利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對所制備的非晶硅薄膜進行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時間、氬氣氣壓等因素對非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實驗結果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨濺射功率、濺射時間和濺射氣壓的增加而增大，而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。 對制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時間進行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀，對不同退火溫度的樣品進行晶化程度的表征。實驗結果表明：不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化，并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生晶化;退火溫度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。 此外，通過拉曼激光誘導晶化，結果表明：拉曼激光誘導非晶硅晶化為局域晶化，具有晶化速度快的特點;晶化過程中，需要控制激光強度，過強的激光會把非晶硅薄膜燒蝕掉。一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物。成都釔靶圖片
真空鍍膜設備替代電鍍設備是發(fā)展的必然 2012年全國化學電鍍產(chǎn)生的污水和重金屬排放量達到3.5億噸，固體廢物達到4.1萬噸，酸性氣體達到2.3萬立方米，由于真空鍍膜設備逐漸應用到市場上，污染排放量比2011年有所下降，但仍是一個不可忽視的數(shù)據(jù)，為處理這大量的污染，大部分企業(yè)已投放了共5868.1億元在污水治理方面，464.8億元在固體廢物治理方面，974.9億元在酸性氣體治理方面，但仍然有部分企業(yè)沒有完善治理措施，造成大量污染。 使用真空鍍膜設備進行電鍍可以有效改善污染情況，它不像化學電鍍需要使用重金屬溶液和酸性溶液進行鍍膜，而是在真空環(huán)境下利用蒸發(fā)或濺射方式進行鍍膜，完全沒有污染產(chǎn)生，是一種綠色低碳、符合可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的產(chǎn)業(yè)，已經(jīng)越來越多企業(yè)淘汰了舊方式化學電鍍而轉(zhuǎn)用真空電鍍，但還有很多企業(yè)沒意識到環(huán)保的重要性，不懂得綠色生產(chǎn)其實是為自己和后代創(chuàng)建美好生存環(huán)境的道理。 綠色環(huán)保產(chǎn)業(yè)是必然的發(fā)展趨勢，造成嚴重污染的化學電鍍終會退出歷史舞臺，取而代之的是真空電鍍，利用真空鍍膜機鍍膜成為主流是不可質(zhì)疑的。成都釔靶圖片靶中毒的解決辦法：控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應曲線。
什么是電致變色，它有哪些分類：電致變色是指材料的光學屬性（反射率、透過率、吸收率等）在外加電場的作用下發(fā)生穩(wěn)定、可逆的顏色變化的現(xiàn)象，在外觀上表現(xiàn)為顏色和透明度的可逆變化。具有電致變色性能的材料稱為電致變色材料，用電致變色材料做成的器件稱為電致變色器件。電致變色材料分類：一、無機電致變色材料無機電致變色材料的典型是三氧化鎢，目前，以WO3為功能材料的電致變色器件已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化。二、有機電致變色材料有機電致變色材料主要有聚噻吩類及其衍生物、紫羅精類、四硫富瓦烯、金屬酞菁類化合物等。以紫羅精類為功能材料的電致變色材料已經(jīng)得到實際應用。
靶材材質(zhì)對靶濺射電壓的影響 1. 在真空條件不變的條件下,不同材質(zhì)與種類靶材對磁控靶的正常濺射電壓會產(chǎn)生一定的影響。 2. 常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。 3. 有的難濺射的靶材(如錳Mn、鉻Cr等) 的濺射電壓比較高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控濺射過程;而有的靶材(如氧化銦錫ITO) 的濺射電壓比較低，可以在200多伏電壓時實現(xiàn)正常的磁控濺射沉積鍍膜。 4. 實際鍍膜過程中，由于工作氣體壓力變化，或陰極與陽極間距偏小(使真空腔體內(nèi)阻抗特性發(fā)生變化)，或真空腔體與磁控靶的機械尺寸不匹配，同時選用了輸出特性較軟的靶電源等原因，導致磁控靶的濺射電壓(即靶電源輸出電壓)遠低于正常濺射示值，則可能會出現(xiàn)靶前存雖然呈現(xiàn)出很亮的光圈，就是不能見到靶材離子相應顏色的泛光，以至不能濺射成膜的狀況。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。
ITO薄膜制作過程中的影響因素 ITO薄膜在濺鍍過程中會產(chǎn)生不同的特性，有時候表面光潔度比較低，出現(xiàn)“麻點”的現(xiàn)象，有時候會出現(xiàn)高蝕間隔帶，在蝕刻時還會出現(xiàn)直線放射型缺劃或電阻偏高帶，有時候會出現(xiàn)微晶溝縫。 常用的ITO靶材是通過燒結法生產(chǎn)的，就是由氧化銦（In2O3）和氧化錫（SnO2）粉末按照一定的比例進行混合，通常質(zhì)量比是90%In2O3和10% SnO2，形成的黑灰色陶瓷半導體（氧化銦錫，ITO）。一般通過外觀就可以了解ITO靶材的質(zhì)量，深灰色是好的，相反越黑質(zhì)量越差，我國生產(chǎn)的ITO靶材質(zhì)量還可以的是黑灰色的。 研究顯示，在真空鍍膜機ITO薄膜濺鍍過程中，使用磁控濺射的方式，基底溫度控制在200℃左右可以保證薄膜85%以上高可見光透過率下，電阻率達到低，而薄膜的結晶度也隨著基底溫度的提高而提高，晶粒尺寸也逐漸增大，超過200℃后透射率趨于減弱；使用電子束蒸鍍的方式，隨著退火溫度升高，晶粒尺寸變大，表面形貌均一穩(wěn)定，超過600℃后顆粒變得大小不一，形狀各異，小顆粒團聚現(xiàn)象嚴重，薄膜表面形貌破壞。比如鋁靶材等活性金屬靶材，長期暴露在大氣中，表面容易形成一層氧化皮。蘇州釔靶費用
靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面。成都釔靶圖片
直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術探討 熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉(zhuǎn)換效率，因此具有十分重要的科學研究價值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒有得到普遍的應用。 但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內(nèi)外認為是具有前景的中溫熱電材料之一。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結構與熱電特性變化規(guī)律。 結果表明，選取適當?shù)臑R射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結構的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優(yōu)良的熱電性能。成都釔靶圖片
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。