江蘇半導(dǎo)體濕法堿拋設(shè)備

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-13

光伏濕法工藝設(shè)備主要包括以下幾種:1.溶液制備設(shè)備:包括反應(yīng)釜、攪拌器、加熱器等,用于制備太陽能電池的溶液。2.沉積設(shè)備:包括電化學(xué)沉積設(shè)備和物理的氣相沉積設(shè)備,用于將溶液中的材料沉積在襯底上。3.烘烤設(shè)備:用于將沉積在襯底上的材料進(jìn)行烘烤,使其形成薄膜。4.光刻設(shè)備:用于將薄膜進(jìn)行光刻,形成電極和通道等結(jié)構(gòu)。5.清洗設(shè)備:用于清洗襯底和薄膜,保證太陽能電池的質(zhì)量。6.測量設(shè)備:包括光電流譜儀、電學(xué)測試儀等,用于測試太陽能電池的性能。以上是光伏濕法工藝設(shè)備的主要種類,不同的設(shè)備在太陽能電池的制備過程中扮演著不同的角色,共同完成太陽能電池的制備。濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式。江蘇半導(dǎo)體濕法堿拋設(shè)備

江蘇半導(dǎo)體濕法堿拋設(shè)備,濕法

濕法是一種化學(xué)反應(yīng)過程,其中反應(yīng)介質(zhì)通常是液態(tài)。這些液體可以是水、有機(jī)溶劑或酸性/堿性溶液。濕法反應(yīng)通常用于制備化學(xué)品、金屬提取和其他化學(xué)反應(yīng)。在濕法反應(yīng)中,反應(yīng)介質(zhì)的選擇取決于反應(yīng)的性質(zhì)和所需的產(chǎn)物。例如,水是一種常見的反應(yīng)介質(zhì),因?yàn)樗且环N普遍的溶劑,可以溶解許多化學(xué)物質(zhì)。水還可以用作酸堿反應(yīng)的介質(zhì),因?yàn)樗梢宰鳛橘|(zhì)子或氫離子的來源。有機(jī)溶劑也是常見的反應(yīng)介質(zhì),因?yàn)樗鼈兛梢匀芙庠S多有機(jī)化合物。有機(jī)溶劑還可以用于制備有機(jī)化合物,例如醇、酮和醛等。酸性/堿性溶液也是常見的反應(yīng)介質(zhì),因?yàn)樗鼈兛梢杂糜谒釅A反應(yīng)和中和反應(yīng)。例如,硫酸可以用作酸性介質(zhì),用于制備硫酸鹽和其他化學(xué)品。氫氧化鈉可以用作堿性介質(zhì),用于制備氫氧化物和其他化學(xué)品??傊磻?yīng)介質(zhì)的選擇取決于反應(yīng)的性質(zhì)和所需的產(chǎn)物。在濕法反應(yīng)中,反應(yīng)介質(zhì)通常是液態(tài),可以是水、有機(jī)溶劑或酸性/堿性溶液。浙江專業(yè)濕法設(shè)備Perc工藝電池濕法RCA槽式清洗設(shè)備可以去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層。

江蘇半導(dǎo)體濕法堿拋設(shè)備,濕法

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝,使用強(qiáng)堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結(jié)構(gòu),提高硅片對長波的吸收2.增加背鈍化膜的膜厚均勻性3.降低了背面的表面積,提升了少子壽命,降低背面復(fù)合速率。進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗處理,2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備,并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除,利用背面PSG保護(hù),在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸,整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu),料臺歸正寬度可調(diào),兼容更多規(guī)格的硅片,并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口;去PSG設(shè)備布局前后通透,給設(shè)備使用者提供了便捷性;上料臺搭配了大流量全新滴液泵;濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。

江蘇半導(dǎo)體濕法堿拋設(shè)備,濕法

電池濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。太陽能光伏電池濕法制絨設(shè)備使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收。浙江專業(yè)濕法設(shè)備Perc工藝

電池濕法設(shè)備配合先進(jìn)的清洗技術(shù),可有效去除電池極板上的雜質(zhì)和污染物,提高電池的電化學(xué)性能。江蘇半導(dǎo)體濕法堿拋設(shè)備

在選擇電池濕法設(shè)備時(shí),需要考慮以下因素:1.生產(chǎn)規(guī)模:根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模選擇合適的設(shè)備,以滿足生產(chǎn)需求。2.設(shè)備質(zhì)量:選擇質(zhì)量可靠、穩(wěn)定的設(shè)備,以確保生產(chǎn)過程中的安全和穩(wěn)定性。3.設(shè)備價(jià)格:根據(jù)預(yù)算選擇合適的設(shè)備,以確保經(jīng)濟(jì)效益。4.設(shè)備維護(hù)和保養(yǎng):選擇易于維護(hù)和保養(yǎng)的設(shè)備,以確保設(shè)備長期穩(wěn)定運(yùn)行。5.生產(chǎn)工藝:根據(jù)生產(chǎn)工藝選擇合適的設(shè)備,以確保生產(chǎn)過程中的效率和質(zhì)量。6.環(huán)保要求:選擇符合環(huán)保要求的設(shè)備,以確保生產(chǎn)過程中的環(huán)保性。7.廠家信譽(yù)度:選擇信譽(yù)度高、服務(wù)好的廠家,以確保售后服務(wù)質(zhì)量。8.技術(shù)支持:選擇提供技術(shù)支持的廠家,以確保設(shè)備的正常運(yùn)行和維護(hù)。江蘇半導(dǎo)體濕法堿拋設(shè)備

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