四川非隔離BUCK電源芯片型號(hào)

當(dāng)過(guò)流或者過(guò)熱故障發(fā)生時(shí)，芯片進(jìn)入到自動(dòng)重啟和VDD振蕩模式中。在此過(guò)程中高壓MOSFET不允許導(dǎo)通，同時(shí)VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過(guò)芯片內(nèi)部數(shù)字計(jì)數(shù)器對(duì)振蕩周期的計(jì)數(shù)，當(dāng)振蕩周期數(shù)超過(guò)511次時(shí)芯片退出保護(hù)模式并重新開(kāi)始工作。如果故障解除，系統(tǒng)開(kāi)始正常工作；否則系統(tǒng)再次進(jìn)入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定，推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài)，即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計(jì)算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：輸出電壓；Vf：續(xù)流二極管壓降；Toff_min：IC設(shè)定內(nèi)部**小Toff時(shí)間，約32us；ΔI：電感紋波電流，CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來(lái)講，參考5V-100mA輸出規(guī)格，設(shè)定Io_max為額定輸出電流的1.2倍，即120mA；芯片工作在準(zhǔn)諧振工作模式下，可有 效降低開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。四川非隔離BUCK電源芯片型號(hào)

集成了內(nèi)部軟啟動(dòng)功能，以減小芯片啟動(dòng)上電過(guò)程中的沖擊電流和保證輸出電壓平穩(wěn)上升。當(dāng)VIN 高于 UVLO 閾值時(shí)，輸出電壓從EN上升沿延遲440μs (典型值) 后開(kāi)始上升。當(dāng)芯片啟動(dòng)時(shí)，內(nèi)部的軟啟動(dòng)電路產(chǎn)生一個(gè)從0V 開(kāi)始上升的軟啟動(dòng)電壓(SS)。當(dāng)SS 低于內(nèi)部參考電壓(VREF) 時(shí)，SS 覆蓋 VREF，因此電壓誤差積分器和控制比較器使用SS 作為參考電壓，輸出電壓跟隨SS 平穩(wěn)上升。當(dāng)SS 升到 VREF 電壓時(shí)，VREF 重新獲得控制，參考電壓穩(wěn)定為VREF，輸出電壓隨之穩(wěn)定在設(shè)定值VOUT，軟啟動(dòng)結(jié)束。上海AC高壓降3.3V藍(lán)牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片原廠設(shè)計(jì)的軟驅(qū)動(dòng)功能的驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化了系統(tǒng) EMI 性能。

集成了逐周期谷底限流保護(hù)(OCL) 功能。每當(dāng)內(nèi)部低側(cè)MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，芯片檢測(cè)電感電流，當(dāng)電感電流大于電流限流閾值(ILS(OC)) 時(shí)，限流比較器翻轉(zhuǎn)，芯片 進(jìn)入 OCL模式。此時(shí)，芯片內(nèi)部高側(cè)MOSFET 保持關(guān)斷狀態(tài)，直到電感電流下降小于電流限流閾值(ILS(OC)) 后才會(huì)再次開(kāi)啟。如果芯片的負(fù)載電流超過(guò)電感電流(電感電流被OCL 鉗位)，則輸出電容需要提供額外的電流，從而輸出電容放電，輸出電壓開(kāi)始下降。當(dāng)輸出電壓低于輸出欠壓保護(hù)閾值(VUVP) 時(shí)，芯片將停止工作，進(jìn)入到UVP 打嗝模式，以避免溫升過(guò)高的情況出現(xiàn)。

18V低功耗DCDC降壓芯片，主要特點(diǎn)?寬輸入電壓范圍：4.5Vto17V?輸出電壓范圍：0.768Vto7V?支持2A持續(xù)輸出電流?電感電流連續(xù)模式下600kHz的開(kāi)關(guān)頻率?內(nèi)部集成低導(dǎo)通電阻的MOSFET開(kāi)關(guān)管?低靜態(tài)工作電流：190μA(無(wú)開(kāi)關(guān)動(dòng)作，典型值)?低關(guān)斷電流：2.5μA(典型值)?采用恒定導(dǎo)通時(shí)間控制實(shí)現(xiàn)超快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)?兩種輕載工作模式：?KP522201A：脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)?KP522208A：強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)?高參考電壓精度：0.768V±1.5%@25℃?集成完善的保護(hù)功能：?精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能?內(nèi)部1ms軟啟動(dòng)時(shí)間，避免過(guò)沖電壓和電流?逐周期谷底限流保護(hù)(OCL)?非閉鎖的輸入欠壓保護(hù)(UVLO)、輸出欠壓保護(hù)(UVP)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)和過(guò)溫保護(hù)(OTP)?緊湊的解決方案尺寸：?支持使用MLCC陶瓷電容，且支持低輸出電容數(shù)量?無(wú)需外部補(bǔ)償?小封裝類型：SOT23-6可給藍(lán)牙芯片提供穩(wěn)定客戶的電壓。

另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運(yùn)行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場(chǎng)景下，實(shí)際VIN 引腳上的電壓可能會(huì)由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩，**惡劣時(shí)甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓，從而過(guò)壓擊穿芯片。此時(shí)，推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過(guò)壓的情況。集成 500V 高壓 MOSFET 和高壓?jiǎn)?dòng)電路。交流高壓220V轉(zhuǎn)12V供電繼電器非隔離BUCK電源芯片原廠

為了降低系統(tǒng)損 耗，隨著負(fù)載的降低芯片會(huì)自動(dòng)降低峰值電流 基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。四川非隔離BUCK電源芯片型號(hào)

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負(fù)載的降低會(huì)自動(dòng)降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能，當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過(guò)流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過(guò)程。當(dāng)過(guò)流或短路情況發(fā)生時(shí)，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時(shí)間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開(kāi)通，則芯片識(shí)別此情況為過(guò)流或短路故障已發(fā)生，并停止開(kāi)關(guān)動(dòng)作之后進(jìn)入自動(dòng)重啟模式(如下描述)。四川非隔離BUCK電源芯片型號(hào)

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