福建AZO陶瓷靶材價(jià)格咨詢

從ITO靶材制備方法來(lái)看，制備方法多樣，冷等靜壓優(yōu)勢(shì)突出。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫?zé)Y(jié)法、冷等靜壓法。冷等靜壓法制備ITO靶材優(yōu)點(diǎn)：1）冷等靜壓法壓力較大，工件受力相對(duì)更加均勻，尤其適用于壓制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材大尺寸的發(fā)展趨勢(shì)；2）產(chǎn)品的密度相對(duì)更高，更加地均勻；3）壓粉不需要添加任何潤(rùn)滑劑；4）生產(chǎn)成本低，適合大規(guī)模生產(chǎn)。從冷等靜壓法主要制備流程看：1）制備粉末，選取氧化銦與二氧化錫（純度99.99%）進(jìn)行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇（PVA）和30%的純水進(jìn)行砂磨。然后進(jìn)行噴霧干燥，調(diào)節(jié)噴霧干燥塔參數(shù)，噴霧制備不同松裝密度的ITO粉末。再將ITO粉末進(jìn)行篩網(wǎng)篩分，獲得合格的ITO粉末；2）制備素胚，將ITO粉末裝入橡膠模具中振實(shí)，密封投料口，進(jìn)行冷等靜壓，得到靶材素坯；3）結(jié)燒，將素坯放置于常壓燒結(jié)爐中，保溫溫度為1450—1600℃，采用多個(gè)階段保溫?zé)Y(jié)，燒結(jié)過(guò)程中通入氧氣。靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。福建AZO陶瓷靶材價(jià)格咨詢

靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。（1）靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的主要部分，涉及高純金屬、晶粒取向調(diào)控。在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜。（2）背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，涉及焊接工藝。由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程。機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。重慶氧化鋅陶瓷靶材市場(chǎng)價(jià)AZO薄膜是一種透明導(dǎo)電膜，與ITO薄膜相似的光學(xué)和電學(xué)特性，制備工藝簡(jiǎn)單、價(jià)格低、無(wú)毒和穩(wěn)定性好等特點(diǎn)。

研究直流磁控反應(yīng)濺射ITO膜過(guò)程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測(cè)氧儀等手段對(duì)毒化發(fā)生的機(jī)理進(jìn)行分析,并對(duì)若干誘導(dǎo)因素進(jìn)行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導(dǎo)毒化發(fā)生.

ITO薄膜作為一種重要的透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料，因具有良好的導(dǎo)電性能及光透射率廣泛應(yīng)用于液晶顯示、太陽(yáng)能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中，用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材，直流磁控反應(yīng)濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點(diǎn)成為目前的主流?但是，此法成膜過(guò)程中會(huì)經(jīng)常發(fā)生??靶材表面黑色化，生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤，本文稱此現(xiàn)象為靶材毒化，毒化使濺射速率下降，膜質(zhì)劣化，迫使停機(jī)清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射，嚴(yán)重影響了鍍膜效率。

靶材綁定背板流程：一、什么是綁定綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來(lái)。主要有三種的方式：壓接、釬焊和導(dǎo)電膠。靶材綁定常用釬焊，釬料常用In、Sn、In–Sn，一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/㎝2。二、為什么要綁定 1、防止靶材受熱不勻碎裂，例如ITO、SiO2、陶瓷等脆性靶材及燒結(jié)靶材；2、節(jié)省成本，防止變形，如靶材太貴，可將靶材做薄些，綁定背靶以防止變形。三、背靶的選擇 1、常用無(wú)氧銅，導(dǎo)電性好，無(wú)氧銅的導(dǎo)熱性比紫銅好；2、厚度適中，一般建議背靶厚度3mm左右。太厚，消耗部分磁強(qiáng)；太薄，容易變形。四、綁定過(guò)程 1、綁定前將靶材和背靶表面預(yù)處理2、將靶材和背靶放置在釬焊臺(tái)上，升溫到綁定溫度3、將靶材和背靶金屬化4、粘接靶材和背靶5、降溫和后處理五、綁定靶材使用的注意事項(xiàng)1、濺射溫度不宜太高2、電流要緩慢加大3、循環(huán)冷卻水應(yīng)低于35攝氏度4、適宜的靶材致密度。 ITO靶材是將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后經(jīng)過(guò)生產(chǎn)加工成型，再高溫氣氛燒結(jié)形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體。

