內(nèi)設(shè)計(jì)有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時(shí)間內(nèi)過(guò)流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關(guān)斷。上海非隔離BUCK電源芯片型號(hào)當(dāng)過(guò)流或者過(guò)熱故障發(fā)生時(shí)，芯片進(jìn)入到自動(dòng)重啟 和VDD 振蕩模式中。

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測(cè)電路，該電路通過(guò)Drain端對(duì)地內(nèi)置的分壓電阻檢測(cè)AC信號(hào)。當(dāng)芯片檢測(cè)到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內(nèi)部功率MOSFET隨即打開(kāi)對(duì)VDD電容進(jìn)行充電。由于芯片Drain端對(duì)地存在寄生電容，導(dǎo)致Drain端電壓可能過(guò)高，芯片將一直無(wú)法進(jìn)入充電窗口。針對(duì)該問(wèn)題，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了主動(dòng)式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開(kāi)內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達(dá)到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過(guò)對(duì)芯片Drain端寄生電容的主動(dòng)式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對(duì)VDD進(jìn)行充電。此外，當(dāng)各種保護(hù)（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時(shí)，主動(dòng)式泄放電路也將打開(kāi)，對(duì)VDD電容進(jìn)行充電，同時(shí)對(duì)Drain端寄生電容進(jìn)行放電，以此確保后續(xù)保護(hù)邏輯的順利展開(kāi)和自恢復(fù)重啟的順利進(jìn)行。

VIN 欠壓鎖定功能(UVLO) 禁止芯片在輸入供電電壓過(guò)低時(shí)工作。UVLO 比較器監(jiān)測(cè)內(nèi)部穩(wěn)壓電源VCC 的輸出電壓大小。當(dāng)VIN 下降到VUVLO(F) 以下時(shí)，芯片停止開(kāi)關(guān)工作，禁止使能。當(dāng)VIN 上升到VUVLO(R) 以上時(shí)，如果此時(shí)VEN 也大于VEN(R)，則芯片使能，開(kāi)始軟啟動(dòng)恢復(fù)正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降閾值為固定值，且典型遲滯電壓為400mV。如果實(shí)際應(yīng)用中需要設(shè)置更高的閾值和遲滯電壓，芯片支持在EN 引腳外接分壓電阻實(shí)現(xiàn)VIN UVLO 上升閾值和VIN UVLO 下降閾值自定義設(shè)置，從而避免芯片在開(kāi)關(guān)機(jī)時(shí)刻由于VIN 的尖峰噪聲和紋波導(dǎo)致芯片反復(fù)重啟。在穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，芯片通過(guò)反饋二極管由輸 出進(jìn)行供電，同時(shí)借助高壓?jiǎn)?dòng)電路，系統(tǒng)待機(jī)功 耗可以低至 50mW 以下。

主要特點(diǎn)?固定12V輸出?集成650V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?VDD過(guò)壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)?封裝類(lèi)型SOP-8/DIP-7典型應(yīng)用?小家電電源?工業(yè)控制同時(shí)芯片采用了多模式 PWM 控制技術(shù)，有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。我們提供可靠質(zhì)量的非隔離BUCK電源降壓芯片。AC高壓降3.3V藍(lán)牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片價(jià)格

PWM控制電路、**的過(guò)零檢測(cè)電 路以及各種保護(hù)電路，用以實(shí)現(xiàn)臨界導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)控制。福建AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片資料

集成了輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP) 功能，以減小輸出電壓過(guò)沖，并保護(hù)下游用電設(shè)備免受在輸出故障條件或者突減負(fù)載時(shí)可能出現(xiàn)的高壓尖峰的損壞。OVP 電路通過(guò)監(jiān)測(cè)反饋電壓(VFB) 檢測(cè)過(guò)壓條件。當(dāng)VFB 超過(guò) OVP 閾值 (VOVP) 時(shí)，OVP 比較器輸出置高，內(nèi)置高側(cè)和低側(cè)MOSFET 都將關(guān)閉，以避免VOUT 進(jìn)一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP，芯片開(kāi)始再次工作。輸出過(guò)壓保護(hù)功能為非鎖存功能。IC內(nèi)部集成了紋波注入電路來(lái)模擬輸出電壓紋波從而實(shí)現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內(nèi)部還集成了一個(gè)斜坡信號(hào)產(chǎn)生電路，以減少開(kāi)關(guān)抖動(dòng)。福建AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片資料

互勤(深圳)科技有限公司目前已成為一家集產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售相結(jié)合的貿(mào)易型企業(yè)。公司成立于2019-11-11，自成立以來(lái)一直秉承自我研發(fā)與技術(shù)引進(jìn)相結(jié)合的科技發(fā)展戰(zhàn)略。公司主要經(jīng)營(yíng)電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片等，我們始終堅(jiān)持以可靠的產(chǎn)品質(zhì)量，良好的服務(wù)理念，優(yōu)惠的服務(wù)價(jià)格誠(chéng)信和讓利于客戶(hù)，堅(jiān)持用自己的服務(wù)去打動(dòng)客戶(hù)。必易,杰華特,矽力杰,華潤(rùn)微致力于開(kāi)拓國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，與電子元器件行業(yè)內(nèi)企業(yè)建立長(zhǎng)期穩(wěn)定的伙伴關(guān)系，公司以產(chǎn)品質(zhì)量及良好的售后服務(wù)，獲得客戶(hù)及業(yè)內(nèi)的一致好評(píng)?；デ?深圳)科技有限公司以先進(jìn)工藝為基礎(chǔ)、以產(chǎn)品質(zhì)量為根本、以技術(shù)創(chuàng)新為動(dòng)力，開(kāi)發(fā)并推出多項(xiàng)具有競(jìng)爭(zhēng)力的電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片產(chǎn)品，確保了在電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)。