鄭州零界高效異質(zhì)結(jié)

異質(zhì)結(jié)電池整線生產(chǎn)設(shè)備，l在擴散的過程中，pn結(jié)p區(qū)一側(cè)出現(xiàn)負(fù)電荷區(qū)，n區(qū)一側(cè)出現(xiàn)正電荷區(qū)，其形成空間電荷區(qū)，在空間內(nèi)部形成內(nèi)建電場，載流子做漂移運動，阻礙電子與空穴的擴散，達(dá)到平衡，能帶停止相對移動，p區(qū)能帶相對于n區(qū)上移，n區(qū)能帶相對于p區(qū)下移，pn結(jié)的費米能級處處相等，即載流子的擴散電流和漂移電流相互抵消；pn結(jié)勢壘區(qū)存在較強的內(nèi)建電場（自n區(qū)指向p區(qū)），則p區(qū)的電子進(jìn)入n區(qū)，n區(qū)的空穴進(jìn)入p區(qū)，使p端電勢升高，n端電勢降低，在pn結(jié)兩端產(chǎn)生光生電動勢，即為PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。同理，由于光照在PN結(jié)兩端產(chǎn)生光生電動勢，即在PN結(jié)兩端加上正向偏壓V，則產(chǎn)生正向電流IF，在PN結(jié)開路時，光生電流等于正向電流，PN結(jié)兩端建立起穩(wěn)定的電勢差VOC，即光電池的開路電壓，這就是光電池的基本原理。光伏異質(zhì)結(jié)的制造工藝包括薄膜沉積、熱處理、光刻等步驟，具有靈活性高、可定制化的優(yōu)點。鄭州零界高效異質(zhì)結(jié)

異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)設(shè)備，本征非晶硅薄膜沉積（i-a-Si:H）i-a-Si:H/c-Si界面處存在復(fù)合活性高的異質(zhì)界面，是由于界面處非晶硅薄膜中的缺陷和界面上的懸掛鍵會成為復(fù)合中心，因此需要進(jìn)行化學(xué)鈍化；化學(xué)鈍化主要由氫鈍化非晶硅薄膜鈍化層來完成，將非晶硅薄膜中的缺陷和界面懸掛鍵飽和來減少復(fù)合性缺陷態(tài)密度。摻雜非晶硅薄膜沉積場鈍化主要在電池背面沉積同型摻雜非晶硅薄層形成背電場，可以削弱界面的復(fù)合，達(dá)到減少載流子復(fù)合和獲取更多光生載流子的目的；摻雜非晶硅薄膜一般采用與沉積本征非晶硅膜層相似的等離子體系統(tǒng)來完成；p型摻雜常用的摻雜源為硼烷(B2H6)混氫,或者三甲基硼(TMB)；n型摻雜則用磷烷混氫（PH3)。優(yōu)越的表面鈍化能力是獲得較高電池效率的重要條件，利用非晶硅優(yōu)異的鈍化效果，可將硅片的少子壽命大幅度提升。蘇州太陽能異質(zhì)結(jié)制絨設(shè)備光伏異質(zhì)結(jié)是一種高效太陽能電池，具有高轉(zhuǎn)換效率和長壽命的優(yōu)點。

釜川自主研發(fā)的“零界”高效異質(zhì)結(jié)電池整線制造解決方案已實現(xiàn)設(shè)備國產(chǎn)化，該解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝，提升了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率、良率和產(chǎn)能，并極大降低了生產(chǎn)成本。釜川以半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、太陽能電池生產(chǎn)設(shè)備為主要產(chǎn)品，打造光伏設(shè)備一體化服務(wù)。擁有強大的科研團(tuán)隊，憑借技術(shù)競爭力，在清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、電鍍銅設(shè)備等方面的有獨特優(yōu)勢；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的整線工藝設(shè)備的交付服務(wù)。

HJT電池所有制程的加工溫度均低于250，避免了生產(chǎn)效率低而成本高的高溫擴散制結(jié)的過程，而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學(xué)帶隙、沉積速率、吸收系數(shù)以及氫含量得到較精確的控制，也可避免因高溫導(dǎo)致的熱應(yīng)力等不良影響。HJT電池轉(zhuǎn)換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術(shù)。HJT電池為對稱的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。高效異質(zhì)結(jié)電池PECVD設(shè)備是制備微晶硅的設(shè)備，其工藝機理復(fù)雜，影響因素眾多，需要專業(yè)公司制備。

異質(zhì)結(jié)電池為對稱的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。異質(zhì)結(jié)電池整線解決方案：釜川自主研發(fā)的“零界”高效異質(zhì)結(jié)電池整線制造解決方案已實現(xiàn)設(shè)備國產(chǎn)化,該解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝，提升了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率、良率和產(chǎn)能，并降低了生產(chǎn)成本。異質(zhì)結(jié)電池是光伏行業(yè)的新興技術(shù)，其轉(zhuǎn)換效率高，能夠顯著提升太陽能電池的整體性能。蘇州太陽能異質(zhì)結(jié)制絨設(shè)備

釜川高效異質(zhì)結(jié)電池濕法金屬化設(shè)備采用無銀或低銀工藝。鄭州零界高效異質(zhì)結(jié)

異質(zhì)結(jié)是由不同材料組成的結(jié)構(gòu)，其中至少有一種材料是半導(dǎo)體材料。根據(jù)不同的材料組合方式和結(jié)構(gòu)特點，異質(zhì)結(jié)可以分為以下幾種主要類型：結(jié)：由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成的結(jié)構(gòu)，是常見的異質(zhì)結(jié)。在pn結(jié)中，p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的電子濃度和空穴濃度不同，形成了電場，使得pn結(jié)具有整流、光電轉(zhuǎn)換等特性。2.Schottky結(jié)：由金屬和半導(dǎo)體組成的結(jié)構(gòu)，金屬為n型或p型半導(dǎo)體提供電子或空穴，形成勢壘，使得電子或空穴在兩種材料之間流動。Schottky結(jié)具有快速開關(guān)、高頻特性等優(yōu)點。3.量子阱結(jié)：由兩種不同帶隙能量的半導(dǎo)體材料組成，中間夾著一層非常薄的半導(dǎo)體材料，形成能量勢阱。量子阱結(jié)具有量子效應(yīng)，可以用于制造激光器、太陽能電池等器件。4.量子點結(jié)：由非常小的半導(dǎo)體顆粒組成，大小通常在1-10納米之間。量子點結(jié)具有量子效應(yīng)，可以用于制造高效的光電轉(zhuǎn)換器件。5.懸掛門結(jié)：由兩個不同材料的半導(dǎo)體組成，其中一個半導(dǎo)體材料被刻蝕成一個非常薄的層，形成一個懸掛的結(jié)構(gòu)。懸掛門結(jié)具有高靈敏度、低功耗等特點，可以用于制造傳感器、存儲器等器件。鄭州零界高效異質(zhì)結(jié)