電池濕法設(shè)備能改善電池表面微觀結(jié)構(gòu),提升硅片表面潔凈度,降低表面污染,從而提升電池轉(zhuǎn)化效率。濕法設(shè)備:釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。 HJT裝備與材料:包含制絨清洗設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、金屬化設(shè)備等。 電鍍銅設(shè)備:采用金屬銅完全代替銀漿作為柵線(xiàn)電極,具備低成本、高效率等優(yōu)勢(shì)。 電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好;安徽半導(dǎo)體濕法設(shè)備廠家
光伏電池濕法設(shè)備XBC工藝背拋清洗設(shè)備,功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢(shì):進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。安徽半導(dǎo)體濕法設(shè)備廠家太陽(yáng)能光伏電池濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)能增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。
專(zhuān)業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。
電池濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。濕法制絨設(shè)備(Topcon工藝)工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颉?/p>
釜川高效六籃濕法制絨清洗設(shè)備在安全性方面,設(shè)備主要結(jié)構(gòu)采用阻燃或不燃材料,確保安全可靠。進(jìn)風(fēng)離子風(fēng)扇和去靜電環(huán)提供雙重保護(hù),加熱部件則采用多重相異方式保護(hù),從而明顯降低了安全風(fēng)險(xiǎn)。大功率工業(yè)熱水機(jī)可以加快配槽速度,通過(guò)優(yōu)化程序?qū)崿F(xiàn)能耗平衡。階梯節(jié)水和新型工藝槽換熱進(jìn)水加溫結(jié)構(gòu),有效降低了能耗,從而降低了電池生產(chǎn)成本。釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。電池濕法RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)拋光槽上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式。合肥電池濕法堿拋制絨
電池濕法制絨設(shè)備(Topcon工藝)增加背鈍化膜的膜厚均勻性。安徽半導(dǎo)體濕法設(shè)備廠家
電池濕法設(shè)備XBC工藝背拋清洗設(shè)備,功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢(shì):進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。安徽半導(dǎo)體濕法設(shè)備廠家