廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號

集成了內(nèi)部軟啟動功能，以減小芯片啟動上電過程中的沖擊電流和保證輸出電壓平穩(wěn)上升。當VIN 高于 UVLO 閾值時，輸出電壓從EN上升沿延遲440μs (典型值) 后開始上升。當芯片啟動時，內(nèi)部的軟啟動電路產(chǎn)生一個從0V 開始上升的軟啟動電壓(SS)。當SS 低于內(nèi)部參考電壓(VREF) 時，SS 覆蓋 VREF，因此電壓誤差積分器和控制比較器使用SS 作為參考電壓，輸出電壓跟隨SS 平穩(wěn)上升。當SS 升到 VREF 電壓時，VREF 重新獲得控制，參考電壓穩(wěn)定為VREF，輸出電壓隨之穩(wěn)定在設定值VOUT，軟啟動結束?？山o藍牙芯片提供穩(wěn)定客戶的電壓。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號

30V降壓DCDC電源轉換芯片，低待機功耗。提供一個芯片外部使能控制引腳(EN) 以使能或禁止芯片工作。當EN 引腳電壓高于EN 上升閾值電壓(VEN(R)) 且 VIN 電壓高于VIN 欠壓鎖定閾值(VUVLO(R)) 時，芯片使能開始正常工作。如果EN 引腳電壓被拉低到閾值電壓(VEN(F)) 以下，則芯片停止開關動作并進入關機模式，即使VIN 電壓高于VIN 欠壓鎖定閾值(VUVLO(R))，芯片也被禁用，開關動作停止。在關機模式下，芯片的輸入電流降低到比較低的關斷電流(典型值為2.5μA)。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號集成 500V 高壓 MOSFET 和高壓啟動電路。

當過流或者過熱故障發(fā)生時，芯片進入到自動重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導通，同時VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計數(shù)器對振蕩周期的計數(shù)，當振蕩周期數(shù)超過511次時芯片退出保護模式并重新開始工作。如果故障解除，系統(tǒng)開始正常工作；否則系統(tǒng)再次進入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定，推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài)，即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：輸出電壓；Vf：續(xù)流二極管壓降；Toff_min：IC設定內(nèi)部**小Toff時間，約32us；ΔI：電感紋波電流，CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來講，參考5V-100mA輸出規(guī)格，設定Io_max為額定輸出電流的1.2倍，即120mA；

芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為32us，同時為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實際工作中，系統(tǒng)開關頻率取決于負載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準的高低，所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過流比較器的輸入。當過流比較器翻轉時高壓MOSFET關斷直至下一個周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾，芯片內(nèi)設計有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時間內(nèi)過流比較器不翻轉且高壓MOSFET不允許關斷。為了避免開通瞬間的 干擾， 芯片內(nèi)設計有前沿消隱電路（ 典型值 300ns）。

芯片在輕載條件下工作在FPWM 模式，從而允許低側MOSFET 通過反向電流。在FPWM 模式下，如果輸出端由于意外被連接到外部電源上，芯片可能工作在反向升壓模式，產(chǎn)生很高的反向電流以至損壞芯片。芯片 內(nèi)部集成低側MOSFET 電流檢測電路，當檢測到低側MOSFET反向電流大于反向限流閾值(NOC) 時，立即關閉低側MOSFET，然后打開高側MOSFET 將輸出電感的能量泄放出去。此功能可以限制反向電流保持在NOC 閾值以上，從而保護低側MOSFET。另外，NOC 限流在**小關斷時間內(nèi)不生效。芯片靜態(tài)工作電流典型值為 200uA。如此 低的工作電流降低了對于 VDD 電容大小的要求， 同時也可以提高系統(tǒng)效率。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號

內(nèi)部集成的平均電流反饋環(huán)路可以確保高輸出電流 精度。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號

PCB設計對芯片的穩(wěn)定可靠工作至關重要，請遵循以下指南設計以獲得比較好的電路工作性能：1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應該盡可能短和寬以減小回路壓降，提高轉換效率。3.SW節(jié)點的電壓波形為高頻方波，適當減小SW節(jié)點的鋪銅可以改善EMI性能，另一方面適當增大SW節(jié)點的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能，可根據(jù)實際情況適當折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠離噪聲源，比如SW節(jié)點和BST節(jié)點。5.輸出電壓VOUT的采樣點靠近輸出電容末端放置，且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設計中，推薦為GND引腳設置一個完整的GND層，并在GND層和芯片層間增加足夠多的過孔。廣東AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片型號

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