山東大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片資料

來源: 發(fā)布時間:2023-07-13

同步降壓變換器的輸出級主要由電感和電容組成,通過內(nèi)部集成的功率MOSFET管的開關切換,將能量存儲并傳遞給負載,并形成二階低通濾波器平滑開關節(jié)點電壓,得到穩(wěn)定的輸出直流電壓。本節(jié)基于設計實例主要描述詳細的設計過程。芯片可以通過使用外部分壓電阻連接到FB引腳來設置不同的輸出電壓。輸出電壓與外部分壓電阻的公式如下:????????+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推薦從分壓下電阻RFB(B)開始設計。過大的RFB(B)會導致FB引腳更容易收到外界噪聲干擾,而過小的RFB(B)會增大分壓電阻的功率損耗。綜合考慮二者,推薦選擇RFB(B)=10kΩ~50kΩ。則分壓上電阻RFB(T)可由如下公式計算得到:?????????×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V反饋輸入管腳,該引腳懸空時默認 12V 輸出。山東大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片資料

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我們芯片采用高壓集成工藝,內(nèi)部集成有500V高壓MOSFET,適用于小家電和輔助電源應用場合所需的離線式降壓電路和升降壓電路,也可用于線性電源的替代型電源。芯片采用開關式峰值電流模式控制,默認5V高精度輸出時很大程度降低了系統(tǒng)成本。此外,芯片經(jīng)過內(nèi)部優(yōu)化,可兼容**壓輸入(15Vdc以上)應用。IC芯片的靜態(tài)工作電流典型值為150uA。如此低的工作電流降低了對于VDD電容大小的要求,同時也可以幫助系統(tǒng)降低成本。通常條件下建議使用0.1-1uF瓷片電容。山東大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片資料這款芯片適用于WIFI模塊供電。

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220V降壓3.3V瞬間450mA電流,專門針對WIFI模塊供電設計的芯片,滿足各種應用要求,低待機功耗:芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP35026集成有完備的帶自恢復功能的保護功能:VDD欠壓保護、輸出過壓保護、逐周期電流限制、異常過流保護、過熱保護和過載保護等。主要特點?固定輸出3.3V?快速動態(tài)響應,滿足WIFI供電要求?空載待機功耗低于20mW?集成續(xù)流二極管?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?比較高45kHz開關頻率?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓撲?良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護功能:?過載保護(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?異常過流保護(AOCP)?輸出過壓保護(OVP)?過溫保護(OTP)?封裝類型SOP-4

主要特點?固定12V輸出?集成650V高壓MOSFET和高壓啟動電路?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓撲?良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護功能:?過載保護(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(OVP)?VDD過壓、欠壓和電壓箝位保護?封裝類型SOP-8/DIP-7典型應用?小家電電源?工業(yè)控制同時芯片采用了多模式 PWM 控制技術,有效簡化了外圍電路設計,提升線性調(diào)整率和負載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機功耗。AC交流輸入,輸出3.3V/400mA.

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在輕載條件下工作在強制脈寬調(diào)制模式(FPWM),以保持開關頻率的恒定和維持低的輸出電壓紋波。當HSF 處于關斷狀態(tài)時,LSF 將在 10ns 后的死區(qū)時間后被強制打開,直到在下一個周期HSF 打開前關閉。這種工作模式不檢測電感電流過零點,允許電感電流通過LSF 的漏-源極從輸出電容流到開關節(jié)點,稱為反向電流。在這種情況下,開關頻率在整個負載電流范圍內(nèi)幾乎保持恒定,實現(xiàn)低輕載輸出電壓波紋。低功耗DCDC降壓轉換器,低紋波,高效率,電路簡潔。設計的軟驅動功能的驅動電路優(yōu)化了系統(tǒng) EMI 性能。江蘇低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片資料

芯片內(nèi)置OTP當芯片溫度低于 140℃,芯片進入自恢復重啟過程。山東大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片資料

在輕載工作條件下自動進入脈沖頻率調(diào)制模式(PFM),以保持輕載高效率。當負載電流逐漸減小時,電感電流紋波的波谷逐漸下降,直至電感電流波谷為0A,此時即為電感電流連續(xù)導通模式和不連續(xù)導通模式的臨界——電感電流臨界導通模式。繼續(xù)降低負載電流,當檢測到電感電流過零時,將會關閉低側MOSFET (LSF),從而電感電流保持為零。在這種情況下,輸出電容只被負載電流放電,輸出電壓下降速度變慢,從而開關頻率將會降低。由于開關頻率的降低,輕載時的開關損耗也將降低,從而提高了系統(tǒng)的輕載效率。山東大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片資料

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