福建AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片加工

來源: 發(fā)布時間:2023-06-11

40V低功耗降壓DCDC電源芯片,40V,1A易用高性能同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52140X(A)是一款簡單易用的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,能夠驅(qū)動高達1A的負載電流。它具有6V至40V的寬輸入范圍,因此適用于工業(yè)領(lǐng)域中非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。KP52140X(A)內(nèi)部集成低導通電阻的P型高側(cè)MOSFET和N型低側(cè)MOSFET,省掉了外部自舉電容和肖特基二極管。在內(nèi)部實現(xiàn)了軟啟動和補償電路減少了**元器件的數(shù)量,固定5V或3.3V的輸出方式可進一步減少**元器件數(shù)量,從而輕松實現(xiàn)單層PCB布局。KP52140X(A)典型開關(guān)頻率為100kHz,采用低開關(guān)速率設(shè)計適用于有EMI要求的應(yīng)用場合。KP52140X(A)內(nèi)置有完善的保護功能:輸入過壓保護(VINOVP)、輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過壓保護(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(VOUTUVP),和過溫保護(OTP),以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運行。KP52140X(A)采用TSOT23-5和TSOT23-6封裝,可節(jié)約布局空間。芯片靜態(tài)工作電流典型值為 200uA。如此 低的工作電流降低了對于 VDD 電容大小的要求, 同時也可以提高系統(tǒng)效率。福建AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片加工

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同步降壓變換器的輸出級主要由電感和電容組成,通過內(nèi)部集成的功率MOSFET管的開關(guān)切換,將能量存儲并傳遞給負載,并形成二階低通濾波器平滑開關(guān)節(jié)點電壓,得到穩(wěn)定的輸出直流電壓。本節(jié)基于設(shè)計實例主要描述詳細的設(shè)計過程。芯片可以通過使用外部分壓電阻連接到FB引腳來設(shè)置不同的輸出電壓。輸出電壓與外部分壓電阻的公式如下:????????+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推薦從分壓下電阻RFB(B)開始設(shè)計。過大的RFB(B)會導致FB引腳更容易收到外界噪聲干擾,而過小的RFB(B)會增大分壓電阻的功率損耗。綜合考慮二者,推薦選擇RFB(B)=10kΩ~50kΩ。則分壓上電阻RFB(T)可由如下公式計算得到:?????????×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V湖北低功耗40V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片型號PWM控制電路、**的過零檢測電 路以及各種保護電路,用以實現(xiàn)臨界導通驅(qū)動控制。

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WIFI供電**芯片,精度高,動態(tài)優(yōu),功耗低,**精簡。KP35026是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān),適用于3.3V供電的應(yīng)用場合,外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時IC內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP35026內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET,系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)和動態(tài)響應(yīng)優(yōu)化電路,有效提升了動態(tài)響應(yīng)能力,優(yōu)化了線性調(diào)整率和負載調(diào)整率,同時明顯降低了系統(tǒng)工作中的可聞噪音。

如果輸出電容在芯片啟動時已經(jīng)處于預(yù)偏置電壓狀態(tài),芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動開關(guān),VOUT 開始上升。該預(yù)偏置軟啟動方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(UVP) 功能,通過不斷監(jiān)測反饋電壓VFB 防止芯片輸出過載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%),欠壓比較器的輸出將會置高,以關(guān)閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開關(guān)管,阻止芯片繼續(xù)開關(guān)工作。內(nèi)部功率MOSFET 漏極,當輸入電壓下降至充電窗口區(qū)間 時向后級提供能量。

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220V降壓非隔離固定12V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP322X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合,外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP322X內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET,系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術(shù),有效簡化了外圍電路設(shè)計,提升線性調(diào)整率和負載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP322X集成有完備的帶自恢復功能的保護功能:VDD欠壓保護、逐周期電流限制、過熱保護、過載保護和VDD過壓保護等在實際 工作中,系統(tǒng)開關(guān)頻率取決于負載狀態(tài)以及VDD 電壓與輸出電壓基準的高低,所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻 模式中。北京交流高壓220V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片原廠

內(nèi)部 1ms 軟啟動時間,避免過沖電壓和電流。福建AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片加工

BUCK降壓芯片,小封裝輸出5V100mA,低功耗、高效率、線路簡單,在某些情況下(如重載或者輸出短路等),系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對系統(tǒng)元器件造成損壞,芯片內(nèi)部設(shè)計有異常過流檢測模塊(AOCP,典型閾值為250mA)。當CS電壓高于該閾值時,內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個周期。芯片內(nèi)部集成的過熱保護電路會檢測芯片的芯片結(jié)溫,當芯片結(jié)溫超過155度(典型值)時系統(tǒng)進入到自動重啟模式。福建AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片加工

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