福建大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片樣品

輸出電壓可調(diào)，高壓交流220V非隔離BUCK電路芯片，非常適用于智能照明，智能家電控制產(chǎn)品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP35064內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。集成有快速動態(tài)影響功能，可降低負(fù)載 切換時的輸出電壓跌落。福建大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片樣品

BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內(nèi)部設(shè)計有異常過流檢測模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時，內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個周期。芯片內(nèi)部集成的過熱保護電路會檢測芯片的芯片結(jié)溫，當(dāng)芯片結(jié)溫超過155度(典型值)時系統(tǒng)進入到自動重啟模式。AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片優(yōu)化輕載噪音、提升系統(tǒng)抗干擾能力。

芯片在輕載條件下工作在FPWM 模式，從而允許低側(cè)MOSFET 通過反向電流。在FPWM 模式下，如果輸出端由于意外被連接到外部電源上，芯片可能工作在反向升壓模式，產(chǎn)生很高的反向電流以至損壞芯片。芯片 內(nèi)部集成低側(cè)MOSFET 電流檢測電路，當(dāng)檢測到低側(cè)MOSFET反向電流大于反向限流閾值(NOC) 時，立即關(guān)閉低側(cè)MOSFET，然后打開高側(cè)MOSFET 將輸出電感的能量泄放出去。此功能可以限制反向電流保持在NOC 閾值以上，從而保護低側(cè)MOSFET。另外，NOC 限流在**小關(guān)斷時間內(nèi)不生效。

如果輸出電容在芯片啟動時已經(jīng)處于預(yù)偏置電壓狀態(tài)，芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動開關(guān)，VOUT 開始上升。該預(yù)偏置軟啟動方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(UVP) 功能，通過不斷監(jiān)測反饋電壓VFB 防止芯片輸出過載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%)，欠壓比較器的輸出將會置高，以關(guān)閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開關(guān)管，阻止芯片繼續(xù)開關(guān)工作。提升線性調(diào)整 率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。

220V降壓非隔離固定12V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP322X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP322X內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負(fù)載情況自動調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP322X集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護功能：VDD欠壓保護、逐周期電流限制、過熱保護、過載保護和VDD過壓保護等AC交流輸入，輸出12V/500mA電流的低成本BUCK降壓芯片。安徽低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片資料

高壓啟動電路和**待機功耗 (<50mW)。福建大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片樣品

芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為32us，同時為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實際工作中，系統(tǒng)開關(guān)頻率取決于負(fù)載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準(zhǔn)的高低，所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過流比較器的輸入。當(dāng)過流比較器翻轉(zhuǎn)時高壓MOSFET關(guān)斷直至下一個周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾，芯片內(nèi)設(shè)計有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關(guān)斷。福建大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片樣品

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