江西大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

當(dāng)過(guò)流或者過(guò)熱故障發(fā)生時(shí)，芯片進(jìn)入到自動(dòng)重啟和VDD振蕩模式中。在此過(guò)程中高壓MOSFET不允許導(dǎo)通，同時(shí)VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過(guò)芯片內(nèi)部數(shù)字計(jì)數(shù)器對(duì)振蕩周期的計(jì)數(shù)，當(dāng)振蕩周期數(shù)超過(guò)511次時(shí)芯片退出保護(hù)模式并重新開(kāi)始工作。如果故障解除，系統(tǒng)開(kāi)始正常工作；否則系統(tǒng)再次進(jìn)入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定，推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài)，即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計(jì)算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：輸出電壓；Vf：續(xù)流二極管壓降；Toff_min：IC設(shè)定內(nèi)部**小Toff時(shí)間，約32us；ΔI：電感紋波電流，CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來(lái)講，參考5V-100mA輸出規(guī)格，設(shè)定Io_max為額定輸出電流的1.2倍，即120mA；AC交流輸入，輸出3.3V/400mA.江西大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負(fù)載的降低會(huì)自動(dòng)降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能，當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過(guò)流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過(guò)程。當(dāng)過(guò)流或短路情況發(fā)生時(shí)，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時(shí)間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開(kāi)通，則芯片識(shí)別此情況為過(guò)流或短路故障已發(fā)生，并停止開(kāi)關(guān)動(dòng)作之后進(jìn)入自動(dòng)重啟模式(如下描述)。上海大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片代理這款芯片適用于MUC供電，線路簡(jiǎn)單。

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BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡(jiǎn)單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過(guò)于劇烈。為避免電感峰值電流過(guò)大對(duì)系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有異常過(guò)流檢測(cè)模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時(shí)，內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個(gè)周期。芯片內(nèi)部集成的過(guò)熱保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)芯片的芯片結(jié)溫，當(dāng)芯片結(jié)溫超過(guò)155度(典型值)時(shí)系統(tǒng)進(jìn)入到自動(dòng)重啟模式。反饋輸入管腳，該引腳懸空時(shí)默認(rèn) 12V 輸出。

在輕載條件下工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)，以保持開(kāi)關(guān)頻率的恒定和維持低的輸出電壓紋波。當(dāng)HSF 處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，LSF 將在 10ns 后的死區(qū)時(shí)間后被強(qiáng)制打開(kāi)，直到在下一個(gè)周期HSF 打開(kāi)前關(guān)閉。這種工作模式不檢測(cè)電感電流過(guò)零點(diǎn)，允許電感電流通過(guò)LSF 的漏-源極從輸出電容流到開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)，稱為反向電流。在這種情況下，開(kāi)關(guān)頻率在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)幾乎保持恒定，實(shí)現(xiàn)低輕載輸出電壓波紋。低功耗DCDC降壓轉(zhuǎn)換器，低紋波，高效率，電路簡(jiǎn)潔。當(dāng)過(guò)流或者過(guò)熱故障發(fā)生時(shí)，芯片進(jìn)入到自動(dòng)重啟 和VDD 振蕩模式中。江蘇AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片庫(kù)存

芯片供電管腳，用于能量存儲(chǔ)，串接一電容到地后將輸入能 量傳遞至LDO 輸出級(jí)。江西大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

伴隨著國(guó)際制造業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移，中國(guó)大陸電子元器件行業(yè)得到了飛速發(fā)展。從細(xì)分領(lǐng)域來(lái)看，隨著4G、移動(dòng)支付、信息安全、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展，電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入飛速發(fā)展期；為行業(yè)發(fā)展帶來(lái)了廣闊的發(fā)展空間。目前，我們的生活充斥著各種電子產(chǎn)品，無(wú)論是智能設(shè)備還是非智能設(shè)備，都離不開(kāi)電子元器件的身影。智能化發(fā)展帶來(lái)的經(jīng)濟(jì)化效益無(wú)疑是更為明顯的，但是在它身后的電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片前景廣闊。5G時(shí)代天線、射頻前端和電感等電子元件需求將明顯提升,相關(guān)電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片公司如信維通信、碩貝德、順絡(luò)電子等值的關(guān)注。提升傳統(tǒng)消費(fèi)電子產(chǎn)品中高級(jí)供給體系質(zhì)量,增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力:在傳統(tǒng)消費(fèi)電子產(chǎn)品智能手機(jī)和計(jì)算機(jī)產(chǎn)品上,中國(guó)消費(fèi)電子企業(yè)在產(chǎn)業(yè)全球化趨勢(shì)下作為關(guān)鍵供應(yīng)鏈和主要市場(chǎng)的地位已經(jīng)確立,未來(lái)供應(yīng)體系向中高級(jí)端產(chǎn)品傾斜有利于增強(qiáng)企業(yè)贏利能力。在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力、市場(chǎng)影響力、企業(yè)管理能力以及企業(yè)經(jīng)營(yíng)規(guī)模實(shí)力等方面，繼續(xù)做大做強(qiáng)，不斷強(qiáng)化公司在國(guó)內(nèi)經(jīng)營(yíng)范圍包括一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品、電子元器件、半導(dǎo)體芯片、系統(tǒng)集成的銷(xiāo)售；電池、電池管理系統(tǒng)、電子類板卡，PCBA、電子產(chǎn)品的技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)支撐、研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷(xiāo)售。(法律、行政法規(guī)、決定規(guī)定在登記前須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目除外）授權(quán)分銷(xiāo)行業(yè)的優(yōu)先地位。因?yàn)樾袠I(yè)產(chǎn)值的天花板仍很高，在這個(gè)領(lǐng)域內(nèi)繼續(xù)整合的空間還很大。江西大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

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