XBM3214DGB電源管理IC拓微電子

磷酸鐵鋰電池的使用，一些產(chǎn)品對(duì)電池容量的需求不斷提升，就需要串聯(lián)多個(gè)鋰電池，從而導(dǎo)致電池的總電壓升高，于是就催生出了鋰電池充電管理芯片。為了防止鋰電池在過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等異常狀態(tài)影響電池壽命，通常要通過(guò)鋰電池保護(hù)裝置來(lái)防止異常狀態(tài)對(duì)電池的損壞。 磷酸鐵鋰電池充電管理芯片介紹 磷酸鐵鋰電池特性較為活潑，對(duì)電壓電流要求較高，所以需要鋰電池管理芯片。磷酸鐵鋰電池管理芯片就是設(shè)計(jì)用于保護(hù)電池的電路，可以保護(hù)電池過(guò)放電，過(guò)壓，過(guò)充，過(guò)溫，可以有效保護(hù)鋰電池壽命和使用者的安全。 鋰電池的使用，一些產(chǎn)品對(duì)電池容量的需求不斷提升，就需要串聯(lián)多個(gè)鋰電池，從而導(dǎo)致電池的總電壓升高，于是就催生出了磷酸鐵鋰電池充電管理芯片，它會(huì)根據(jù)磷酸鐵鋰電池的特性自動(dòng)進(jìn)行預(yù)充、恒流充電、恒壓充電。 磷酸鐵鋰電池充電管理芯片的類型低壓差線性穩(wěn)壓器、40V耐壓、高PSRR,LDO。XBM3214DGB電源管理IC拓微電子

4054是一款性能優(yōu)異的單節(jié)鋰離子電池恒流/ 恒壓線性充電器。4054采用SOT23-5L/sot23-6封裝，配合較 少的元器件使其非常適用于便攜式產(chǎn)品，并且適 合給USB電源以及適配器電源供電。 基于特殊的內(nèi)部MOSFET架構(gòu)以及防倒充電路， 4054不需要外接檢測(cè)電阻和隔離二極管。當(dāng)外部環(huán)境溫度過(guò)高或者在大功率應(yīng)用時(shí)，熱反饋可以調(diào)節(jié)充 電電流以降低芯片溫度。充電電壓固定在4.2V/4.35V/4.4V，而充 電電流則可以通過(guò)一個(gè)電阻器進(jìn)行外部設(shè)置。當(dāng)充電電流在達(dá)到浮充電壓之后降至設(shè)定值的1/10，芯片將終止充電循環(huán)。當(dāng)輸入電壓斷開(kāi)時(shí)，4054進(jìn)入睡眠狀態(tài)，電池漏電流將降到1uA以下。4054還可以被設(shè)置于停機(jī)模式。4054還包括其他特性：欠壓鎖定，自動(dòng)再充電和充電狀態(tài)標(biāo)志。XB4155J2S電源管理ICLED線性驅(qū)動(dòng)芯片手電筒驅(qū)動(dòng)鋰電池轉(zhuǎn)1.5V干電池SOC。

5號(hào)（AA）7號(hào)（AAA）電池也就是我們常用的電池，以南孚，金霸王，555等品牌被大家熟知。市場(chǎng)上主要以堿性電池為主，輸入的電壓是1.5V。其主要特點(diǎn)就是方便快捷以及價(jià)格低廉。其缺點(diǎn)也是非常明顯：堿性電池是一次性電池，因其化學(xué)特性使用后易被丟棄后對(duì)土壤的污染是非常嚴(yán)重；另外長(zhǎng)時(shí)間放置容易因受潮或者氧化原因造成化學(xué)原料漏液造成對(duì)電子產(chǎn)品的化學(xué)損壞，輕則氧化電池觸點(diǎn)無(wú)法使用（可簡(jiǎn)單修復(fù)），重則直接損壞電子產(chǎn)品致報(bào)廢或者短路引起起火都有可能。XS5502 XS5301 XS5306 XS5802

