山東晶體管光耦群芯微代理樣品

智能功率模塊（IPM）由高速，低功耗的IGBT芯片和優(yōu)化的柵極驅動電路及多種保護電路集成在同一模塊內。IPM的通態(tài)損耗和開關損耗都比較低，散熱器的尺寸小，故整個系統(tǒng)的尺寸更小。智能功率模塊接口光耦，內置一個砷化鎵光電二極管和集成高增益光電探測器，具有較低的傳輸延遲時間及**小化脈沖失真寬度，從而有利于提升轉換電路效率，減少切換的死區(qū)時間。智能功率模塊接口光耦具有開路集電極輸出、反相和同相的圖騰柱配置。IPM控制輸入會隨著dv/dt的大小而變，所以用于直接驅動的光耦要求共模抑制高于10KV/μs。在輸入和輸出電壓間增加屏蔽和將電流接地可改進光耦的共模抑制。群芯可提供高于15KV/μs的共模抑制產品。***用于IGBT/MOSFET驅動、IPM隔離驅動、交流/直流無刷電機驅動、變頻器、工業(yè)逆變器等。光電耦合器在多種電子設備中的應用非常常見。山東晶體管光耦群芯微代理樣品

高壓可控硅輸出光耦適合用于控制交流負載。這種光耦，既有雙向可控硅輸出，也有單向可控硅輸出。過零型雙向可控硅輸出光耦，內置過零檢測模塊，它在收到輸入端的控制信號時，并不是馬上開啟雙向可控硅模塊，而是等到“過零”后才觸發(fā)雙向可控硅進行導通，這是在零點附近進行啟動，能有效地防止對負載和電網(wǎng)的沖擊，減少電磁干擾?？煽毓杈哂泄枵髌骷奶匦?，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制?？煽毓韫怦畋粡V泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻、可控硅調功器、電機控制與驅動、以及家用電器等產品。高電壓可控硅光耦群芯微代理代理光耦在數(shù)字電路上獲得***的應用。

光耦以光信號為媒介來實現(xiàn)電信號的耦合與傳遞，輸入與輸出在電氣上完全隔離，具有抗干擾性能強的特點。對于既包括弱電控制部分，又包括強電控制部分的工業(yè)應用測控系統(tǒng)，采用光耦隔離可以很好地實現(xiàn)弱電和強電的隔離，達到抗干擾目的。但是，使用光耦隔離需要考慮以下幾個問題：①光耦直接用于隔離傳輸模擬量時，要考慮光耦的非線性問題；②光耦隔離傳輸數(shù)字量時，要考慮光耦的響應速度問題；③如果輸出有功率要求的話，還得考慮光耦的功率接口設計問題。

光耦合器的技術參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級與輸出級之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V(BR)CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE(sat）。此外，在傳輸數(shù)字信號時還需考慮上升時間、下降時間、延遲時間和存儲時間等參數(shù)。電流傳輸比是光耦合器的重要參數(shù)，通常用直流電流傳輸比來表示。當輸出電壓保持恒定時，它等于直流輸出電流IC與直流輸入電流IF的百分比。使用光電耦合器主要是為了提供輸入電路和輸出電路間的隔離，在設計電路時，必須遵循下列原則：所選用的光電耦合器件必須符合國內和國際的有關隔離擊穿電壓的標準；由英國埃索柯姆（Isocom）公司、美國FAIRCHILD生產的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器，在國內應用地十分普遍。可以用于單片機的輸出隔離；所選用的光耦器件必須具有較高的耦合系數(shù)。 當需要對輸出功率進行控制時，可以采用光電雙向可控硅驅動器。

多路輸出式電源變換器電路如圖2所示。其輸入電壓為36V到90V的準方波電壓，三路輸出分別為：UO1=+5V(2A），UO2=+15V(0.17A），UO3=－15V(0.17A）?，F(xiàn)將UO1定為主輸出，其電壓調整率SV=±0.4%；UO2和UO3為輔輸出，總電源效率可達75%～80%。電路中采用一片***04Y型三端單片開關電源集成電路。主輸出繞組電壓經過VD2、C2、L1和C3整流濾波后，得到+5V電壓。VD2采用MBR735型35V/7.5A肖特基二極管。兩個輔輸出繞組及輸出電路完全呈對稱結構。因為±15V輸出電流較小，故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V/1A的超快恢復二極管。由線性光耦CNY17-2和可調式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器TL431C構成光耦反饋式精密開關電源，可以對+5V電壓進行精密調整。反饋繞組電壓通過VD3、C4整流濾波后，得到12V反饋電壓。由P6KE120型瞬態(tài)電壓抑制器和UF4002型超快恢復二極管構成的漏極鉗位保護電路，能吸收由高頻變壓器漏感形成的尖峰電壓，保護芯片內部的功率場效應管MOSFET不受損壞。光電耦合器應用于數(shù)字電路，可以將脈沖信號進行放大。遼寧智能柵極驅動光耦群芯微代理定制

它在長線傳輸信息中作為終端隔離元件可以**提高信噪比。山東晶體管光耦群芯微代理樣品

以下為光電耦合器的常用參數(shù)：反向電流IR：在被測管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時，二極管中流過的電流。反向擊穿電壓VBR：被測管通過的反向電流IR為規(guī)定值時，在兩極間所產生的電壓降。正向壓降VF：二極管通過的正向電流為規(guī)定值時，正負極之間所產生的電壓降。正向電流IF：在被測管兩端加一定的正向電壓時二極管中流過的電流。結電容CJ：在規(guī)定偏壓下，被測管兩端的電容值。反向擊穿電壓V(BR)CEO：發(fā)光二極管開路，集電極電流IC為規(guī)定值，集電極與發(fā)射集間的電壓降。輸出飽和壓降VCE(sat)：發(fā)光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規(guī)定值時，并保持IC/IF≤CTRmin時（CTRmin在被測管技術條件中規(guī)定）集電極與發(fā)射極之間的電壓降。反向截止電流ICEO：發(fā)光二極管開路，集電極至發(fā)射極間的電壓為規(guī)定值時，流過集電極的電流為反向截止電流。電流傳輸比CTR：輸出管的工作電壓為規(guī)定值時，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。 山東晶體管光耦群芯微代理樣品

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