湖北大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

主要特點(diǎn)?固定12V輸出?集成650V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?VDD過(guò)壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)?封裝類型SOP-8/DIP-7典型應(yīng)用?小家電電源?工業(yè)控制同時(shí)芯片采用了多模式 PWM 控制技術(shù)，有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸 入功率取決于電感電流峰值大小。湖北大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

同步降壓變換器的輸出級(jí)主要由電感和電容組成，通過(guò)內(nèi)部集成的功率MOSFET管的開(kāi)關(guān)切換，將能量存儲(chǔ)并傳遞給負(fù)載，并形成二階低通濾波器平滑開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓，得到穩(wěn)定的輸出直流電壓。本節(jié)基于設(shè)計(jì)實(shí)例主要描述詳細(xì)的設(shè)計(jì)過(guò)程。芯片可以通過(guò)使用外部分壓電阻連接到FB引腳來(lái)設(shè)置不同的輸出電壓。輸出電壓與外部分壓電阻的公式如下：????????+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推薦從分壓下電阻RFB(B)開(kāi)始設(shè)計(jì)。過(guò)大的RFB(B)會(huì)導(dǎo)致FB引腳更容易收到外界噪聲干擾，而過(guò)小的RFB(B)會(huì)增大分壓電阻的功率損耗。綜合考慮二者，推薦選擇RFB(B)=10kΩ~50kΩ。則分壓上電阻RFB(T)可由如下公式計(jì)算得到：?????????×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V遼寧AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片加工該芯片通過(guò)智能控制交流能 量輸入以減小系統(tǒng)損耗，提高系統(tǒng)效率，同時(shí)有效 降低系統(tǒng)待機(jī)。

設(shè)計(jì)在 4.5V 到 17V 范圍內(nèi)工作，BUCK 降壓變換器要求輸入電壓高于輸出電壓才能正常工作，建議比較大工作占空比為75%，則建議的**小輸入電壓為VOUT/0.75。芯片不允許輸出電壓高于輸入電壓，這種情況下輸出電壓通過(guò)高側(cè)功率體二極管向輸入電源放電，由此產(chǎn)生的反向電流可能導(dǎo)致不可預(yù)測(cè)的行為。如果有這種應(yīng)用條件出現(xiàn)，可以添加串聯(lián)二極管等方式以阻斷此反向電流。電感的選型關(guān)系到芯片方案的體積、成本、效率和暫態(tài)響應(yīng)性能。主要考慮電感的3 個(gè)關(guān)鍵參數(shù)：電感量(L)，電感飽和電流(ISAT) 和電感直流電阻(DCR)。

互勤科技是一家專注于為中國(guó)電子企業(yè)提供集成電路及相關(guān)電子元器件，并集方案設(shè)計(jì)、技術(shù)支持、銷售服務(wù)為一體的***銷售型企業(yè)。公司總部設(shè)在深圳，在上海、杭州、蘇州、長(zhǎng)沙、青島和西安等地設(shè)有分公司和辦事處，并設(shè)有技術(shù)研發(fā)中心和各分公司區(qū)域的技術(shù)支持部門。公司以“先進(jìn)的技術(shù)，滿意的質(zhì)量，優(yōu)異的業(yè)績(jī)，銳意的創(chuàng)新”為經(jīng)營(yíng)方針，不斷發(fā)展，不斷完善，為國(guó)內(nèi)廣大電子廠家提供高質(zhì)量的產(chǎn)品和服務(wù)。尤其在電子式電能表領(lǐng)域，更具有超前的開(kāi)發(fā)水平、專業(yè)的技術(shù)服務(wù)經(jīng)驗(yàn)。通過(guò)多年不懈的努力，公司贏得了廣大客戶的信任和大力支持，并與眾多**的電子產(chǎn)品廠家結(jié)成合作伙伴。芯片供電管腳，同時(shí)作為輸出電壓反饋端 (FB 懸空時(shí))。典型應(yīng)用 中 VDD 電容推薦采用 1uF 陶瓷電容。

EN 引腳有一個(gè)內(nèi)部上拉電流源，從而允許用戶保持EN 引腳懸空來(lái)使能芯片。另外根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要，EN 引腳可以接在外部邏輯控制接口上以實(shí)現(xiàn)芯片的使能控制。EN 引腳內(nèi)部集成了一個(gè)5V 的穩(wěn)壓二極管(典型的擊穿電壓為6.9V) 以保護(hù)內(nèi)部電路受到過(guò)壓風(fēng)險(xiǎn)。在將EN 引腳外接到高于6V的電壓比如VIN 電壓時(shí)，串聯(lián)加入上拉電阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引腳的輸入電流，防止損壞齊納二極管。芯片內(nèi)部集成了紋波注入電路來(lái)模擬輸出電壓紋波從而實(shí)現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內(nèi)部還集成了一個(gè)斜坡信號(hào)產(chǎn)生電路，以減少開(kāi)關(guān)抖動(dòng)。這款芯片適用于MUC供電，線路簡(jiǎn)單。遼寧AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片加工

在芯片內(nèi)部，振蕩器頻率 固定為31kHz且?guī)в卸额l功能，在保證輸出功率的 條件下優(yōu)化了EMI效果。湖北大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP35064集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)載保護(hù)和VDD過(guò)壓保護(hù)等。主要特點(diǎn)?集成500V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?集成續(xù)流二極管?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開(kāi)關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?過(guò)溫保護(hù)(OTP)?封裝類型SOP-8湖北大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

互勤科技，2019-11-11正式啟動(dòng)，成立了電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片等幾大市場(chǎng)布局，應(yīng)對(duì)行業(yè)變化，順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升必易,杰華特,矽力杰,華潤(rùn)微的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，把握市場(chǎng)機(jī)遇，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。業(yè)務(wù)涵蓋了電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片等諸多領(lǐng)域，尤其電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì)，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。隨著我們的業(yè)務(wù)不斷擴(kuò)展，從電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片等到眾多其他領(lǐng)域，已經(jīng)逐步成長(zhǎng)為一個(gè)獨(dú)特，且具有活力與創(chuàng)新的企業(yè)。公司坐落于光明街道東周社區(qū)高新路研祥科技工業(yè)園二棟研發(fā)大樓1007，業(yè)務(wù)覆蓋于全國(guó)多個(gè)省市和地區(qū)。持續(xù)多年業(yè)務(wù)創(chuàng)收，進(jìn)一步為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)、社會(huì)協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。