ESD（ Electrostatic Discharge）靜電放電：在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，根據(jù)靜電產(chǎn)生方式和對(duì)電路的損傷模式不同，可以分為以下四種方式：人體放電模式（HBM：Human-body Model）、機(jī)器放電模式 （MM：Machine Model）、元件充電模式（CDM：Charge-Device Model）、電場(chǎng)感應(yīng)模式（FIM：Field-Induced Model），但業(yè)界關(guān)注的HBM、MM、CDM。以上是芯片級(jí)ESD，不是系統(tǒng)級(jí)ESD； 芯片級(jí)ESD：HBM 大于2KV，較高的是8KV。 系統(tǒng)級(jí)ESD：接觸ESD和空氣ESD，指的是系統(tǒng)加上外置器件做的系統(tǒng)級(jí)的ESD，一般空氣是15KV，接觸是8KV。高耐壓 OVP線性充電管理。

鋰電池PACK設(shè)計(jì)過(guò)程中鋰電池保護(hù)IC是保護(hù)芯片的，首先取樣電池電壓，然后通過(guò)判斷發(fā)出各種指令。MOS管：它主要起開(kāi)關(guān)作用 2、保護(hù)芯片正常工作：保護(hù)芯片上MOS管剛開(kāi)始可能處于關(guān)斷狀態(tài)，電池接上保護(hù)芯片后，必須先觸發(fā)MOS管，P+與P-端才有輸出電壓，觸發(fā)常用方法——用一導(dǎo)線把B-與P-短接。 3、保護(hù)芯片過(guò)充保護(hù)：在P+與P-上接上一高于電池電壓的電源，電源的正極接B+、電源的負(fù)極接B-，接好電源后，電池開(kāi)始充電，電流方向如圖所示的I1的流向電流從電源正極出發(fā)，流經(jīng)電池、D1、MOS2到電源負(fù)極(這時(shí)MOS1被D1短路)，IC通過(guò)電容來(lái)取樣電池電壓的值，當(dāng)電池電壓達(dá)到4.25v時(shí)，IC發(fā)出指令，使引腳CO為低電平，這時(shí)電流從電源正極出發(fā)，流經(jīng)電池、D1、到達(dá)MOS2時(shí)由于MOS2的柵極與CO相連也為低電平，MOS2關(guān)斷，整個(gè)回路被關(guān)斷，電路起到保護(hù)作用。 鋰電轉(zhuǎn)干電池充放電管理芯片。XB3303G電源管理ICNTC充電管理

鋰保PCB應(yīng)用注意事項(xiàng)-布局。XBM3214DGB電源管理IC拓微電子

上面的“二芯合一”方案及單芯片正極保護(hù)方案雖然在方案面積及成本上給用戶帶來(lái)了一定的優(yōu)勢(shì)，但優(yōu)勢(shì)仍不明顯。這些方案同時(shí)又帶來(lái)了一些弊端，因此在與成熟的傳統(tǒng)方案競(jìng)爭(zhēng)客戶的過(guò)程中，還是只能以降低毛利空間來(lái)打價(jià)格戰(zhàn)。由于這些方案的真正原始成本并沒(méi)有明顯的優(yōu)勢(shì)，所以隨著傳統(tǒng)方案的控制IC及開(kāi)關(guān)管芯片的降價(jià)，這些“二芯合一”的方案或正極保護(hù)方案并沒(méi)有能夠撼動(dòng)傳統(tǒng)方案的市場(chǎng)統(tǒng)治地位。 BP5301 BP6501；近年來(lái)市面上出現(xiàn)了眾多新創(chuàng)的開(kāi)關(guān)管芯片廠商，為了降低成本，封裝時(shí)原本打金線改成打銅線，開(kāi)關(guān)管也不帶ESD保護(hù)。這些產(chǎn)品雖然在性能上與品牌開(kāi)關(guān)管相比有一定的差異，但因?yàn)槌杀緝?yōu)勢(shì)很快搶占了二級(jí)市場(chǎng)，也為傳統(tǒng)方案在與“二芯合一”及正極保護(hù)方案在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中的勝出作出了巨大貢獻(xiàn)。XBM3214DGB電源管理IC拓微電子

深圳市芯納科技技術(shù)有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度，多年以來(lái)致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績(jī)讓我們喜悅，但不會(huì)讓我們止步，殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開(kāi)拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無(wú)限潛力，深圳市芯納科技技術(shù)供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來(lái)，回首過(guò)去，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜，相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的市場(chǎng)氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，要不畏困難，激流勇進(jìn)，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來(lái)！