江蘇低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-05-02

芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP35064集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能:VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)載保護(hù)和VDD過(guò)壓保護(hù)等。主要特點(diǎn)?集成500V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?集成續(xù)流二極管?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開(kāi)關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能:?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?過(guò)溫保護(hù)(OTP)?封裝類型SOP-8在實(shí)際 工作中,系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率取決于負(fù)載狀態(tài)以及VDD 電壓與輸出電壓基準(zhǔn)的高低,所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻 模式中。江蘇低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制

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我們芯片采用高壓集成工藝,內(nèi)部集成有500V高壓MOSFET,適用于小家電和輔助電源應(yīng)用場(chǎng)合所需的離線式降壓電路和升降壓電路,也可用于線性電源的替代型電源。芯片采用開(kāi)關(guān)式峰值電流模式控制,默認(rèn)5V高精度輸出時(shí)很大程度降低了系統(tǒng)成本。此外,芯片經(jīng)過(guò)內(nèi)部?jī)?yōu)化,可兼容**壓輸入(15Vdc以上)應(yīng)用。IC芯片的靜態(tài)工作電流典型值為150uA。如此低的工作電流降低了對(duì)于VDD電容大小的要求,同時(shí)也可以幫助系統(tǒng)降低成本。通常條件下建議使用0.1-1uF瓷片電容。江蘇低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制芯片采用了多模式 PWM 控 制技術(shù),有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)。

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芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測(cè)電路,該電路通過(guò)Drain端對(duì)地內(nèi)置的分壓電阻檢測(cè)AC信號(hào)。當(dāng)芯片檢測(cè)到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后,內(nèi)部功率MOSFET隨即打開(kāi)對(duì)VDD電容進(jìn)行充電。由于芯片Drain端對(duì)地存在寄生電容,導(dǎo)致Drain端電壓可能過(guò)高,芯片將一直無(wú)法進(jìn)入充電窗口。針對(duì)該問(wèn)題,芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了主動(dòng)式泄放電路:該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開(kāi)內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道,并在VDD電壓達(dá)到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過(guò)對(duì)芯片Drain端寄生電容的主動(dòng)式泄放控制,確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對(duì)VDD進(jìn)行充電。此外,當(dāng)各種保護(hù)(UVP,OLPorOTP)發(fā)生時(shí),主動(dòng)式泄放電路也將打開(kāi),對(duì)VDD電容進(jìn)行充電,同時(shí)對(duì)Drain端寄生電容進(jìn)行放電,以此確保后續(xù)保護(hù)邏輯的順利展開(kāi)和自恢復(fù)重啟的順利進(jìn)行。

固定5V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率KP320X是一款系列化的高性能低成本PWM控制功率開(kāi)關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合,外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP320X內(nèi)部無(wú)固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET,系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù),有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì),提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。電感電流的大小由過(guò)流保護(hù)門限決定,控 制器工作在臨界導(dǎo)通模式下,加快了輸出電容充電 速度。

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在輕載條件下工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM),以保持開(kāi)關(guān)頻率的恒定和維持低的輸出電壓紋波。當(dāng)HSF 處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí),LSF 將在 10ns 后的死區(qū)時(shí)間后被強(qiáng)制打開(kāi),直到在下一個(gè)周期HSF 打開(kāi)前關(guān)閉。這種工作模式不檢測(cè)電感電流過(guò)零點(diǎn),允許電感電流通過(guò)LSF 的漏-源極從輸出電容流到開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn),稱為反向電流。在這種情況下,開(kāi)關(guān)頻率在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)幾乎保持恒定,實(shí)現(xiàn)低輕載輸出電壓波紋。低功耗DCDC降壓轉(zhuǎn)換器,低紋波,高效率,電路簡(jiǎn)潔。精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能。江西AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片資料

該系列產(chǎn)品支持離線式非隔 離降壓和升降壓型拓?fù)潆娐?,適用于小家電電源和 線性電源替代等場(chǎng)所。江蘇低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制

高性能、低成本離線式PWM控制功率開(kāi)關(guān)KP3112是一款高性能低成本PWM控制功率開(kāi)關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合,外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP3112內(nèi)部無(wú)固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET,系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù),有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì),提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP3112集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能:VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)載保護(hù)等。主要特點(diǎn)?集成700V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開(kāi)關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能:?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?過(guò)溫保護(hù)(OTP)?封裝類型SOT23-5江蘇低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制

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