蘇州硅片濕法去BSG

電池濕法設(shè)備Topcon工藝，使用強(qiáng)堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結(jié)構(gòu)，提高硅片對長波的吸收2.增加背鈍化膜的膜厚均勻性3.降低了背面的表面積，提升了少子壽命，降低背面復(fù)合速率。進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法設(shè)備的生產(chǎn)流程環(huán)保節(jié)能，減少對環(huán)境的影響，實(shí)現(xiàn)綠色制造和可持續(xù)發(fā)展。蘇州硅片濕法去BSG

電池濕法設(shè)備Perc工藝，濕濕法刻蝕設(shè)備功能是去除背面PSG和拋光處理。設(shè)備優(yōu)勢l閉環(huán)運(yùn)動控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式，堿拋設(shè)備：鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。西安晶片濕法設(shè)備Perc工藝濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）閉環(huán)運(yùn)動控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動平穩(wěn)性。

太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等；釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。

光伏電池濕法制絨清洗設(shè)備在安全性方面，設(shè)備主要結(jié)構(gòu)采用阻燃或不燃材料，確保安全可靠。進(jìn)風(fēng)離子風(fēng)扇和去靜電環(huán)提供雙重保護(hù)，加熱部件則采用多重相異方式保護(hù)，從而降低了安全風(fēng)險(xiǎn)。大功率工業(yè)熱水機(jī)可以加快配槽速度，通過優(yōu)化程序?qū)崿F(xiàn)能耗平衡。階梯節(jié)水和新型工藝槽換熱進(jìn)水加溫結(jié)構(gòu)，有效降低了能耗，從而降低了電池生產(chǎn)成本。光伏電池濕法制絨設(shè)備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。電池濕法RCA槽式清洗設(shè)備可以去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層。

電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進(jìn)口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu)，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。光伏電池濕法制絨設(shè)備（Topcon工藝）能提高硅片對長波的吸收。蘇州硅片濕法去BSG

電池濕法制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。蘇州硅片濕法去BSG

濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式，l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。蘇州硅片濕法去BSG