云南氧化鋅陶瓷靶材

濺射靶材開(kāi)裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實(shí)際水溫存在差異，導(dǎo)致使用過(guò)程中靶材開(kāi)裂。一般來(lái)說(shuō)，輕微的裂紋不會(huì)對(duì)鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當(dāng)靶材有明顯裂紋時(shí)，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導(dǎo)致靶材表面異常放電。放電會(huì)導(dǎo)致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報(bào)廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造發(fā)展過(guò)程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不會(huì)被退火過(guò)程完全消除，因?yàn)檫@是這些材料的固有特性。在濺射過(guò)程中，氣體離子被轟擊以將它們的動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動(dòng)量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達(dá)到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應(yīng)力將會(huì)增加到許多倍。在這種情況下，如果不適當(dāng)散熱，靶材就可能會(huì)斷裂。二、濺射靶材開(kāi)裂應(yīng)對(duì)事項(xiàng)為了防止靶材開(kāi)裂，需要著重考慮的是散熱。需要水冷卻機(jī)構(gòu)以從靶去除不需要的熱能。另一個(gè)需要考慮的問(wèn)題是功率的增加。短時(shí)間內(nèi)施加過(guò)大的功率也會(huì)對(duì)目標(biāo)造成熱沖擊。此外，我們建議將靶材粘合到背板上，這不僅為靶材提供了支撐，而且促進(jìn)了靶材與水之間更好的熱交換。如果目標(biāo)有一個(gè)裂紋，但它是粘接到背板上，仍可以正常使用。鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。云南氧化鋅陶瓷靶材

氧化鈮靶材根據(jù)其鍍膜工藝的不同分為平面靶材和旋轉(zhuǎn)靶材兩種,所需的氧化鈮純度均要求達(dá)到99.95%,但對(duì)氧化鈮的物理性能指標(biāo)要求不同。平面靶材的生產(chǎn)使用熱壓法,要求氧化鈮粉末粒度細(xì)且均勻,成形性能好;旋轉(zhuǎn)靶材采用熱噴涂法生產(chǎn),要求氧化鈮具有良好的流動(dòng)性及嚴(yán)格的粒度范圍。旋轉(zhuǎn)靶材是近些年新發(fā)展的一種靶材,與傳統(tǒng)的平面靶材相比,旋轉(zhuǎn)靶材相對(duì)于平面靶材具有很多的優(yōu)點(diǎn)： 1、利用率高（70％以上）,甚至可以達(dá)到90％; 2、濺射速度快,為平面靶的2-3倍; 3、有效地減少打弧和表面掉渣,工藝穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),因此近年來(lái)逐步替代了平面靶材。 針對(duì)國(guó)內(nèi)尚未能生產(chǎn)靶材級(jí)高純氧化鈮的現(xiàn)狀,在現(xiàn)有氧化鈮濕法冶金生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上,以高純鈮液為原料,通過(guò)噴霧干燥造粒的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)氧化鈮產(chǎn)品粒度和粒形的控制,制取滿足氧化鈮靶材尤其是氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材生產(chǎn)要求的球形高純氧化鈮產(chǎn)品。產(chǎn)品純度為99.95%、粒形為球形、粒度大小范圍為50-150μm的高純氧化鈮產(chǎn)品。與國(guó)外同行生產(chǎn)廠家以高純氧化鈮產(chǎn)品為原料,需經(jīng)過(guò)球磨、制漿、造粒、焙燒的工藝流程相比,具有工藝流程簡(jiǎn)單,生產(chǎn)成本低,粒度可控,產(chǎn)品成品率高的特點(diǎn)。產(chǎn)品完全能夠滿足生產(chǎn)氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材的要求。內(nèi)蒙古顯示行業(yè)陶瓷靶材市場(chǎng)價(jià)靶材的純度越高，薄膜的性能就越好。

靶材是制備薄膜的主要材料之一，主要應(yīng)用于集成電路、平板顯示、太陽(yáng)能電池、記錄媒體、智能玻璃等，對(duì)材料純度和穩(wěn)定性要求高。濺射靶材的工作原理：濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體即為濺射靶材。靶材發(fā)展趨勢(shì)是：高濺射率、晶粒晶向控制、大尺寸、高純金屬。

