無錫高效硅異質(zhì)結(jié)PECVD

異質(zhì)結(jié)電池技術(shù)路線，發(fā)電量高：低溫度意味著在組件高溫運行環(huán)境中，HJT電池具有相對較高的發(fā)電性能，從而實現(xiàn)發(fā)電量增益、降低系統(tǒng)的度電成本；若考慮電池工作溫度超出環(huán)境溫度10-40℃,而全年平均環(huán)境溫度相比實驗室標準工況低5-10℃，HJT電池每W發(fā)電量高出雙面PERC電池約0.6%-3.9%。優(yōu)勢五：雙面率高HJT正反面結(jié)構(gòu)對稱，而且TCO薄膜是透光的，天然就是雙面電池；HJT的雙面率能達到90%以上(能達到98%)，雙面PERC的雙面率約為75%+；據(jù)solarzoom測算，考慮10%-20%的背面輻照及電池片雙面率的差異，HJT電池單瓦發(fā)電量高出雙面PERC電池約2%-4%。優(yōu)勢六：弱光效應HJT電池采用N型單晶硅片，而PERC電池采用P型單晶硅片在600W/m以下的輻照強度；N型相比P型的發(fā)電表現(xiàn)高出1%-2%左右，HJT電池因弱光效應而在每W發(fā)電量上高出雙面PERC電池約0.5-1.0%左右。光伏異質(zhì)結(jié)結(jié)合了晶體硅和薄膜太陽能電池的優(yōu)點，能在低成本下實現(xiàn)高效率。無錫高效硅異質(zhì)結(jié)PECVD

光伏異質(zhì)結(jié)中的光電轉(zhuǎn)換效率受到多種因素的影響，其中主要的因素包括以下幾點：1.材料的選擇：光伏異質(zhì)結(jié)中的材料種類和質(zhì)量對光電轉(zhuǎn)換效率有著至關(guān)重要的影響。通常情況下，選擇具有較高吸收系數(shù)和較低缺陷密度的材料可以提高光電轉(zhuǎn)換效率。2.光照強度：光伏異質(zhì)結(jié)的光照強度越高，其光電轉(zhuǎn)換效率也會越高。因此，在實際應用中，需要根據(jù)光伏電池的使用環(huán)境和光照條件進行合理的設計和安裝。3.溫度：溫度對光伏異質(zhì)結(jié)的光電轉(zhuǎn)換效率也有著顯著的影響。一般來說，光伏電池的溫度越低，其光電轉(zhuǎn)換效率也會越高。4.結(jié)構(gòu)設計：光伏異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)設計也會對其光電轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)生影響。例如，通過優(yōu)化電極結(jié)構(gòu)和光伏電池的厚度等參數(shù)，可以提高光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率。5.光伏電池的制備工藝：光伏電池的制備工藝也會對其光電轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)生影響。例如，采用高質(zhì)量的制備工藝可以減少雜質(zhì)和缺陷的存在，從而提高光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率。浙江自動化異質(zhì)結(jié)材料光伏異質(zhì)結(jié)電池的使用壽命長，具有長期穩(wěn)定的能源供應能力。

高效異質(zhì)結(jié)電池整線設備，HWCVD 1、熱絲化學氣相沉積(HotWireCVD，HWCVD)是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來制備非晶硅薄膜，對襯底無損傷，且成膜質(zhì)量非常好，但鍍膜均勻性較差，且熱絲作為耗材，成本較高；2、HWCVD一般分為三個階段，一是反應氣體在熱絲處的分解反應，二是基元向襯底運輸過程中的氣相反應，第三是生長薄膜的表面反應。PECVD鍍膜均勻性較高，工藝窗口寬，對襯底損傷較大。HWCVD是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來成膜，對襯底無損傷，且成膜質(zhì)量好，但鍍膜均勻性較差且成本較高。

高效異質(zhì)結(jié)電池整線裝備，物理的氣相沉積，PVD優(yōu)點沉積速度快、基材溫升低；所獲得的薄膜純度高、致密性好、成膜均勻性好；濺射工藝可重復性好，精確控制厚度；膜層粒子的散射能力強，繞鍍性好；不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；缺點：常規(guī)平面磁控濺射技術(shù)靶材利用率不高，一般低于40％；在輝光放電中進行，金屬離化率較低。反應等離子體沉，RPD優(yōu)點：對襯底的轟擊損傷??；鍍層附著性能好，膜層不易脫落；源材料利用率高，沉積速率高；易于化合物膜層的形成，增加活性；鍍膜所使用的基體材料和膜材范圍廣。缺點：薄膜中的缺陷密度較高，薄膜與基片的過渡區(qū)較寬，應用中受到限制（特別是電子器件和IC）；薄膜中含有氣體量較高。光伏異質(zhì)結(jié)技術(shù)的持續(xù)發(fā)展將為太陽能產(chǎn)業(yè)帶來更加廣闊的市場前景和發(fā)展機遇。

光伏異質(zhì)結(jié)電池整線裝備，產(chǎn)業(yè)機遇：方向清晰：HJT技術(shù)工藝流程短、功率衰減低、輸出功率穩(wěn)定、雙面發(fā)電增益高、未來主流技術(shù)方向；時間明確：HJT平均量產(chǎn)效率已超過PERC瓶頸（25%），行業(yè)對HJT電池投入持續(xù)加大，電池商業(yè)化已逐漸成熟；機遇可期：設備與耗材是HJT規(guī)模化的關(guān)鍵，降本增效是不變的主題，具備HJT整線整合能力的供應商優(yōu)勢明顯。當前HJT生產(chǎn)成本約：硅片占比約50%，銀漿占比約25%，靶材約6%左右；當前HJT設備成本約：清洗制絨設備、PECVD設備、PVD設備、絲網(wǎng)印刷，設備投資額占比分別約10%、50%、25%和15%。高效異質(zhì)結(jié)電池PECVD設備是制備微晶硅的設備，其工藝機理復雜，影響因素眾多，需要專業(yè)公司制備。深圳鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)低銀

釜川自主研發(fā)的“零界”高效異質(zhì)結(jié)電池整線制造解決方案已實現(xiàn)設備國產(chǎn)化。無錫高效硅異質(zhì)結(jié)PECVD

高效異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)流程中使用的設備，PECVD 1.等離子化學氣相沉積（PlasmaEnhancedCVD，PECVD）是指利用輝光放電的物理作用來化學氣相沉積反應的CVD技術(shù)；2.異質(zhì)結(jié)非晶硅薄膜沉積是采用RPECVD技術(shù)，射頻等離子體增強化學氣相沉積（RFPlasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,RPECVD），是PECVD的另外一種技術(shù)。它是利用射頻能量使反應氣體等離子化。優(yōu)點：低溫成膜（300-350℃），對基片影響小，避免了高溫帶來的膜層晶粒粗大；l低壓下形成薄膜厚度及成分較均勻、膜層致密、內(nèi)應力小，不易產(chǎn)生裂紋；l擴大CVD應用范圍，特別是在不同基片上制備金屬薄膜、非晶態(tài)無機薄膜等，薄膜的附著力大于普通CVD。無錫高效硅異質(zhì)結(jié)PECVD

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