如何制成良好的陶瓷靶材也是需要注意的地方。1.成型方法:為了減少陶瓷靶材的氣孔，提高薄膜性能，要求濺射陶瓷靶材具有高密度、低氣孔率、高密度意味著陶瓷體內(nèi)晶粒排列緊密，在承受外界載荷或腐蝕性物質(zhì)侵蝕的時(shí)候不易形成破壞性的突破點(diǎn)。而要得到鈣質(zhì)密度的陶瓷胚體，成型方法是關(guān)鍵。陶瓷靶材的成型一般采用干壓、等靜壓、熱壓鑄等方法。不同的方法具有不同的特點(diǎn)。2.原料粒度:原料粉粒度對(duì)陶瓷靶材形成的薄膜質(zhì)量有很大的影響，只有原料足夠細(xì)，燒制成品才有可能形成微結(jié)構(gòu)，使他具有很好的耐磨性。粉料顆粒越細(xì)，活性也越大，可促進(jìn)燒結(jié)，制成的瓷強(qiáng)度也越高，小顆粒還可以分散由于剛玉和玻璃相線膨脹系數(shù)不同在晶界處造成的應(yīng)力集中，減少開(kāi)裂的危險(xiǎn)性，細(xì)的晶粒還能妨礙微裂紋的發(fā)展，不易在成穿晶斷裂，有利于提高斷裂韌性，還可以提高耐磨性。3.燒結(jié):陶瓷的燒結(jié)，簡(jiǎn)單的講就是陶瓷生坯在高溫下的致密化過(guò)程。隨著溫度的上升和時(shí)間的延長(zhǎng)，粉末顆粒之間發(fā)生粘結(jié)，燒結(jié)體的強(qiáng)度增加，把粉末顆粒的聚集體變?yōu)閳?jiān)強(qiáng)的具有某種顯微結(jié)構(gòu)的多晶燒結(jié)體，并獲得所需的物理，機(jī)械性能的制品或材料。樣品的致密化速率、結(jié)構(gòu)往往也反應(yīng)了它經(jīng)歷過(guò)什么樣的熱處理過(guò)程。 透明導(dǎo)電薄膜的種類很多，主要有ITO，TCO，AZO等，其中ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。山西氧化物陶瓷靶材生產(chǎn)企業(yè)

ITO靶材是當(dāng)前太陽(yáng)能電池主要的濺射靶材。福建AZO陶瓷靶材價(jià)格咨詢

鈣鈦礦太陽(yáng)電池在短短數(shù)十年間不斷刷新轉(zhuǎn)換效率?；谡玫拟}鈦礦太陽(yáng)電池面臨著眾多問(wèn)題，如遲滯較大，光熱穩(wěn)定性差等，相較之下倒置結(jié)構(gòu)可以較好的解決上述問(wèn)題。倒置結(jié)構(gòu)中空穴傳輸層主要有氧化鎳(NiOx)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)、聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)等幾種，但是PEDOT:PSS，PTAA等空穴傳輸層并不穩(wěn)定且成本較高，考慮到未來(lái)大面積生產(chǎn)所需，目前只有NiOx較為適合?，F(xiàn)有的NiOx制備工藝以納米晶溶液旋涂、化學(xué)浴沉積、原子層沉積、化學(xué)氣相沉積等為主。目前合適的大面積制備技術(shù)以化學(xué)氣相沉積為主，其中磁控濺射制備可重復(fù)性高且較為均勻?，F(xiàn)有的技術(shù)手段中，常在氧化鎳基板中添加單獨(dú)的堿金屬元素或者過(guò)渡金屬，用以提升氧化鎳空穴傳輸層的空穴傳輸能力。福建AZO陶瓷靶材價(jià)格咨詢

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