如何制成良好的陶瓷靶材也是需要注意的地方。1.成型方法:為了減少陶瓷靶材的氣孔，提高薄膜性能，要求濺射陶瓷靶材具有高密度、低氣孔率、高密度意味著陶瓷體內(nèi)晶粒排列緊密，在承受外界載荷或腐蝕性物質(zhì)侵蝕的時(shí)候不易形成破壞性的突破點(diǎn)。而要得到鈣質(zhì)密度的陶瓷胚體，成型方法是關(guān)鍵。陶瓷靶材的成型一般采用干壓、等靜壓、熱壓鑄等方法。不同的方法具有不同的特點(diǎn)。2.原料粒度:原料粉粒度對(duì)陶瓷靶材形成的薄膜質(zhì)量有很大的影響，只有原料足夠細(xì)，燒制成品才有可能形成微結(jié)構(gòu)，使他具有很好的耐磨性。粉料顆粒越細(xì)，活性也越大，可促進(jìn)燒結(jié)，制成的瓷強(qiáng)度也越高，小顆粒還可以分散由于剛玉和玻璃相線膨脹系數(shù)不同在晶界處造成的應(yīng)力集中，減少開(kāi)裂的危險(xiǎn)性，細(xì)的晶粒還能妨礙微裂紋的發(fā)展，不易在成穿晶斷裂，有利于提高斷裂韌性，還可以提高耐磨性。3.燒結(jié):陶瓷的燒結(jié)，簡(jiǎn)單的講就是陶瓷生坯在高溫下的致密化過(guò)程。隨著溫度的上升和時(shí)間的延長(zhǎng)，粉末顆粒之間發(fā)生粘結(jié)，燒結(jié)體的強(qiáng)度增加，把粉末顆粒的聚集體變?yōu)閳?jiān)強(qiáng)的具有某種顯微結(jié)構(gòu)的多晶燒結(jié)體，并獲得所需的物理，機(jī)械性能的制品或材料。樣品的致密化速率、結(jié)構(gòu)往往也反應(yīng)了它經(jīng)歷過(guò)什么樣的熱處理過(guò)程。 AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。

從ITO靶材制備方法來(lái)看，制備方法多樣，冷等靜壓優(yōu)勢(shì)突出。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫?zé)Y(jié)法、冷等靜壓法。冷等靜壓法制備ITO靶材優(yōu)點(diǎn)：1）冷等靜壓法壓力較大，工件受力相對(duì)更加均勻，尤其適用于壓制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材大尺寸的發(fā)展趨勢(shì)；2）產(chǎn)品的密度相對(duì)更高，更加地均勻；3）壓粉不需要添加任何潤(rùn)滑劑；4）生產(chǎn)成本低，適合大規(guī)模生產(chǎn)。從冷等靜壓法主要制備流程看：1）制備粉末，選取氧化銦與二氧化錫（純度99.99%）進(jìn)行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇（PVA）和30%的純水進(jìn)行砂磨。然后進(jìn)行噴霧干燥，調(diào)節(jié)噴霧干燥塔參數(shù)，噴霧制備不同松裝密度的ITO粉末。再將ITO粉末進(jìn)行篩網(wǎng)篩分，獲得合格的ITO粉末；2）制備素胚，將ITO粉末裝入橡膠模具中振實(shí)，密封投料口，進(jìn)行冷等靜壓，得到靶材素坯；3）結(jié)燒，將素坯放置于常壓燒結(jié)爐中，保溫溫度為1450—1600℃，采用多個(gè)階段保溫?zé)Y(jié)，燒結(jié)過(guò)程中通入氧氣。ITO靶材被廣泛應(yīng)用于各大行業(yè)之中。上海氧化物陶瓷靶材廠家

陶瓷靶材按化學(xué)組成,分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物靶材和硫化物靶材等。云南氧化鋅陶瓷靶材

靶材主要用于生成太陽(yáng)能薄膜電池的背電極，晶體硅太陽(yáng)能電池較少用到濺射靶材。太陽(yáng)能電池主要包括晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池，晶體硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率較高、性能穩(wěn)定，且各個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)比較成熟，占據(jù)了太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。而晶體硅太陽(yáng)能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽(yáng)能電池以及PVD工藝高轉(zhuǎn)化率硅片太陽(yáng)能電池，其中硅片涂覆型太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材，目前靶材主要用于太陽(yáng)能薄膜電池領(lǐng)域。靶材濺射鍍膜形成的太陽(yáng)能薄膜電池的背電級(jí)主要有三個(gè)用途：一，它是各單體電池的負(fù)極；二，它是各自電池串聯(lián)的導(dǎo)電通道；三，它可以增加太陽(yáng)能電池對(duì)光的反射。太陽(yáng)能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀，對(duì)純度要求沒(méi)有半導(dǎo)體芯片用靶材要求高，一般在99.99%以上。目前制備太陽(yáng)能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。云南氧化鋅陶瓷靶材

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